Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (33)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=комбинационное рассеяние света<.>)

Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40

Юзюк, Ю. И.
Влияние механизма роста и термоупругих напряжений на динамику кристаллической решетки гетероэпитаксиальных пленок титаната бария-стронция [Текст] / Ю. И. Юзюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1676-1682. - Библиогр.: с. 1682 (30 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные пленки -- двумерные напряжения в пленке -- комбинационное рассеяние света -- коэффициенты теплового расширения -- мягкая мода -- сегнетоэлектрический фазовый переход -- спектры комбинационного рассеяния света -- титанат бария-стронция
Аннотация: Гетероэпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba[0. 7]Sr[0. 3]TiO[3] (BST-0. 3) на монокристаллических подложках (001) MgO получены высокочастотным катодным распылением керамической мишени стехиометрического состава. Рентгенографическими методами определены параметры тетрагональной ячейки пленки в зависимости от условий синтеза и исследован температурный ход параметра c в интервале температур 293-520 K. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдалась E (TO) мягкая мода, частота которой коррелирует с величиной двумерных напряжений, возникающих в пленках. Показано. что двумерные напряжения в пленке определяются не только несоответствием параметров решетки пленки и подложки, различием их коэффициентов теплового расширения, но существенно зависят от механизма гетероэпитаксиального роста. Установлено, что при нагревании пленки фазовый переход осуществляется в тетрагональную параэлектрическую фазу вне зависимости от реализуемого механизма роста.

Доп.точки доступа:
Захарченко, И. Н.; Алешин, В. А.; Леонтьев, И. Н.; Рабкин, Л. М.; Мухортов, В. М.; Simon, P.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Воронько, Ю. К.
Моноклинно-тетрагональный фазовый переход в оксиде гафния: исследования методом высокотемпературной спектроскопии комбинационного рассеяния света [Текст] / Ю. К. Воронько, А. А. Соболь, В. Е. Шукшин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1871-1875. - Библиогр.: с. 1875 (22 назв. ). - 1; Исследования методом высокотемпературной спектроскопии комбинационного рассеяния света

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературная спектроскопия -- колебательные моды -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- оксид гафния -- оксид циркония -- спектры КРС -- фазовые переходы
Аннотация: Методом высокотемпературной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы спектры диоксидов циркония и гафния при температуре 300-2080 K. Указанная температурная область включала интервалы моноклинно-тетрагонального фазового перехода в этих материалах. Изучены закономерности изменения спектров как моноклинных (m), так и тетрагональных (t) модификаций ZrO[2] и HfO[2] с температурой. С использованием поляризованных спектров комбинационного рассеяния метастабильных t-форм в твердых растворах на основе диоксидов циркония и гафния проведена идентификация симметрии колебаний в спектрах тетрагональных форм чистых ZrO[2] и HfO[2] существующих при высоких температурах.

Доп.точки доступа:
Соболь, А. А.; Шукшин, В. Е.

Найти похожие

Талочкин, А. Б.
Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si [Текст] / А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 5. - С. 397-400

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- оптические фононы -- квантовые точки -- релаксация механических напряжений -- механические напряжения -- массив квантовых точек -- Ge -- Si
Аннотация: Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200-300 градусов C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD.

Доп.точки доступа:
Марков, В. А.; Машанов, В. И.

Найти похожие

Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия [Текст] / И. А. Белогорохов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, вып: вып. 12. - С. 791-794

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые структуры -- комбинационное рассеяние света -- проводимость -- органические полупроводниковые структуры -- монофталоцианин эрбия -- трифталоцианин эрбия
Аннотация: В ходе проведенных исследований получены спектры комбинационного рассеяния света и зависимости проводимости органических полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных монофталоцианина эрбия и трифталоцианина эрбия от температуры.

Доп.точки доступа:
Белогорохов, И. А.; Мартышов, М. Н.; Тихонов, Е. В.; Бреусова, М. О.; Пушкарев, В. Е.; Форш, П. А.; Зотеев, А. В.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

Желтиков, А. М.
Волоконно-оптический синтезатор управляемых последовательностей сверхкоротких импульсов для однопучковой микроспектроскопии когерентного комбинационного рассеяния света [Текст] / А. М. Желтиков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, вып: вып. 11. - С. 667-672

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- однопучковая микроспектроскопия -- сверхкороткие импульсы -- волоконно-оптические синтезаторы
Аннотация: Показано, что в режиме модуляционной неустойчивости микроструктурированный световод совмещает функции преобразователя спектра лазерного излучения и синтезатора профиля фазы, обеспечивающего возможность осуществления однопучковой микроспектроскопии когерентного комбинационного рассеяния и когерентного управления процессами комбинационного возбуждения молекулярных систем.

Найти похожие

Микрорамановский отклик и осцилляторные параметры фононов в твердых растворах Pb[1-x]Ca[x]TiO[3] (0. 40 x 0. 62) [Текст] / А. Н. Чабанюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 155-163. - Библиогр.: с. 163 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
микрорамановский отклик -- фононы -- фононные моды -- твердые растворы -- поляризованные спектры -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: Посредством температурных (295 0. 5.

