Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=интерметаллические полупроводники<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника n-ZrNiSn. Акцепторная примесь Fe [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 297-303

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
интерметаллические полупроводники -- легирующие примеси -- кристаллическая структура полупроводника -- примесные атомы
Аннотация: Исследованы структурные, энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного примесью Fe (концентрации N[Fe] ? 9. 5 •10\{19\}-3. 8 •10\{21\} см\{-3\}) в температурном диапазоне T=80-380 K. Показано, что атомы Fe одновременно занимают кристаллографические позиции атомов Zr и Ni в разных соотношениях, являясь дефектами донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

Доп.точки доступа:
Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Ромака, Л. П.; Горынь, А. М.; Гореленко, Ю. К.; Доминюк, Т. И.

Найти похожие

Особенности механизмов генерации и "залечивания" структурных дефектов в сильно легированном интерметаллическом полупроводнике n-ZrNiSn [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1157-1164 : ил. - Библиогр.: с. 1164 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- n-ZrNiSn -- интерметаллические полупроводники -- легированные полупроводники -- сильно легированные полупроводники -- компенсированные полупроводники -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- дефекты -- структурные дефекты -- структурные характеристики -- энергетические характеристики -- электрокинетические характеристики -- генерация -- механизмы генерации -- акцепторная примесь -- концентрация примеси -- амплитуда -- амплитудные флуктуации -- флуктуации -- крупномасштабные флуктуации
Аннотация: Исследованы структурные, энергетические и электрокинетические характеристики интерметаллического полупроводника ZrNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y (N{y}[a] ~ 3. 8 x 10{20}-4. 8 x 10{21}21 см{-3}) в температурном диапазоне Т = 80-380 К. Установлена зависимость между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

Доп.точки доступа:
Ромака, В. А.; Hlil, E. K.; Сколоздра, Я. В.; Rogl, P.; Стаднык, Ю. В.; Ромака, Л. П.; Горынь, А. М.

Найти похожие

Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1165-1171 : ил. - Библиогр.: с. 1170-1171 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- n-TiNiSn -- легирование -- примеси -- Co -- генерация -- дефекты -- дефекты донорной природы -- дефекты акцепторной природы -- удельное сопротивление -- коэффициент термоэдс -- структурные характеристики -- электрокинетические характеристики -- энергетические характеристики -- плотность электронных состояний -- DOS -- амплитуда флуктуации -- флуктуации -- крупномасштабные флуктуации -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- легированные полупроводники -- компенсированные полупроводники -- кобальт
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Со (концентрации Со N{Co} ~9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21}см{-3}), в температурном диапазоне 80-380К. Показано, что в TiNi[1-x]Co[x]Sn с x < 0. 03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

Доп.точки доступа:
Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Доминюк, Т. И.; Ромака, Л. П.; Rogl, P.; Горынь, А. М.

Найти похожие

Кислицына, А. Д.
Создание светодиодов и лазеров: вклад российских ученых [Текст] / Кислицына А. Д., Морозова А. Ю. // Актуальные проблемы современной науки. - 2012. - № 4. - С. 130-131 . - ISSN 1680-2721

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- лазеры -- оптоэлектроника -- полупроводники -- кристаллические детекторы -- радиоволны -- изоморфизм -- синтез веществ -- калибровка счетчиков -- интерметаллические полупроводники
Аннотация: История создания лазеров и светодиодов как основы оптоэлектроники.

Доп.точки доступа:
Морозова, А. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 09.07.2024
Число запросов	28094
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)