Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=дифракция быстрых электронов<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Супрун, С. П.
Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла [Текст] / С. П. Супрун, Е. В. Федосенко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 94-97

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
GaAs-Ge -- Ge -- Ga[2]O -- гетерограница -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- дифракция быстрых электронов
Аннотация: Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение процесса формирования гетерограницы GaAs-Ge при условии неполного удаления всех окисных фаз с поверхности подложки GaAs. Показано, что совмещение процессов окончательной десорбции окисла Ga[2]O и осаждения Ge позволяет предотвратить испарение мышьяка и нарушение стехиометрии в области границы раздела.

Доп.точки доступа:
Федосенко, Е. В.

Найти похожие

Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия
Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному.

Доп.точки доступа:
Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К.

Найти похожие

Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe [Текст] / Ю. Н. Дроздов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 538-543 : ил. - Библиогр.: с. 543 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- эпитаксиальные пленки -- Ge -- напряженные подслои -- SiGe -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- осаждение -- толщина -- критическая толщина -- экспериментальные исследования
Аннотация: Представлены результаты исследований особенностей перехода пленки Ge от двумерного к трехмерному росту в различных типах гетероструктур SiGe/Si (001) с захороненными напряженными слоями. Показано, что осаждение напряженного планарного слоя SiGe приводит к существенному уменьшению критической толщины двумерного роста Ge. Обнаружено, что влияние слоев SiGe на рост пленки Ge оказывается весьма существенным не только в случае роста непосредственно на напряженном слое SiGe, но и при заращивании его ненапряженным слоем Si до толщин порядка 3. 5 нм. Показано, что модель, в которой влияние захороненных напряженных слоев SiGe учитывается посредством введения феноменологического параметра "глубины затухания эффективной упругой энергии", позволяет с хорошей точностью описать экспериментальные результаты.

Доп.точки доступа:
Дроздов, Ю. Н.; Новиков, А. В.; Шалеев, М. В.; Юрасов, Д. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты
Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.

Доп.точки доступа:
Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние ступенчатой поверхности SI(100) на процесс зарождения островков Ge [Текст] / М. Ю. Есин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 13-19 : рис. - Библиогр.: c. 19 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a621.375

ББК 22.37 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- германий -- дифракция быстрых электронов -- квантовые точки -- керманиевые hut-островков -- кремний -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- островки Ge -- поверхность SI (100) -- система кремний-германий
Аннотация: Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si (100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600° С при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0. 652 A/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1 х 2 при предварительном нагреве до 1000° С подложки Si (100), отклоненной к плоскости (111) на угол 0. 35°. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1 х 2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступеням. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si (100), которая предварительно отжигалась при температурах 800 и 1000° С. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек.

Доп.точки доступа:
Есин, М. Ю.; Никифоров, А. И.; Тимофеев, В. А.; Машанов, В. И.; Туктамышев, А. Р.; Лошкарев, И. Д.; Пчеляков, О. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / М. Ю. Есин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 7. - С. 22-26 : рис. - Библиогр.: с. 26 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a530.1

ББК 22.37 + 22.31
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
дифракция быстрых электронов -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- поверхность Si (100) -- структуры ступенчатой поверхности -- элементарные ступени
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si (100) в широких интервалах изменения температуры подложки и скорости роста кремния. С помощью дифракции быстрых электронов на отражение определены условия перехода от двухдоменной структуры поверхности Si (100) к однодоменной структуре, связанного с формированием двухатомных ступеней. Показано, что влияние увеличения температуры подложки на переход к однодоменной структуре носит немонотонный характер: в области относительно низких температур происходит формирование однодоменной поверхности, а в области высоких температур - двухдоменной. Переход к однодоменной структуре за время проведения эксперимента возможен лишь при увеличении скорости роста кремния выше некоторого минимального значения.

Доп.точки доступа:
Есин, М. Ю.; Эрвье, Ю. Ю.; Тимофеев, В. А.; Никифоров, А. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 27.08.2024
Число запросов	80819
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)