Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (32)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=индий<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-22

Определение состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]Sb рентгенодифрактометрическим методом [Текст] / Ю. Н. Пархоменко [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 1. - С. 29-31 . - ISSN 1028-6861

УДК

^a539.26

^a544.22

ББК 22.361 + 24.52
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Химия
   Химия твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
определение состава твердых растворов -- твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]Sb -- рентгенодифрактометрический метод -- индий -- галлий -- сурьма -- эпитаксиальные структуры -- рентгеновский дифрактометрический метод -- дифрактометрический метод -- методы контроля состава твердых растворов -- контроль состава твердых растворов -- растворы-расплавы
Аннотация: Описана методика определения состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]Sb рентгенодифрактометрическим методом.

Доп.точки доступа:
Пархоменко, Ю. Н.; Шленский, А. А.; Павлов, В. Ф.; Шепекина, Г. В.; Югова, Т. Г.

Найти похожие

Молодец, А. М.
Теплопроводность индия при высоких давлениях и температурах ударного сжатия [Текст] / А. М. Молодец, А. А. Голышева // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 213-216. - Библиогр.: с. 216 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
теплопроводность -- индий -- ударное сжатие -- электропроводность -- ступенчатое ударное нагружение
Аннотация: Представлены результаты по электропроводности и теплопроводности индия в диапазоне давления до 27 GPa и температур до 1000 K. В этом диапазоне давлений измерено электросопротивление образцов индия при ступенчатом ударном сжатии. Построено уравнение состояния индия, с помощью которого рассчитана эволюция его термодинамических параметров в проведенных ударно-волновых экспериментах и затем определены зависимости удельного электросопротивления и коэффициента теплопроводности индия от объема и температуры. Показано, что в исследованном диапазоне давлений и температур коэффициент теплопроводности индия не зависит от температуры, а его трехкратное увеличение обусловлено лишь изменением объема при сжатии.

Доп.точки доступа:
Голышев, А. А.

Найти похожие

Шеховцов, Н. А.
Зависимость емкости германиевых p\{+\}-p-переходов от тока в области температур 290-330 K [Текст] / Н. А. Шеховцов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 456-459

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
детекторы СВЧ-излучения -- носители заряда -- микроэлектронные схемы -- полупроводниковые приборы -- никель -- индий
Аннотация: Исследована зависимость дифференциальной емкости от тока германиевых p\{+\}-p-переходов с удельным сопротивлением p-области 45, 30 и 10 Ом х см в области температур 290-350 K. Показано, что характер зависимости емкости p\{+\}-p-перехода от тока изменяется при увеличении температуры перехода. При температуре 290 K емкость с ростом обратного тока уменьшается и изменяет знак с положительного на отрицательный, а с ростом прямого тока увеличивается. При температуре 330 K емкость с ростом обратного тока уменьшается до минимума с положительным значением, а с ростом прямого тока изменяет знак на отрицательный. При температуре 310 K емкость p\{+\}-p-перехода может изменять знак с положительного на отрицательный с ростом прямого и обратного тока. Полагается, что положительная и отрицательная емкость p\{+\}-p-перехода обусловлена изменением заряда в области перехода внешним напряжением.

Найти похожие

Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/ (Al) GaN для светодиодов зеленого диапазона [Текст] / А. В. Сахаров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 841-846 : ил. - Библиогр.: с. 845-846 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- светодиоды зеленого диапазона -- зеленые светодиоды -- гетероструктуры -- слои -- релаксация напряжений (физика) -- индий -- квантовые ямы -- длина волны -- излучения -- InGaN -- (Al) GaN -- GaN
Аннотация: Исследованы процессы формирования активных областей для зеленых светодиодов на основе многослойных напряженных наногетероструктур InGaN/GaN. Показано, что на формирование таких структур существенное влияние оказывает релаксация упругих напряжений, приводящая к повышению встраивания индия в слои InGaN. Для структур, излучающих в синем спектральном диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 10 не приводит к релаксации напряжений и сдвигу длины волны излучения, в то время как для структур, излучающих в зеленом диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 5 приводит к монотонному увеличению длины волны излучения.

Доп.точки доступа:
Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Усов, С. О.; Сизов, В. С.; Михайловский, Г. А.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M.; Hue, F.; Яковлев, Е. В.; Лобанова, А. В.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

Массоперенос индия в структуре In-CdTe при наносекундном лазерном облучении [Текст] / В. П. Велещук [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 439-445. - Библиогр.: с. 445 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
массоперенос индия -- индий -- лазерное облучение -- наносекундное лазерное облучение -- высокоомные кристаллы -- твердофазное легирование
Аннотация: Исследованы и проанализированы особенности массопереноса индия в высокоомных кристаллах CdTe при наносекундном облучении структуры In-CdTe импульсами лазера. Определены коэффициенты массопереноса и оценена средняя скорость перемещения атомов In в CdTe при облучении. Предполагается, что концентрационная диффузия In в CdTe и перенос атомов примеси фронтом лазерно-индуцированной ударной волны не являются доминирующими механизмами массопереноса при динамическом легировании. Наиболее вероятным процессом, обеспечивающим образование инверсного слоя в поверхностной области кристалла CdTe при наносекундном лазерном облучении со стороны пленки In, является перемещение междоузельных атомов In вследствие термофлуктуационных перескоков под действием движущей силы термоупругих напряжений и градиента температуры.

