Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (3)

БД "Статьи" (36)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=инжекция<.>)

Общее количество найденных документов : 38
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-38

Грушко, Наталия Сергеевна.
Определение механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик [Текст] / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. И. Сомов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 2. - С. 35-40. - Библиогр.: с. 40 (10 назв. )

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- вольтамперные характеристики -- токопереносы -- температурная зависимость -- вольтамперные характеристики -- p-n-переходы -- инжекция -- анализ
Аннотация: Предложен метод определения механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик при низком уровне инжекции.

Доп.точки доступа:
Лакалин, Александр Вячеславович; Сомов, Андрей Ильич

Найти похожие

Бородовский, П. А.
Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 329-311

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны
Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения.

Доп.точки доступа:
Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В.

Найти похожие

Николаева, С. В. (канд. техн. наук; доц.).
Получение эмульсии методом инжекции пара в дисперсионную жидкую среду [Текст] / Николаева С. В., Линник А. Ю. // Актуальные проблемы современной науки. - 2008. - N 3. - С. 299. - Библиогр.: с. 299 (1 назв. ) . - ISSN 1680-2721

УДК

^a544.77

ББК 24.66
Рубрики: Химия
Грубодисперсные системы
Кл.слова (ненормированные):
эмульсии -- инжекция пара -- пар -- дисперсионная жидкая среда -- жидкая среда -- конденсация пузырей пара -- статическое давление
Аннотация: Способ получения эмульсии методом конденсации пузырей пара дисперсной фазы в жидкости.

Доп.точки доступа:
Линник, А. Ю.

Найти похожие

Инжекция дырок в органические молекулярные твердые тела [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 862-868. - Библиогр.: с. 868 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
инжекция дырок -- органические молекулярные твердые тела -- инжекционный ток -- туннелированный переход -- инжекция носителей -- дырки
Аннотация: Предложена модель для описания инжекции носителей (дырок) из металла в органические молекулярные твердые тела. Показано, что полный инжекционный ток ограничен процессом туннелирования между уровнями молекулы и состояниями в металле. Детально исследована роль фононов при туннельном переходе и оценен вклад от таких переходов в полный инжекционный ток в широком интервале температур.

Доп.точки доступа:
Аверкиев, Н. С.; Сударь, Н. Т.; Закревский, В. А.; Рожанский, И. В.

Найти похожие

Никитенко, В. Р.
Метастабильные электронно-дырочные пары в органических наноструктурах [Текст] / В. Р. Никитенко, А. В. Тамеев, А. В. Ванников // Нанотехнологии. - 2009. - N 3. - С. 29-33

УДК

^a544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
электронно-дырочные пары -- органические наноструктуры -- низкопроводящие полимеры -- биполярная инжекция -- электропроводность -- органические кристаллы
Аннотация: Исследованы метастабильные электронно-дырочные пары в органических наноструктурах.

Доп.точки доступа:
Тамеев, А. В.; Ванников, А. В.

Найти похожие

Новиков, С. В.
Транспорт и инжекция носителей заряда в органических стеклах [Текст] / С. В. Новиков // Нанотехнологии. - 2009. - N 3. - С. 76-81

УДК

^a621.315.55/.58

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярные стекла -- стекла -- органические материалы -- транспорт -- инжекция -- заряд
Аннотация: Использование молекулярного стекла в органической электронике.

Найти похожие

Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором [Текст] / Ю. А. Астров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 739-744 : ил. - Библиогр.: с. 744 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
селен -- сера -- кремний -- примеси -- глубокие примеси -- легирование -- фосфор -- диффузия -- инжекция
Аннотация: Исследуется воздействие кратковременного высокотемпературного прогрева на образцы Si : Se и Si : S, поверхностные слои которых легированы фосфором с высокой концентрацией. Обнаружено существенное увеличение удельного сопротивления объема пластин вплоть до глубин ~10 мкм. Экспериментальные данные свидетельствуют, что эффект обусловлен ускоренной диффузией халькогена в присутствии легированной фосфором приповерхностной области. В основе явления лежит инжекция неравновесных межузельных атомов кремния из сильно легированного фосфором слоя в объем образца. Это ведет к смещению равновесия между концентрациями узельных и межузельных положений примеси (в сторону роста последней) и, как следствие, к увеличению доли быстродиффундирующей межузельной компоненты примеси.

Доп.точки доступа:
Астров, Ю. А.; Козлов, В. А.; Лодыгин, А. Н.; Порцель, Л. М.; Шуман, В. Б.; Gurevich, E. L.; Hergenroder, R.

Найти похожие

Горбатюк, А. В.
Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры
Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}.

Доп.точки доступа:
Серков, Ф. Б.

Найти похожие

Джалилов, Н. З.
Инжекционные токи в аморфных твердых растворах системы Se-S [Текст] / Н. З. Джалилов, Г. М. Дамиров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1521-1525 : ил. - Библиогр.: с. 1524-1525 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- аморфные твердые растворы -- Se[1-x]S[x] -- селен-сера -- инжекционные токи -- монополярная инжекция -- ток ограниченный пространственными зарядами -- ТОПЗ -- халькогенидные полупроводники -- ХСП -- ловушки -- ловушечный квадратичный закон -- ЛКЗ -- селен -- заряды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- дефекты -- сера
Аннотация: В результате проведенных исследований вольт-амперных характеристик аморфных пленочных образцов системы Se[1-x]S[x] (x=0, 0. 05, 0. 1, 0. 2, 0. 3, 0. 4, 0. 5) установлено, что перенос носителей заряда в исследованных образцах осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственными зарядами при участии двух групп ловушек захвата: мелких (E[t1]), соответствующих заряженным собственным дефектам C[1]{-}, обусловленных оборванными связями в селене; глубоких E[t2], соответствующих также заряженным собственным дефектам C[3]{+} в селене. Показано, что изменение состава системы Se-S сильно влияет как на механизм транспорта зарядов, так и на параметры ловушек - на их энергетические положения и концентрации.

Доп.точки доступа:
Дамиров, Г. М.

Найти похожие

10.

Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность
Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции.

Доп.точки доступа:
Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-38

Тематический навигатор

Статистика за 19.08.2024
Число запросов	49049
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)