Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (29)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=катодолюминесценция<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Шишонок, Е. М.
Люминесцентные исследования кубического нитрида бора легированного бериллием [Текст] / Е. М. Шишонок, T. Taniguchi, T. Sekiguchi // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1797-1803. - Библиогр.: с. 1802-1803 (26 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
катодолюминесценция -- кубический нитрид бора -- люминесценция -- спектры катодолюминеценции -- спектры фотолюминесценции -- широкозонные полупроводники -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы спектры катодолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора cBN, легированных бериллием в условиях высоких давлений и температур. Установлено, что легирование бериллием приводит к стабильному образованию в спектрах катодолюминесценции cBN широкой полосы, положение максимума которой с увеличением концентрации примеси смещается в коротковолновую область спектра в интервале длин волн от около 315 до около 250 nm; при этом цвет кристаллов изменяется от темно-желтого до синего. По результатам исследований зависимостей структуры, интенсивности и положения максимума полосы от температуры измерения спектров катодолюминесценции предложена предварительная интерпретация ее природы в модели рекомбинации на дефектах дoнорного и акцепторного типов. Сделано предложение о присутствии вблизи валентной зоны легированного cBN нескольких перекрывающихся подзон, связанных с разнозарядными акцепторными уровнями бериллия. В спектрах фотолюминесценции легированных монокристаллов cBN зарегистрированы три неизвестные ранее бесфононные линии с энергиями 2. 135, 2. 27 и 2. 60 eV.

Доп.точки доступа:
Taniguchi, T.; Sekiguchi, T.

Найти похожие

Морозова, Наталья Константиновна.
Влияние Te на самоактивированное свечение ZnSe [Текст] / Н. К. Морозова, Д. А. Мидерос // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 12-17. - Библиогр.: с. 17 (10 назв. )

УДК

^a535

^a537

^a539.2

ББК 22.34 + 22.33 + 22.37
Рубрики: Физика
   Оптика
   Электричество и магнетизм
   Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
селениды -- катодолюминесценция -- фотолюминесценция -- проводимость -- самоактивированное свечение -- коротковолновое свечение -- селенид цинка
Аннотация: Предложена интерпретация оптических свойств ZnSe на основе теории непересекающихся зон, определяющей инициированное кислородом расщепление зоны проводимости.

Доп.точки доступа:
Мидерос, Даниэль Алехандро

Найти похожие

Вольфсон, А. А.
Влияние продолжительности процесса роста на свойства GaN, выращенного методом сублимации [Текст] / А. А. Вольфсон, Е. Н. Мохов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 418-421

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
толстые эпитаксиальные слои -- GaN -- сандвич-метод -- катодолюминесценция -- оптоэлектронные приборы -- эпитаксиальные структуры
Аннотация: Исследовалось изменение структурных и морфологических особенностей и люминесцентных характеристик толстых эпитаксиальных слоев GaN, выращенных сублимационным сандвичем-методом, в зависимости от длительности процесса кристаллизации. Для этого, в частности, использовалась сканирующая электронная микроскопия в режимах вторичных электронов и катодолюминесценции с реальным отображением цветовой информации. Было установлено, что за время около 1. 5 ч могут быть выращены весьма совершенные слои GaN толщиной до 0. 5 мм, поверхность которых практически не имеет люминесценции в видимой области спектра. Однако если увеличить длительность ростового процесса с целью получения слоев большей толщины, то наблюдается ухудшение качества выращиваемого кристалла, которое сопровождается усилением катодолюминесценции его приповерхностного слоя в видимой (преимущественно желтой) части спектра. Обсуждаются причины ухудшения качества слоев GaN в этом случае. Предполагается, что по мере снижения скорости испарения источника убывает количество активного азота вблизи ростовой поверхности.

Доп.точки доступа:
Мохов, Е. Н.

Найти похожие

Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки
Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям.

Доп.точки доступа:
Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н.

