Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (25)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ионное облучение<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 961-965 : ил. - Библиогр.: с. 965 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- фотолюминесценция -- ФЛ -- нитрид кремния -- ионное облучение -- облучение ионами -- пиролитические пленки -- молекулярный азот -- аргон -- ионы аргона -- азот -- ионы азота -- электронные переходы -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: При 293 K исследовались фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс пиролитических пленок нитрида кремния, облученных ионами аргона или молекулярными ионами азота и отожженных при температурах 500-1100{o}C. Спектр поглощения свидетельствует о том, что широкая полоса фотолюминесценции в области 400-600 нм связана с электронными переходами между хвостами зон. Облучение ионами аргона с малыми дозами незначительно понижает интенсивность фотолюминесценции, а с большими дозами может после отжигов при 800-900{o}C усиливать ее более чем в 2 раза. Вместе с тем облучение ионами азота приводит к значительному, более чем на порядок, уменьшению интегральной интенсивности фотолюминесценции. Наблюдалась корреляция изменения интенсивности фотолюминесценции и амплитуды спектров электронного парамагнитного резонанса при отжигах пленок нитрида кремния.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Добычин, Н. А.; Карзанов, В. В.; Марычев, М. О.; Сдобняков, В. В.

Найти похожие

Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO[2] при облучении быстрыми тяжелыми ионам [Текст] / Г. А. Качурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 544-549 : ил. - Библиогр.: с. 548 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светоизлучающие наноструктуры -- наноструктуры -- ионы -- тяжелые ионы -- облучение ионами -- ионное облучение -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- электронная микроскопия -- нанокристаллы -- кремниевые нанокристаллы -- пассивация -- кремний -- ионизационные потери -- треки -- дефектообразование -- ксенон -- Xe
Аннотация: Слои SiO[2] с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3x10{12}-10{14} см{-2}. После 3x10{12} см{-2} электронная микроскопия выявила ~10{12} см{-2} выделений размерами 3-4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660-680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500 гр. C полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660-680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование.

Доп.точки доступа:
Качурин, Г. А.; Черкова, С. Г.; Скуратов, С. А.; Марин, Д. В.; Черков, А. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Микростуктура титанового сплава Ti - 5 Al - 4 V - 2 Zr в исходном состоянии и после облучения ионами титана [Текст] / С. В. Рогожкин [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 12. - С. 5-15 : 7 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 11-12 (21 назв. ) . - ISSN 1028-978X

УДК

^a669.7/.8

^a621.039.5

ББК 34.23/25 + 31.46
Рубрики: Технология металлов
   Металловедение цветных металлов и сплавов
   Энергетика
   Ядерные реакторы
Кл.слова (ненормированные):
титановые сплавы -- ионное облучение -- радиационно-индуцированные дефекты -- распад твердого раствора -- микростуктура
Аннотация: Исследована микроструктура и проведен анализ химического состава фаз и включений в образцах титановых сплавов Ti - 5 Al - 4 V - 2 Zr в исходном состоянии, после облучения ионами титана до дозы радиационного повреждения ~ 1 смещения на атом (сна) при температуре 260 °С. Микроструктурные исследования выполнены методами просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и атомно-зондовой томографии. Представлены результаты элементного анализа зерен матричной альфа-фазы и включений бета-фазы. Показано, что в исходном состоянии в сплаве Ti - 5 Al - 4 V - 2 Zr альфа-фаза обогащена до 10 ат. % Al, а бета-фаза до 20 ат. % V. Облучение тяжелыми ионами приводит к формированию дислокационных петель размерами от 3 до 12 нм и плотностью ~ 1022 м{-3}. При облучении в альфа-фазе сплава образуется высокая плотность (до 1024 м{-3}) наноразмерных ванадиевых предвыделений, средний размер которых составляет ~ 2 нм.

Доп.точки доступа:
Рогожкин, С. В.; Никитин, А. А.; Орлов, Н. Н.; Кулевой, Т. В.; Федин, П. А.; Корчуганова, О. А.; Козодаев, М. А.; Васильев, А. Л.; Орехов, А. С.; Колобылина, Н. Н.; Леонов, В. П.; Счастливая, И. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Комаров, Ф. Ф.
Нано- и микроструктурирование твердых тел быстрыми тяжелыми ионами [Текст] / Ф. Ф. Комаров // Успехи физических наук. - 2017. - Т. 187, № 5. - С. 465-504 : 18 рис. - Библиогр.: с. 501-504 (460 назв.) . - ISSN 0042-1294

УДК

^a533.9

^a539.2

ББК 22.333 + 22.37
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
твердые тела -- наноструктуры -- наноструктурирование твердых тел -- микроструктурирование твердых тел -- быстрые тяжелые ионы -- ионное облучение -- треки -- ионные треки -- трекообразование -- модели трекообразования -- химическое травление -- трековые шаблоны -- наноэлектроника
Аннотация: Приведен анализ современного состояния исследований процессов и механизмов трекообразования при облучении материалов быстрыми ионами. Показано, что природа и морфология треков зависит от типа и структуры материала и от уровня плотности энергии, выделенной в их электронную подсистему; облучение быстрыми тяжелыми ионами позволяет синтезировать нанокластеры и нанопроволоки, изменять их морфологию контролируемым образом, а также управлять электронными, магнитными и оптическими свойствами твердотельных материалов; уникальные оптические, фотоэлектрические и проводящие свойства треков могут быть использованы для создания нового поколения электронных и оптоэлектронных наноразмерных приборов; как низкоразмерные объекты, треки проявляют квантовое поведение в отношении этих свойств.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности повреждения свободных поверхностей ОЦК-железа при ионном облучении [Текст] / А. В. Корчуганов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 146-149 : рис. - Библиогр.: c. 149 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомные смещения -- дислокационные петли -- ионное облучение -- ионы железа -- каскады атомных смещений -- кристаллографическая ориентация поверхности -- молекулярная динамика -- точечные дефекты -- ударные волны
Аннотация: На основе метода молекулярной динамики изучено влияние кристаллографической ориентации облучаемой поверхности на особенности развития каскадов атомных смещений в ОЦК-железе. Энергия каскадов атомных смещений варьировалась от 1 до 20 кэВ. При облучении поверхности (111) в материале формируются кратеры, а в случае поверхности (110) образуются дислокационные петли вакансионного типа с вектором Бюргерса а <100> или a /2<111>. Формирование кратера или дислокационной петли связано с анизотропным характером распространения ударных волн, генерируемых каскадами атомных смещений. При малых энергиях каскадов количество выживших точечных дефектов вблизи поверхности (110) больше, чем вблизи поверхности (111). При повышении энергии каскадов атомных смещений влияние ориентации свободной поверхности на количество выживших дефектов уменьшается.

