Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=графеновые наноленты<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.


    Чернозатонский, Л. А.
    Формирование графеновых квантовых точек при "посадке" атомов водорода на графеновую наноленту [Текст] / Л. А. Чернозатонский, А. А. Артюх, Д. Г. Квашнин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 5. - С. 290-295
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
графеновые квантовые точки -- графеновые наноленты -- квантовые точки -- наноленты -- атомы водорода -- водород -- адсорбция -- графановые наноучастки
Аннотация: Рассмотрены возможные схемы эксперимента по созданию графеновых квантовых точек (ГКТ) при адсорбции атомов водорода как на выпуклостях деформированной графеновой наноленты (ГНЛ), так и в структуре из двух наложенных друг на друга ГНЛ-рядов на местах, свободных от пересечения лент. Показано, что атомам водорода энергетически выгодно садиться на выпуклые области наноленты. Это приводит к образованию на ней графановых диэлектрических СН-наноучастков, разделяющих ее проводящие области. В результате формируется графеновая квантовая точка. Рассмотрена трансформация электронных спектров ГКТ в зависимости от длины таких графановых участков.


Доп.точки доступа:
Артюх, А. А.; Квашнин, Д. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


    Корзникова, Е. А.
    Топология ринклонов в графеновых нанолентах вблизи закрепленного края [Текст] / Е. А. Корзникова, Ю. А. Баимова, С. В. Дмитриев // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 6. - С. 61-66 : рис. - Библиогр.: c. 66 (31 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 30.13 + 30.121
Рубрики: Техника
   Техническая физика

   Сопротивление материалов

Кл.слова (ненормированные):
nопология ринклонов -- графен -- графеновые наноленты -- иерархия морщин -- изгибная жесткость -- кристаллы углерода -- механические свойства материалов -- молекулярная динамика -- морщинообразование материалов -- ринклоны -- топологические дефекты -- упругие деформации
Аннотация: Большинство двумерных материалов, обладающих низкой изгибной жесткостью, под действием внешних факторов склонны к потере плоской формы с образованием топологических дефектов в виде морщин и складок. Одним из ярких примеров подобных материалов является графен, где наличие морщин ведет к изменению физических, механических и химических свойств материала. Таким образом, меняя геометрию морщин в графене, можно целенаправленно управлять его свойствами. В данной работе изучены характеристики морщин, возникающих в графене под действием упругих деформаций, а также эволюция конфигурации морщин вблизи закрепленного края графеновой наноленты при различных начальных условиях. Установлено, что вблизи закрепленного края деформированных графеновых нанолент выгодно образование ринклонов, то есть переходных областей, где две или более морщин сливаются в одну. Показана устойчивость двух типов ринклонов, реализующих слияние двух или трех морщин в одну. Показано, что в процессе релаксации структуры однородно деформированного графена вблизи закрепленного края формируется иерархия морщин, содержащая ринклоны того или иного типа, в зависимости от начальной конфигурации морщин. Полученные результаты позволяют объяснить топологию листа графена, наблюдаемую в эксперименте вблизи закрепленного края.


Доп.точки доступа:
Баимова, Ю. А.; Дмитриев, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Сороко, В. А.
    Зигзагообразные сверхрешетки на основе графеновых нанолент: структура и электронные свойства [Текст] / В. А. Сороко, К. Г. Батраков // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 5. - С. 27-32 : рис., табл. - Библиогр.: c. 32 (27 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.36
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом

Кл.слова (ненормированные):
графеновые наноленты -- инженерия запрещенной зоны -- сверхрешетки графеновых нанолент -- углеродная электроника -- электронные свойства
Аннотация: Рассмотрены сверхрешетки, состоящие из двух расположенных в одной плоскости фрагментов однослойных графеновых нанолент различной ширины, соединенных под некоторым углом. Проведена классификация таких сверхрешеток и с использованием метода сильной связи исследованы их электронные свойства. В частности, показано, что в сверхрешетках, состоящих из двух фрагментов графеновых нанолент с краями типа "кресло", соединенных под углом в 60°, ширину запрещенной зоны можно регулировать количеством димерных цепочек атомов углерода одного из фрагментов. При этом возникает периодическая зависимость ширины запрещенной зоны от количества цепочек с характерным периодом, равным трем димерным цепочкам. Среднее значение ширины запрещенной зоны, около которого происходят периодические осцилляции, а также амплитуда этих осцилляций регулируются количеством димерных цепочек второго фрагмента сверхрешетки. Таким образом, можно осуществлять достаточно точную настройку ширины запрещенной зоны таких структур. Такая подстройка может найти широкое применение в бурно развивающейся углеродной наноэлектронике при создании генераторов, усилителей и сенсоров в наноцепях.


Доп.точки доступа:
Батраков, К. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

4.


    Конобеева, Н. Н.
    Влияние многоуровневой примеси на туннельный и баллистический ток в графеновой наноленте [Текст] / Н. Н. Конобеева, М. Б. Белоненко // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 104-108 : рис., табл. - Библиогр.: c. 108 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.332
Рубрики: Физика
   Электрический ток

Кл.слова (ненормированные):
баллистический ток -- графеновые ленты -- графеновые наноленты -- многоуровневые примеси -- туннельный ток -- туннельный эффект
Аннотация: Исследуется влияние многоуровневой примеси в графеновой наноленте на туннельный ток, протекающий в контакте последнего с металлом. Вычислен также баллистический ток в графеновой наноленте, а также туннельный ток контакта ленты с металлом. Проанализирована зависимость вольт-амперной характеристики контакта от интеграла перескока между примесными уровнями наноленты.


Доп.точки доступа:
Белоненко, М. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 27.08.2024
Число запросов 80320
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)