Найти похожие

Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями [Текст] / С. Г. Конников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1280-1287 : ил. - Библиогр.: с. 1287 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кванто-размерные слои -- гетероструктуры -- катодолюминесценция -- КЛ -- катодолюминесцентные исследования -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифракция -- РД -- рентгеноспектральный микроанализ -- РСМА -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгенодифракционные исследования -- комплексная диагностика
Аннотация: Возможности комплексной диагностики сложных квантово-размерных гетероструктур на основе соединений A{III}B{V}, используемых для создания мощных лазеров, продемонстрированы на примере структур с квантовой ямой GalnP/GaAs/AlGaAs, выращенных эпитаксией из металлорганической газовой фазы. Исследования спектров катололюминесценции позволили оценить состав барьерных слоев, подтвердить существование квантовой ямы и обнаружить аномалии в их излучении, связанные с изменением состава. При изучении структур в просвечивающем электронном микроскопе были определены толщина барьерных слоев, ширина и состав квантовой ямы, а также обнаружены переходные слои вблизи интерфейсов. Точное определение состава барьерных слоев было выполнено методом рентгеноспектрального микроанализа. Полученные величины параметров использовались при интерпретации данных рентгеновской дифракции, которые подтвердили существование переходных областей и обнаружили градиенты состава и частичную релаксацию в основной части слоев. Результатом проведенных комплексных исследований явились взаимосогласованные и обоснованные данные о составе и толщине слоев, а также данные о качестве интерфейсов, частичной релаксации слоев, существовании переходных слоев и градиентов состава.

Доп.точки доступа:
Конников, С. Г.; Гуткин, А. А.; Заморянская, М. В.; Попова, Т. Б.; Ситникова, А. А.; Шахмин, А. А.; Яговкина, М. А.

Найти похожие

Влияние толщины слоев CdTe и ZnTe на спектры катодолюминесценции в напряженных сверхрешетках CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек [Текст] / И. В. Кучеренко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2246-2250. - Библиогр.: с. 2250 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектральные параметры -- комбинационные рассеяния света -- квантовые точки -- люминесценция -- барьерные слои -- катодолюминесценция -- сверхрешетки
Аннотация: Исследовано влияние толщины барьерных слоев ZnTe на спектры катодолюминесцентных (КЛ) напряженных сверхрешеток CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек CdTe, средний латеральный размер которых составляет примерно 3 nm. В образцах с толстыми барьерными слоями (30 nm, 15 nm) спектры КЛ квантовых точек представлены одной полосой с максимумом при E=2. 03 eV. Обнаружено расщепление полосы люминесценции при толщине барьерного слоя ~3 nm. Однако при толщине слоя ZnTe 1. 5 nm спектр излучения также представлен одной полосой. Результаты эксперимента интерпретируются с учетом влияния упругих двухосных деформаций на энергетические состояния легких и тяжелых дырок в слоях CdTe и ZnTe. Обнаружены 2LO-фононные повторения в спектре КЛ гетероструктуры CdTe/ZnTe с квантовыми точками при толщине осажденного слоя CdTe 1. 5 монослоев (ML) и толщине барьерного слоя 100 ML. Эффект объясняется резонансом между двухфононными LO-состояниями и разностью уровней энергии в электронном спектре фрагментов смачивающего слоя.

Доп.точки доступа:
Кучеренко, И. В.; Виноградов, В. С.; Трушин, А. С.; Карчевски, Г.

Найти похожие

Морозова, Н. К.
Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS (O) с позиций теории непересекающихся зон [Текст] / Н. К. Морозова, Н. Д. Данилевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 458-462 : ил. - Библиогр.: с. 462 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- самоактивированная люминесценция -- спектры самоактивированной люминесценции -- непересекающиеся зоны -- теория непересекающихся зон -- SAL люминесценция -- SA люминесценция -- рекомбинация -- ZnS-ZnSe (O) -- спектральная зависимость -- концентрация кислорода -- кристаллы -- CdS (O) -- свечение -- собственные точечные дефекты -- СТД -- катодолюминесценция -- КЛ -- спектры катодолюминесценции -- SA-свечение -- H-компоненты -- L-компоненты -- поглощение кристаллов
Аннотация: На основе теории непересекающихся зон, позволяющей учесть влияние изоэлектронной примеси кислорода на изменение зонной структуры, дана интерпретация природы спектров самоактивированной люминесценции CdS (O). Выявлены полосы самоактивированной SA и SAL люминесценции CdS (O), аналогичные ZnS-ZnSe (O). В присутствии растворенного кислорода OS обнаружено наличие в составе SA-полос дополнительно двух компонент H и L, которые обязаны переходам из E[+]- и E[-]-подзон расщепленной зоны проводимости CdS (O) на уровень рекомбинации E[SA]. Определена их спектральная зависимость от концентрации растворенного кислорода [O[S]]. Показано, что зеленое краевое свечение CdS аналогично SAL, однако в отличие от ZnS-ZnSe (O) не обнаруживает H-компоненту, попадающую в область фундаментального поглощения кристалла. Анализ состава SA- и SAL-центров в кристаллах CdS показал их соответствие ZnS (ZnSe). По экспериментальным данным представлены: положение локализованного уровня кислорода E[0], уменьшение ширины запрещенной зоны E[g] от [O[S]], зонная модель CdS (O). Работа дополняет аналогичные исследования, выполненные ранее для ZnS-ZnSe (O).

