Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=гетерограница<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Супрун, С. П.
    Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла [Текст] / С. П. Супрун, Е. В. Федосенко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 94-97
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
GaAs-Ge -- Ge -- Ga[2]O -- гетерограница -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- дифракция быстрых электронов
Аннотация: Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение процесса формирования гетерограницы GaAs-Ge при условии неполного удаления всех окисных фаз с поверхности подложки GaAs. Показано, что совмещение процессов окончательной десорбции окисла Ga[2]O и осаждения Ge позволяет предотвратить испарение мышьяка и нарушение стехиометрии в области границы раздела.


Доп.точки доступа:
Федосенко, Е. В.

Найти похожие

 
Статистика
за 27.08.2024
Число запросов 80248
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)