Доп.точки доступа:
Чабанюк, А. Н.; Торгашев, В. И.; Юзюк, Ю. И.; Леманов, В. В.; Simon, P.

Найти похожие

Марков, Ю. Ф.
Комбинационное рассеяние света поликристаллами Hg[2]F[2] [Текст] / Ю. Ф. Марков, Е. М. Рогинский // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 282-285. - Библиогр.: с. 285 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- галогениды одновалентной ртути -- спектры комбинационного рассеяния -- комбинационное рассеяние
Аннотация: Впервые получены экспериментальные спектры комбинационного рассеяния света поликристаллов Hg[2]F[2]. С использованием рентгеноструктурного анализа и теоретико-группового рассмотрения выполнена интерпретация спектров Hg[2]F[2]. Полученные результаты обсуждены в сравнении со спектрами кристаллов Hg[2]F[2].

Доп.точки доступа:
Рогинский, Е. М.

Найти похожие

Володин, В. А.
Экспериментальное обнаружение анизотропии фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (100) [Текст] / В. А. Володин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 8. - С. 483-485

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
фонон-плазмонные моды -- сверхрешетки -- комбинационное рассеяние света -- анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод -- анизотропия эффективной массы электронов
Аннотация: С применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) были исследованы легированные (n-типа) GaAs/AlAs сверхрешетки (СР) с толщинами слоев GaAs от 1. 7 до 6. 8 ангстрем, толщина слоев AlAs составляла 13. 6 ангстрем. Применение микроприставки для исследования КРС позволило наблюдать при обратном рассеянии моды с волновым вектором как поперек слоев СР, так и вдоль слоев СР (при рассеянии с "торца" СР). Экспериментально обнаружена предсказанная ранее теоретически анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная анизотропией эффективной массы электронов в СР второго типа.

Найти похожие

Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния [Текст] / В. В. Болотов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 957-960 : ил., табл. - Библиогр.: с. 960 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- ПК -- инфракрасная спектроскопия -- Ик-спектроскопия -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- этанол -- оптические параметры -- электрофизические параметры
Аннотация: Методами комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии и измерением вольт-амперных характеристик проведено исследование влияния адсорбции паров этанола на свойства структур на основе пористого кремния. Обнаружено уменьшение сопротивления слоев пористого кремния и одновременный рост интенсивности полосы инфракрасного поглощения, обусловленной наличием групп (OH) {-}... x (OH) {-} (x=1, 2,... ) при экспозиции в парах этанола и наоборот, рост сопротивления пленки пористого кремния и уменьшение поглощения на группах OH{-} при дегазации. Наблюдаемый эффект объясняется изменением области обеднения в элементах скелетона p-Si за счет электростатического взаимодействия групп (OH) {-} с положительно заряженными поверхностными дефектами. Обсуждается влияние на рост проводимости кремния центров с водородной связью типа Si-OH... OH-C[2]H[5].

Доп.точки доступа:
Болотов, В. В.; Стенькин, Ю. А.; Росликов, В. Е.; Кан, В. Е.; Пономарева, И. В.; Несов, С. Н.

Найти похожие

10.

Синтез нанокристаллов alpha-SiC при карботермическом восстановлении сферических наночастиц аморфного диоксида кремния [Текст] / А. А. Жохов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1626-1631. - Библиогр.: с. 1631 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
синтез нанокристаллов -- карботермические восстановления -- диоксиды кремния -- аморфные диоксиды -- аморфные диоксиды кремния -- сферические наночастицы -- карбид кремния -- комбинационное рассеяние света -- новые материалы -- методы рентгенофазового анализа -- радиационно стойкие материалы
Аннотация: Развит способ карботермического восстановления сферических частиц аморфного диоксида кремния и получены нанокристаллы гексагональных политипов alpha-SiC. Проведена характеризация полученных образцов методами рентгенофазового анализа, комбинационного рассеяния (КР) света, фотолюминесценции и электронной микроскопии. В зависимости от диаметра исходных частиц диоксида кремния получены нанокристаллы карбида кремния размером в интервале 5-50 nm. Детальный анализ спектров КР по положению линий, их уширению и сдвигу позволяет определенно установить наличие в исследуемых образцах в основном политипов карбида кремния 6H и 4H и в незначительных долях фазы 2H и 3C. Политипы 15R и 21R в исследуемых образцах отсутствуют. Отмечен заметный размерный эффект: интенсивность свечения нанокристаллов карбида кремния меньших размеров более чем в 3 раза выше, чем у SiC с большим размером нанокристаллов.

Доп.точки доступа:
Жохов, А. А.; Шмурак, С. З.; Хасанов, С. С.; Зверькова, И. И.; Максимук, М. Ю.; Матвеев, Д. В.; Масалов, В. М.; Киселев, А. П.; Баженов, А. В.; Емельченко, Г. А.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	92251
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)