Доп.точки доступа:
Данилевич, Н. Д.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Импульсная фото- и катодолюминесценция кристаллов LiF, активированных оксидом вольфрама [Текст] / Л. А. Лисицына [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2012. - Т. 112, № 2. - С. 200-206 : граф. - Библиогр.: с. 206 (16 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- фотолюминесценция -- катодолюминесценция -- импульсная люминесценция -- импульсная спектроскопия -- оксид вольфрама -- ионизирующая радиация
Аннотация: Исследованы спектрально-кинетические характеристики активаторной фото- и катодолюминесценции кристаллов LiF-O и LiF-Wo[3] в спектральной области 3, 6-1, 6 эВ методами импульсной спектрометрии.

Доп.точки доступа:
Лисицына, Л. А.; Корепанов, В. И.; Абдрахметова, А. А.; Тимошенко, Н. Н.; Даулетбекова, А. К.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Двухвалентные ионы иттербия в оптической керамике из иттрий-алюминиевого граната и оксида иттрия [Текст] / В. И. Соломонов [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2014. - Т. 117, № 6. - С. 934-939 : диагр., табл. - Библиогр.: с. 939 (14 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
оптическая керамика -- иттербий -- ионы иттербия -- двухвалентные ионы -- гранат (химия) -- иттрий-алюминиевый гранат -- оксиды иттрия -- лазерная керамика -- катодолюминесценция -- импульсная катодолюминесценция -- парамагнитный резонанс -- электронный резонанс -- синтезированная керамика
Аннотация: Синтезирована лазерная керамика на основе иттрий-алюминиевого граната и оксида иттрия, активированных иттербием. Измерены и проанализированы их спектры пропускания, импульсной катодолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса при комнатной температуре образцов.

Доп.точки доступа:
Соломонов, В. И.; Орлов, А. Н.; Спирина, А. В.; Конев, С. Ф.; Чолах, С. О.; Лукьяшин, К. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Определение электрофизических параметров полупроводников по результатам измерений катодолюминесценции экситонов [Текст] / А. Н. Поляков [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 2. - С. 74-80 : 5 рис. - Библиогр.: с. 78-79 (16 назв. ) . - ISSN 1028-978X

УДК

^a537.311.33

^a535.37

ББК 22.379 + 22.345
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
катодолюминесценция -- экситон -- коэффициент диффузии -- диффузионная длина -- подвижность -- рассеяние -- нитрид галлия -- электрофизические параметры -- полупроводники
Аннотация: Показана возможность использования время-пролетных катодолюминесцентных измерений для оценки коэффициента диффузии, диффузионной длины и подвижности экситонов в прямозонных полупроводниковых материалах на примере нитрида галлия. На основе анализа температурной зависимости подвижности экситонов (5 - 300 К) сделаны предположения о механизмах рассеяния, действующих в исследуемых образцах. При низком ускоряющем напряжении (5 кВ) было обнаружено рассеяние экситонов на нейтральных примесях, на границе образца и на акустических фононах (пьезоэлектрический механизм).

Доп.точки доступа:
Поляков, А. Н.; Noltemeyer, M.; Christen, J.; Степович, М. А.; Туртин, Д. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 24.07.2024
Число запросов	120938
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)