Доп.точки доступа:
Велещук, В. П.; Байдуллаева, А.; Власенко, А. И.; Гнатюк, В. А.; Даулетмуратов, Б. К.; Левицкий, С. Н.; Ляшенко, О. В.; Aoki, T.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Сапожников, К. В.
Температурная зависимость внутреннего трения поликристаллического индия [Текст] / К. В. Сапожников, С. Н. Голяндин, С. Б. Кустов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 12. - С. 2341-2348. . - Библиогр.: с. 2348 (26 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллический индий -- температурная зависимость -- внутреннее трение
Аннотация: Температурная зависимость внутреннего трения и модуля упругости поликристаллического индия исследована в диапазоне температур 7-320 K при частотах колебательного нагружения около 100 kHz. Исследовано влияние температуры на амплитудную зависимость, а также высокоамплитудного нагружения при 7 K на температурную и амплитудную зависимости внутреннего трения индия. Показано, что термоциклирование приводит к микропластическому деформированию индия вследствие анизотропии теплового расширения и появлению " рекристаллизационного" максимума в спектре амплитудно-зависимого внутреннего трения. Сделан вывод, что объемная диффузия вакансий и примесей начинается при температурах около 90 K, а при более низких температурах диффузия происходит вблизи дислокаций. Обнаружено, что высокотемпературный фонд внутреннего трения становится заметным при растворении атмосфер Коттрелла.

Доп.точки доступа:
Голяндин, С. Н.; Кустов, С. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ларина, Наталья Владимировна.
Электроосаждение тонких пленок индия и серебра с нанокристаллической структурой [Текст] / Наталья Владимировна Ларина, Вячеслав Иванович Баканов, Эльвира Талхатовна Телегина // Вестник Тюменского государственного университета. - 2010. - N 3. - С. 243-249. : табл., ил. - Библиогр.: с. 249 (7 назв. )

УДК

^a544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
электрохимическое выделение -- электрохимическая кристаллизация -- электрокристаллизация -- электроосаждение -- тонкодисперсные осадки -- тонкодисперсные системы -- тонкие пленки -- морфология поверхности -- нанокристаллическая структура -- In -- индий -- Ag -- серебро
Аннотация: Изучение характера взаимодействия элементов в тонкодисперсной системе.

Доп.точки доступа:
Баканов, Вячеслав Иванович; Телегина, Эльвира Талхатовна
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС [Текст] / Е. А. Чернышева [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 32-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
нитриды -- нитриды III группы -- диоды -- светоизлучающие диоды -- оптические свойства -- давление -- эпитаксия -- металлорганические соединения -- индий -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ МОС
Аннотация: Исследовано влияние давления в реакторе на оптические свойства InGaN при их выращивании методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что изменение указанного давления приводит как к модификации вхождения индия, так и к существенному изменению оптических свойств структур.Influence of reactor pressure during MOVPE growth on optical properties of InGaN heterostructures has been studied. It was found that reactor pressure influences not only indium incorporation, but also strongly modifies optical properties of structures.

Доп.точки доступа:
Чернышева, Екатерина Андреевна; Сахаров, Алексей Валентинович; Черкашин, Николай Анатольевич; Лундин, Всеволод Владимирович; Цацульников, Андрей Федорович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследователи Empa устанавливают новый рекорд по эффективности тонкопленочных гибких солнечных батарей [Текст] // Альтернативная энергетика и экология. - 2013. - № 3 (121), ч. 1. - С. 219 : фот. . - ISSN 1608-8298

УДК

^a620.91:662.97

^a544.6

ББК 31.63 + 24.57
Рубрики: Энергетика
   Гелиоэнергетика
   Химия
   Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
солнечные батареи -- тонкопленочные батареи -- диселенид галлия -- индий -- медь -- CIGS -- фотогальванические элементы -- гибкие фотоэлементы
Аннотация: Рекорд эффективности преобразования солнечного света в электрическую энергию с помощью тонкопленочных гибких солнечных батарей на основе соединений диселенида галлия, индия и меди.

Доп.точки доступа:
Айодхья, Н. Тивари; Empa Laboratory for Thin Film and PhotovoltaicsФедеральная лаборатория технологий и материаловедения; Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology; Национальный научный фонд; SNSF; Комиссия по технологиям и инновациям; CTI; Федеральное управление энергетики; SFOE; Европейская комиссия; "Flisom", компания; Компания "Flisom"
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs [Текст] / А. А. Мармалюк [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 40-43 : рис. - Библиогр.: c. 43 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.32

ББК 31.294
Рубрики: Энергетика
Электрическое освещение. Светотехника
Кл.слова (ненормированные):
алюминий-галлий-индий-фосфор -- квантовая яма -- красная область спектра -- красные светодиоды -- металлорганическая эпитаксия -- светодиодные структуры -- светодиоды AlGaInP -- спектры электролюминесценции "красных" светодиодов
Аннотация: Представлены результаты исследований спектров электролюминесценции «красных» светодиодных структур AlGalnP/GaAs, выращенных с использованием технологии МОСГФЭ. Выявлена высокая однородность состава твердого раствора в квантовых ямах GaInP исследованных структур.

Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.; Горлачук, П. В.; Рябоштан, Ю. Л.; Брудный, В. Н.; Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Леликов, М. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-22

Тематический навигатор

Статистика за 01.07.2024
Число запросов	42891
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)