Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Книги" (1)БД "Статьи" (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ионное травление<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC [Текст] / И. П. Смирнова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 684-687 : ил. - Библиогр.: с. 687 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
травление -- ионное травление -- гетероструктуры -- AlGaIn/GaN -- подложки -- квантовая эффективность -- фоторезисты -- тонкие фоторезисты -- полное внутреннее отражение -- ПВО -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- карбид кремния -- светодиоды -- флип-чип конструкции -- микрорельефы
Аннотация: Работа посвящена развитию метода создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%.


Доп.точки доступа:
Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Аракчеева, Е. М.; Павлюченко, А. С.; Закгейм, Д. А.; Кулагина, М. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


   
    Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок [Текст] / З. Свёнтек [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 3. - С. 110-113 : рис., табл. - Библиогр.: c. 113 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.379 + 22.37
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
дефектные структуры пленок -- ионное травление -- микрорамановская спектроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- нейтральные дефекты -- оптические свойства -- теллурид кадмия ртути -- электрофизические свойства -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ. Предполагается, что этими нейтральными дефектами являются нанокомплексы Те. При ионном травлении они активируются междоузельной ртутью и формируют донорные центры с концентрацией ~ 1017 см-3, что дает возможность обнаруживать эти дефекты с помощью измерений электрических параметров материала. При легировании CdHgTe мышьяком с высокотемпературным крекингом присутствующий в потоке мышьяка димер As2 блокирует образование нейтральных нанокомплексов Те с формированием донорных комплексов As2Te3. Результаты электрофизических исследований сравниваются с данными исследований, выполненных микрорамановской спектроскопией.


Доп.точки доступа:
Свёнтек, З.; Озга, П.; Ижнин, И. И.; Фицыч, Е. И.; Войцеховский, А. В.; Коротаев, А. Г.; Мынбаев, К. Д.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.; Бончик, А. Ю.; Савицкий, Г. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 06.09.2024
Число запросов 82461
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)