Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (3)

БД "Статьи" (69)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=имплантация<.>)

Общее количество найденных документов : 91
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Хомич, А. В.
Радиационное повреждение в алмазах при имплантации гелия [Текст] / А. В. Хомич [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1585-1589. - Библиогр.: с. 1589 (20 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
алмазы -- алмазы, имплантированные ионами гелия -- ионная имплантация -- процесс графитизации алмаза -- радиационное повреждение -- радиационно-стимулированный отжиг дефектов -- спектры оптического пропускания алмазов
Аннотация: Методами оптической спектроскопии и измерения объемного "вспухания" исследованы радиационное повреждение и процесс графитизации алмаза, имплантированного ионами гелия при температурах от 77 до 373 K. Установлено, что с ростом температуры имплантации уменьшается радиационное повреждение, что объясняется радиационно-стимулированным отжигом дефектов в процессе повреждения. Показано, что результат формирования графитизированного слоя определяется не дозой имплантации, а уровнем радиационного повреждения. Установлено, что чем ниже температура имплантации, тем при меньших температурах отжига формируется графитизированный слой. Продемонстрировано, что процессы отжига радиационных дефектов и формирования графитизированного слоя в алмазе продолжаются вплоть до температуры 1600 градусов Цельсия.

Доп.точки доступа:
Хмельницкий, Р. А.; Дравин, В. А.; Гиппиус, А. А.; Заведеев, Е. В.; Власов, И. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Барабан, Александр Петрович.
Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO[2], подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / А. П. Барабан, Ю. В. Петров // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 18-22. - Библиогр.: с. 22 (9 назв. )

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- имплантация -- ионная имплантация -- кремний -- углерод -- отжиг -- заряды -- карбид кремния
Аннотация: Исследована электролюминесценция структур, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу.

Доп.точки доступа:
Петров, Юрий Владимирович

Найти похожие

Рентгеновская рефлектометрия кремния, имплантированного фтором [Текст] / Н. Н. Герасименко [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 70-72. - Библиогр.: с. 72 (5 назв. )

УДК

^a620.1/.2

^a546

ББК 30.3 + 24.1
Рубрики: Техника
   Материаловедение
   Химия
   Неорганическая химия
Кл.слова (ненормированные):
рефлектометрия -- ионная имплантация -- рентгеновская рефлектометрия -- кремний -- имплантированные слои -- фтор -- нарушенные слои -- соударения -- упругие соударения
Аннотация: Рассмотрены возможности новой модификации рентгеновского рефлектометра, основанного на использовании двухволновой измерительной схемы.

Доп.точки доступа:
Герасименко, Николай Николаевич; Апрелов, Сергей Аркадьевич; Турьянский, Александр Георгиевич; Тарасенков, Алексей Николаевич; Калинин, Сергей Викторович; Пиршин, Игорь Владимирович

Найти похожие

Иваева, Э. А.
Проблемы правового статуса субъектов отношений в сфере суррогатного материнства [Текст] / Э. А. Иваева // Современное право. - 2008. - N 1. - С. 82-84

УДК

^a351

ББК 67.401.12
Рубрики: Право
Управление социально-культурной сферой
Кл.слова (ненормированные):
суррогатное материнство -- суррогатные матери -- права родителей -- имплантация эмбриона -- медицинское право
Аннотация: Противоречивые моменты российского законодательства о суррогатном материнстве.

Найти похожие

Взаимодействие мощных импульсных потоков энергии с поверхностью вольфрама в установке Плазменный Фокус [Текст] / В. Н. Пименов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 5-14 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a539.1

^a533.9

ББК 22.38 + 22.333
Рубрики: Физика
Ядерная физика в целом
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
импульсные потоки -- дейтерий -- дейтериевая плазма -- термоядерные реакторы -- мощные энергетические потоки -- плазменное воздействие на материалы -- стойкость материалов -- поверхностные слои вольфрама -- имплантация ионов дейтерия
Аннотация: Изучено воздействие мощных нано- и микросекундных импульсных потоков ионов дейтерия и плотной дейтериевой плазмы на образцы спеченного вольфрама.

Доп.точки доступа:
Пименов, В. Н.; Масляев, С. А.; Демина, Е. В.; Ковтун, А. В.; Сасиновская, И. П.; Грибков, В. А.; Дубровский, А. В.

Найти похожие

Перинская, И. В.
Аппаратурное оформление имплантации ионов аргона и протонов в технологических применениях [Текст] / И. В. Перинская, В. Н. Лясников, В. В. Перинский // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2008. - N 36. - С. 53-56 : ил. - Библиогр.: с. 56 (1 назв. ) . - ISSN 1999-8341

УДК

^a544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
ионное легирование -- спектры источника -- имплантация ионов -- ионы аргона -- протоны -- аппаратурное оформление -- технологические процессы
Аннотация: Изучены спектры ионного источника установки ионного легирования при различных вытягивающих напряжениях и токе масс-сепаратора. Уточнено, что использование полученных спектров ионного источника позволяет быть уверенным в практически полном исключении возможности попадания ионов отличных масс.

Доп.точки доступа:
Лясников, В. Н.; Перинский, В. В.

Найти похожие

Кожеурова, О. Б.
Проблемы реализации субъективных прав участников репродуктивных правоотношений [Текст] / О. Б. Кожеурова // Право и государство: теория и практика. - 2009. - N 2. - С. 138-141. - Библиогр. в сносках

УДК

^a351

ББК 67.401.12
Рубрики: Право
Управление социально-культурной сферой
Кл.слова (ненормированные):
медицинское право -- репродуктивные правоотношения -- репродукция человека -- репродуктивные процессы человека -- правовое регулирование -- вспомогательные репродуктивные технологии -- приказы -- искусственное оплодотворение -- имплантация эмбриона -- суррогатное материнство -- субъективные права
Аннотация: Российское законодательство требует доработок и устранения коллизий и пробелов в области регулирования репродуктивных правоотношений.

Найти похожие

Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия
Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют.

Доп.точки доступа:
Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S.

Найти похожие

Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 627-629

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые пленки -- кристаллическое качество -- твердофазная рекристаллизация -- имплантация ионами кислорода -- паразитная емкость -- сапфировая подложка
Аннотация: Малодефектные кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с использованием процесса твердофазной рекристаллизации. Для оценки кристаллического качества структур кремний-на-сапфире применялась рентгеновская кривая качания. Значения ширины на половине высоты максимума интенсивности (FWHM) показывают, что после имплантации ионов кислорода (энергия 130 кэВ, доза 10\{15\} см\{-2\}) и последующего отжига (550 градусов C/0. 5 ч + 1000 градусов C/1 ч) образуется кремниевый слой толщиной d=1000-2500 ангстрем высокого кристаллического качества.

Доп.точки доступа:
Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю.

Найти похожие

10.

Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (11 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
имплантация -- кремний-на-сапфире -- высокотемпературный отжиг -- имплантация ионов водорода -- эпитаксиальный кремниевый слой -- ионы водорода -- метод двукристальной брегговской дифракции
Аннотация: Низкодефектные кремниевые пленки на сапфире получены с использованием имплантации водорода и последующей термической обработки. Метод двухкристальной брегговской дифракции показал, что ширина рентгеновской кривой качания (FWHM) уменьшилась на 40 %.

Доп.точки доступа:
Александров, П. А. (д-р физ. -мат. наук); Демаков, К. Д. (канд. техн. наук); Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	69886
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)