Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=запрещенные зоны<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

О природе глубоких акцепторных уровней в запрещенной зоне неотожженных образцов монокристаллов PbTe [Текст] / Г. А. Ахмедова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1456-1459 : ил. - Библиогр.: с. 1458-1459 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- PbTe -- глубокие акцепторные уровни -- энергия активации -- образцы -- неотожженные образцы -- запрещенные зоны -- дефекты -- макронапряжения -- отжиг
Аннотация: Установлено, что в образцах монокристаллов PbTe, отожженных при 473 и 673 K, отсутствуют акцепторные уровни с энергией активации ~0. 1 эВ, наблюдаемые в неотожженных образцах. Сделано заключение о том, что указанные уровни в неотожженных образцах были связаны с дефектами, вызванными макронапряжениями, и неоднородным распределением атомов сверхстехиометрического теллура вдоль слитка, возникающими в процессе выращивания кристаллов PbTe и залечивающимися при отжиге.

Доп.точки доступа:
Ахмедова, Г. А.; Багиева, Г. З.; Агаев, З. Ф.; Абдинов, Д. Ш.

Найти похожие

Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg[x]Zn[1-x]O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения [Текст] / А. А. Лотин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 260-264 : ил. - Библиогр.: с. 264 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- Mg[x]Zn[1-x]O -- эпитаксиальные пленки -- лазерно-плазменное осаждение -- метод лазерно-плазменного осаждения -- распыления -- керамические мишени -- подложки -- монокристаллические подложки -- оксид цинка -- кристаллические решетки -- магний -- Mg -- запрещенные зоны -- шероховатые поверхности
Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg[x]Zn[1-x]O, содержащие Mg в концентрациях x=0-0. 45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al[2]O[3] (00. 1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий x=0. 35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg[0. 35]Zn[0. 65]O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0. 78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0. 8-1. 5 нм в диапазоне x=0-0. 27.

Доп.точки доступа:
Лотин, А. А.; Новодворский, О. А.; Хайдуков, Е. В.; Рочева, В. В.; Храмова, О. Д.; Панченко, В. Я.; Венцель, К.; Трумпайска, Н.; Щербачев, К. Д.

Найти похожие

Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 x 0. 1) от условий выращивания [Текст] / Д. А. Пашкеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 891-896. : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (11 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- твердые растворы -- Pb[1-x]Eu[x]Te -- эпитаксиальные слои -- выращивание слоев -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- температура роста -- неоднородности -- запрещенные зоны
Аннотация: Изучались спектры фотолюминесценции твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) при низких температурах. Эпитаксиальные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. В спектрах помимо основной линии, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, с низкоэнергетической стороны наблюдались дополнительные линии излучения. На поверхности образцов (менее 1% от общей площади) обнаружены неоднородности, концентрация и размер (1-10 мкм), которых уменьшаются с увеличением температуры роста. Дополнительные линии излучения связываются с локальными неоднородностями в слое. Определена зависимость ширины запрещенной зоны Pb[1-x]Eu[x]Te (0< x <0. 1) от состава при 77. 4 K, которая является нелинейной и выражается соотношением E[g][эВ]=0. 213+4. 8x-18. 4x{2}.

Доп.точки доступа:
Пашкеев, Д. А.; Селиванов, Ю. Г.; Felder, F.; Засавицкий, И. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Остапов, С. Э.
Исследование основных зонных параметров HgMnZnTe [Текст] / С. Э. Остапов, В. М. Фрасуняк, В. В. Жихаревич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1027-1030. : ил. - Библиогр.: с. 1030 (10 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- HgMnZnTe -- запрещенные зоны -- параболическое приближение -- экспериментальные исследования -- теоретические исследования -- зонные параметры -- эмпирические формулы
Аннотация: Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования основных зонных параметров многокомпонентных твердых растворов HgMnZnTe. Предлагаются эмпирические формулы для вычисления ширины запрещенной зоны и концентрации собственных носителей в параболическом приближении в широком диапазоне температур и составов. Результаты теоретического исследования хорошо согласуются с экспериментальными и литературными данными.

Доп.точки доступа:
Фрасуняк, В. М.; Жихаревич, В. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках [Текст] / Е. А. Татохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1031-1037. : ил. - Библиогр.: с. 1037 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
глубокие уровни -- ГУ -- релаксационная спектроскопия глубоких уровней -- РСГУ -- DLTS -- метод релаксационной спектроскопии -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- запрещенные зоны -- изометрическая релаксация емкости -- ИРЕ -- статистические методы -- статистический анализ
Аннотация: Метод релаксационной спектроскопии является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. С целью повышения точности определения концентрации и параметров глубоких уровней, определяющих характер изотермической релаксации емкости, предложен статистический метод обработки результатов измерений изотермической релаксации емкости, основанный на алгоритме статистического поиска решения.