Доп.точки доступа:
Корчуганов, А. В.; Зольников, К. П.; Крыжевич, Д. С.; Псахье, С. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Воздействие ионного облучения на процесс нанокристаллизации и изменение рельефа поверхности ленты сплава Fe[72.5]Cu[1]Nb[2]Mo[1.5]Si[14]B[9] [Текст] / И. Ю. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 157-165 : рис., табл. - Библиогр.: c. 164-165 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- ионное облучение -- кристаллизации аморфного сплава -- магнитомягкие сплавы -- нанокристаллическая структура -- наноструктурированные материалы -- обработка материалов -- рентгеновская дифракция
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследован процесс кристаллизации аморфного сплава Fe[72. 5]Cu[1]Nb[2]Mo[1. 5]Si[14]B[9] под воздействием ускоренных ионов Ar+. Установлено, что облучение ионами Ar{+} с энергией 30 кэВ при плотности ионного тока 300 мкА/см{2} (флюенс 3. 75·10{15} см{-2}; время облучения ~ 2 с; кратковременный нагрев ионным пучком до 350 °С, что на 150 °С ниже термического порога кристаллизации) приводит к полной кристаллизации аморфного сплава (во всем объеме ленты толщиной 25 мкм) с выделением кристаллов твердого раствора альфа-Fe (Si), близкого по составу к Fe[80]Si[20], стабильной фазы Fe[3]Si и метастабильных гексагональных фаз. Методами атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии показано, что вызванная облучением нанокристаллизация сопровождается изменением рельефа как с облученной, так и с необлученной сторон ленты сплава Fe[72. 5]Cu[1]Nb[2]Mo[1. 5]Si[14]B[9] на глубине, превышающей на фактор более чем 10{3} глубину физического проникновения ионов в данный материал. Полученные данные, с учетом существенного снижения температуры и многократного ускорения процесса кристаллизации, являются доказательством радиационно-динамического воздействия ускоренных ионов на метастабильную аморфную среду.

Доп.точки доступа:
Романов, И. Ю.; Гущина, Н. В.; Овчинников, В. В.; Махинько, Ф. Ф.; Степанов, А. В.; Медведев, А. И.; Стародубцев, Ю. Н.; Белозеров, В. Я.; Логинов, Б. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Алмазная дифракционная решетка, сформированная ионной имплантацией [Текст] / А. Л. Степанов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 8. - С. 1153-1157. - Библиогр.: c. 1157 (22 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a535.42

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
алмазы -- графитизация -- дифракционные решетки -- имплантация ионами бора -- ионное облучение
Аннотация: Показан принципиально новый способ создания дифракционной решетки на поверхности алмаза при его имплантации ионами бора через наложенную маску. Установлено, что в процессе ионного облучения в немаскированных областях имплантируемого алмаза в его приповерхностной области происходит графитизация, приводящая к распуханию поверхностного слоя и формированию фазовой периодической структуры.

Доп.точки доступа:
Степанов, А. Л.; Нуждин, В. И.; Галяутдинов, М. Ф.; Валеев, В. Ф.; Курбатова, Н. В.; Воробьев, В. В.; Осин, Ю. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

О независимости температуры термических пиков в чистых металлах от энергии и атомной массы имплантируемых ионов [Текст] / В. В. Овчинников, К. В. Шаломов, Е. В. Макаров [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 10. - С. 88-94. - Библиогр.: с. 94 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a537.533/.534

ББК 22.37 + 22.338
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
ионное облучение -- каскады атомных смещений -- металлы -- свечение конденсированных сред -- термические пики -- чистые металлы
Аннотация: Спектры оптической эмиссии чистых металлов Fe, Zr, Ta и W измерялись в процессе облучения ионами Ar+, Kr+ и Xe+ (5, 10, 15 и 20 кэВ). Установлено, что энергия и тип иона в указанном диапазоне энергий не оказывают заметного влияния на профиль спектров тепловой эмиссии этих мишеней и соответственно на температуру термических пиков, образующихся в зонах прохождения плотных каскадов атомных смещений. Показано, что постоянный температурный режим термических пиков ( T = const) реализуется, когда средний радиус R каскадной области пропорционален корню квадратному из энергии падающего иона ( R~) и выделение основной части тепловой энергии происходит на периферии каскада, имеющей фиксированную протяженность. В результате энергия на атом среды, выделяемая в этой области, не меняется с изменением энергии иона и радиуса каскада. Наряду с этим показано, что температура термических пиков для всех типов ионов существенно зависит от материала мишени.

Доп.точки доступа:
Овчинников, В. В.; Шаломов, К. В.; Макаров, Е. В.; Соломонов, В. И.; Чолах, С. О.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	8555
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)