Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ионное легирование<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Перинская, И. В.
Аппаратурное оформление имплантации ионов аргона и протонов в технологических применениях [Текст] / И. В. Перинская, В. Н. Лясников, В. В. Перинский // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2008. - N 36. - С. 53-56 : ил. - Библиогр.: с. 56 (1 назв. ) . - ISSN 1999-8341

УДК

^a544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- спектры источника -- имплантация ионов -- ионы аргона -- протоны -- аппаратурное оформление -- технологические процессы
Аннотация: Изучены спектры ионного источника установки ионного легирования при различных вытягивающих напряжениях и токе масс-сепаратора. Уточнено, что использование полученных спектров ионного источника позволяет быть уверенным в практически полном исключении возможности попадания ионов отличных масс.

Доп.точки доступа:
Лясников, В. Н.; Перинский, В. В.

Найти похожие

Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p{+}-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием [Текст] / Е. В. Калинина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 807-816. : ил. - Библиогр.: с. 815-816 (55 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
имплантация ионов -- эпитаксиальные слои -- химическое осаждение -- метод химического осаждения -- быстрый термический отжиг -- БТО -- термоотжиг -- ионное легирование -- ИЛ -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг -- p-n переходы -- 4H-SiC -- выпрямители -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- алюминий
Аннотация: Сочетание высокодозовой (5x10{16} см{-2}) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750{o}C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500{o}C.

Доп.точки доступа:
Калинина, Е. В.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р.; Стрельчук, А. М.; Виолина, Г. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Шауцуков, А. Г.
Применение прцессов ионного легирования в технологии двухпролетных лавинопролетных диодов с плоским и ступенчатым профилем легирования [Текст] / А. Г. Шауцуков, Х. М. Хатукаев // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 9. - С. 13-16. . - Библиогр.: с. 16 (5 назв. )

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
двухпролетный лавинопролетный диод -- ионное легирование -- метод эпитаксиального наращивания -- ионнолегированные слои
Аннотация: Рассмотрена возможность получения структур кремниевых двухпролетных лавинопролетных диодов (ЛПД) с использованием процессов эпитаксиального наращивания в реакторе пониженного давления, многократного ионного легирования, имплантации легирующей примеси через пленки и фотонного отжига ионнолегированных слоев.

Доп.точки доступа:
Хатукаев, Х. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Журавский, Дмитрий Валерьевич.
Исследование наноморфологии поверхности стали 40Х13, подвергнутой ионному легированию методами атомно-силовой микроскопии [Текст] / Дмитрий Валерьевич Журавский, Геннадий Павлович Ласкин // Вестник Тюменского государственного университета. - 2010. - N 6. - С. 60-63. : ил. - Библиогр.: с. 63 (1 назв. )

УДК

^a553.98

^a539.2

ББК 26.325.4 + 22.37
Рубрики: Геология
   Нефть и газы
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- ионная имплантация -- ионно-плазменная имплантация -- ионное легирование -- трубопроводы -- коррозия трубопроводов -- пучково-плазменные методы -- сталь -- трубная сталь -- кристаллиты
Аннотация: Рассмотрены результаты исследования поверхности и приповерхностного слоя стали 40Х13, модифицированной ионно-плазменной имплантацией, методами атомно-силовой микроскопии.

Доп.точки доступа:
Ласкин, Геннадий Павлович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ласкин, Геннадий Павлович.
Моделирование процесса ионно-плазменного легирования [Текст] / Геннадий Павлович Ласкин, Антон Павлович Кузнецов // Вестник Тюменского государственного университета. - 2010. - N 6. - С. 64-67. : ил. - Библиогр.: с. 67 (5 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
ионно-плазменное легирование -- ионное легирование -- ионная имплантация -- пучково-плазменные методы -- модель Линдхарда -- Линдхарда модель -- модель Бете -- Бете модель -- коррозийная стойкость
Аннотация: Рассмотрено моделирование процесса внедрения ионного пучка в металлы.

Доп.точки доступа:
Кузнецов, Антон Павлович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	32638
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)