Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетерофазные системы<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах наногранулированного пористого кремния и подобных гетерофазных систем [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1894-1899. - Библиогр.: с. 1899 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
дискретные нуннелирования -- кремний -- наногранулированные пористые кремнии -- гетерофазные системы
Аннотация: На основе теории дискретного туннелирования анализируются экспериментальные данные по исследованию поперечного транспорта тока в ряде наноразмерных гранулированных или подобных им сред: слоях ПК, анодных слоях оксида и слоях нитрида кремния, полученных ионной имплантацией азота в кремний. Показано, как измерение вольт-амперной характеристики диодной структуры с прослойкой диэлектрика с вкрапленными гранулами позволяет получить полезную информацию о характере и размерах гранул или квантовых точек в наноразмерной гранулированной среде. Аморфные диэлектрики могут рассматриваться как гранулированная среда с наноразмерными флуктуациями состава. Вольт-амперные характеристики реальных структур определяются как токовой нелинейностью, связанной с инжекцией носителей тока, так и полевой нелинейностью, обусловленной кулоновской блокадой туннелирования.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Демидова, Н. Е.; Карзанов, В. В.; Марков, К. А.; Сдобняков, В. В.

Найти похожие

Спесивцева, Ирина Владимировна (аспирант).
Структура и электрические свойства гетерофазной системы (1-x) Ba[2]In[2]0[5]·xBa[2]InTa0[6] [Текст] = Structure and electrical properties of heterophase system (1-x) Ba[2]In[2]0[5]·xBa[2]InTa0[6] / И. В. Спесивцева // Альтернативная энергетика и экология. - 2011. - N 6 (98). - С. 21-24. : граф. - Библиогр.: с. 24 (11 назв. )

УДК

^a544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
гетерофазные системы -- браунмиллерит -- перовскит -- индат бария -- протонная проводимость
Аннотация: Исследование соединений оксида индата бария с большим количеством вакансий кислорода методом рентгенофазовой аттестации. Возможность внедрения воды в структуру оксида индата бария.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Структурные и оптические исследования тонких пленок нитрида алюминия, выращенных методом ионно-плазменного напыления на подложках арсенида галлия с различной ориентацией [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С. 1243-1252. - Библиогр.: c. 1252 (42 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a537.311:538.971

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
гетерофазные системы -- ИК-спектроскопия -- пленки нитрида алюминия -- реактивное ионно-плазменное распыление -- тонкие пленки -- УФ-спектроскопия
Аннотация: Методами ИК- и УФ-спектроскопии были изучены свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs с различной ориентацией. Получены наноструктурированные тонкие пленки нитрида алюминия (100-200 нм) кубической сингонии, имеющие показатель преломления в диапазоне 1. 6-4. 0 для области длин волн ~250 нм и оптическую ширину запрещенной зоны ~5 эВ. Рост на разориентированной подложке GaAs (100) (раз- ориентация 4° к плоскости [110]) позволяет получить пленки AlN с меньшим размером зерна и более высоким показателем преломления (n ~ 4). Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Голощапов, Д. А.; Леньшин, А. С.; Терновая, В. Е.; Арсентьев, И. Н.; Бондарев, А. Д.; Тарасов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.08.2024
Число запросов	64600
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)