Доп.точки доступа:
Татохин, Е. А.; Каданцев, А. В.; Бормонтов, А. Е.; Задорожный, В. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1527-1532. : ил. - Библиогр.: с. 1531 (12 назв. )

УДК

^a539.2

^a536.42

ББК 22.37 + 22.375
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- эпитаксиальные слои -- гетерослои -- длина волны -- спектры возбуждения -- кинетические характеристики -- эрбиевая люминесценция -- дефектно-примесные комплексы -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- релаксация (физика)
Аннотация: Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в диапазоне длин волн 1. 54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si[1-x]Ge[x]: Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si[1-x]Ge[x]. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er{3+} промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si[1-x]Ge[x]: Er.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Яблонский, А. Н.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Красильник, З. Ф.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал-VO[2] в спектральной области 1. 3-1. 6 мкм [Текст] / А. Б. Певцов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1585-1590. : ил. - Библиогр.: с. 1590 (26 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
запрещенные зоны -- фотонные запрещенные зоны -- ФЗЗ -- фотонные кристаллы -- ФК -- трехмерные фотонные кристаллы -- композиты -- опал -- спектральные области -- длина волны
Аннотация: В актуальной для практических применений спектральной области 1. 3-1. 6 мкм (Telecom standard) выполнены численные расчеты параметров трехмерного фотонного кристалла на основе пленочного композита опал-VO[2]. Установлен диапазон степеней заполнения (0. 25-0. 6) опаловых пар, при которых исследуемый композит в этом интервале длин волн обладает свойствами трехмерного диэлектрического фотонного кристалла. Синтезированы пленочные трехмерные фотонные кристаллы на основе композитов опал-VO[2] с заданными параметрами, обеспечивающими при фазовом переходе полупроводник-металл в VO[2] максимальный сдвиг (~170 мэВ) фотонной запрещенной зоны в окрестности длин волн ~1. 5 мкм.

Доп.точки доступа:
Певцов, А. Б.; Грудинкин, С. А.; Поддубный, А. Н.; Каплан, С. Ф.; Курдюков, Д. А.; Голубев, В. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Гальваномагнитные, термоэлектрические свойства и электронное строение монокристаллических BiTeBr и BiTeI [Текст] / В. А. Кульбачинский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1596-1601. : ил. - Библиогр.: с. 1601 (20 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- монокристаллы -- BiTeBr -- BiTel -- гальваномагнитные свойства -- термоэлектрические свойства -- висмут -- теллур -- бром -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- запрещенные зоны -- теория функционала плотности -- кристаллы -- функционал плотности -- зонные структуры -- полупроводники -- непрямые зоны
Аннотация: Методом Бриджмена синтезированы монокристаллы BiTeI и BiTeBr и исследованы их гальваномагнитные и термоэлектрические свойства. Оба полупроводника обладают n-типом проводимости. Термоэлектрическая эффективность BiTeBr существенно больше, чем термоэлектрическая эффективность BiTeI, что связано главным образом с большим значением коэффициента Зеебека у первого соединения. Для обоих кристаллов на уровне теории функционала плотности рассчитана зонная структура и показано, что оба соединения являются полупроводниками с непрямой запрещенной зоной.

Доп.точки доступа:
Кульбачинский, В. А.; Кытин, В. Г.; Лаврухина, З. В.; Кузнецов, А. Н.; Шевельков, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Сосунов, А. В.
Влияние функционализации углеродных нанооболочек на их электрические свойства [Текст] / А. В. Сосунов, К. Б. Циберкин, В. К. Хеннер // Вестник Пермского университета. Сер.: Физика. - 2019. - Вып. 2 (44). - С. 63-68. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки https://elibrary.ru . - ISSN 1994-3598

ГРНТИ	29.27
УДК	^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
запрещенные зоны -- плазма -- углеродные нанооболочки -- функционализация -- электросопротивление
Аннотация: В данной работе представлено экспериментальное и теоретическое исследование электронных свойств углеродных нанооболочек с размером пор 3 нм после функционализации во фторной радиочастотной плазме. Для полученных образцов (CF0. 05, CF0. 31 и CF0. 50 для 5, 15 и 30 ч функционализации, соответственно) показано, что с увеличением времени обработки происходит повышение электросопротивления от 50 до 950 Ом с сохранением стабильной структуры.

Доп.точки доступа:
Циберкин, К. Б.; Хеннер, В. К.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	92371
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)