Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (54)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=германий<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Саидов, М. С.
Зависимость концентрации дивакансий от содержания германия в сплаве Si[1-x]Ge[x] при облучении быстрыми и медленными нейтронами [Текст] / М. С. Саидов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1582-1584. - Библиогр.: с. 1584 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
германий -- дивакансии -- концентрация дивакансий -- монокристаллы твердых растворов -- облучение -- первичные радиационные дефекты -- радиационное дефектообразование
Аннотация: Представлены результаты исследования зависимости концентрации дивакансий в монокристаллах твердых растворов Si[1-x]Ge[x], введенных облучением медленными и быстрыми нейтронами от содержания германия. Показано, что в указанных составах при облучении быстрыми и медленными нейтронами роль аннигиляции первичных первичных радиационных дефектов на атомах германия снижается.

Доп.точки доступа:
Лутпуллаев, С. Л.; Юсупов, А.; Хироненко, Л. И.; Матчанов, Н. А.; Саидов, Д.; Хажиев, М. У.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Абсолютная интенсивность и фаза резонансного рассеяния рентгеновских лучей в кристалле германия [Текст] / Э. Х. Мехумеджанов [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 12. - С. 896-900

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновские лучи -- абсолютная интенсивность -- фаза резонансного рассеяния -- германий -- кристаллы германия -- синхротронное излучение -- энергетические спекиры рефлексов
Аннотация: На Курчатовском источнике синхротронного излучения исследованы рефлексы 222 и 600 вблизи K-края поглощения в германии. Энергетический спектр рефлекса 222 обусловлен интерференцией слабого нерезонансного и чисто резонансного вкладов в тензорный атомный фактор, тогда как рефлекс 600 является чисто резонансным. Из интерференционной зависимости определено изменение с энергией абсолютной величины и фазы резонансного вклада в амплитуду рассеяния. Проведенное численное моделирование энергетических спектров рефлексов с учетом диполь-квадрупольного и термоиндуцированного вкладов указывает на преобладание последнего при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Мехумеджанов, Э. Х.; Борисов, М. М.; Морковин, А. Н.; Антонеко, А. А.; Орешко, А. П.; Овчинникова, Е. Н.; Дмитриенко, В. Е.

Найти похожие

Смирнов, Ю. М.
Нанотехнология кристаллических поверхностей [Текст] / Ю. М. Смирнов, Ю. В. Кузнецова // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 76-79. - Библиогр.: с. 79 (3 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
физика наноструктур -- нанотехнологии -- германий -- кремний -- кристаллизация
Аннотация: Синтезированы и методами атомно-силовой микроскопии изучены некоторые наноструктуры на основе германия и кремния.

Доп.точки доступа:
Кузнецова, Ю. В.

Найти похожие

Ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te [Текст] / Е. П. Скипетров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 316-323

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магнитные полупроводники -- ферромагнетизм -- парамагнитные центры -- германий -- хром
Аннотация: Исследованы магнитные свойства твердых растворов Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x=0. 02-0. 20, y=0. 01-0. 08). Обнаружено, что магнитная восприимчивость сплавов состоит из двух вкладов: парамагнитного кюри-вейссовского (область температур T меньше 50 K), связанного, по-видимому, с парамагнетизмом ионов Cr\{3+\}, и высокотемпературного ферромагнитного (T меньше 300 K). По величинам парамагнитного и ферромагнитного вкладов получены зависимости концентраций магнитных центров от состава матрицы. Показано, что уменьшение концентрации парамагнитных центров может быть, по крайней мере качественно, объяснено перестройкой электронной структуры при увеличении концентрации германия. Предложена феноменологическая модель, объясняющая характер изменения магнитных свойств при увеличении содержания хрома, и обсуждаются возможные механизмы ферромагнитного упорядочения в исследованных сплавах.

Доп.точки доступа:
Скипетров, Е. П.; Михеев, М. Г.; Пакпур, Ф. А.; Скипетрова, Л. А.; Пичугин, Н. А.; Слынько, Е. И.; Слынько, В. Е.

Найти похожие

Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO[2] matrix [Text] / V. A. Volodin [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 84-88

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- германий -- GeO[2] -- оптические переходы -- квазипрямые оптические переходы

Доп.точки доступа:
Volodin, V. A.; Gorokhov, E. B.; Marin, D. V.; Rinnert, H.; Miska, P.; Vergnat, M.

Найти похожие

Исследование самоорганизации высокоупорядоченных нанокластеров германия при осаждении пленок поликристаллического кремния, легированного германием [Текст] / А. А. Ковалевский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 4. - С. 14-19. - Библиогр.: с. 18-19 (12 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокластеры -- поликристаллический кремний -- германий -- твердый раствор -- самоорганизация
Аннотация: Исследованы особенности образования самоорганизованных кластеров германия и твердого раствора SiGe в режиме осаждения субтонких пленок поликристаллического кремния, легированного Ge, на поверхность наноразмерных пленок диэлектриков.

Доп.точки доступа:
Ковалевский, А. А. (канд. техн. наук); Строгова, А. С.; Плякин, Д. В.; Борисевич, В. М.

Найти похожие

Давыдов, С. Ю.
Об адсорбции атомов натрия на грани (111) германия [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 865-868 : ил. - Библиогр.: с. 867 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- адсорбция атомов натрия -- адсорбционная система -- Na/Si (111) -- натрий -- атомы натрия -- германий -- поверхность германия (111) -- модель Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса модель -- диполь-дипольные отталкивания -- обменные взаимодействия -- экспериментальные данные
Аннотация: В рамках модели Андерсона-Ньюнса с учетом диполь-дипольного отталкивания и обменного взаимодействия проведен расчет изменения работы выхода поверхности (111) германия, вызванного адсорбцией атомов натрия. Полученные результаты хорошо согласуются с данными эксперимента. Предложенная модель не может, однако, адекватно описать адсорбционную систему Na/Si (111).

Найти похожие

Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода
Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

Филиппов, Владимир Владимирович.
Моделирование электрических параметров каналов кремниевых МОП-транзисторов на деформированной подложке [Текст] / В. В. Филиппов, Б. К. Петров, Ю. М. Мяснянкин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 21-27. - Библиогр.: с. 27 (13 назв. ) . - ISSN 1561-5405

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- транзисторы -- кремний -- германий -- подвижность -- деформации
Аннотация: Рассмотрено влияние деформации на электрофизические параметры кремниевых слоистых структур. Учтено влияние отношения толщин пленки кремния и подложки германия на смещение энергетических зон и изменение подвижности свободных носителей зарядов. Получено и проанализировано распределение потенциала в области анизотропного канала МОП-транзистора. Показано, что сопротивление напряженного кремниевого канала полевого транзистора в открытом состоянии определяется не только его размерами и электрофизическими параметрами, но и толщиной деформированной подложки, а также размерами токовых контактов.

Доп.точки доступа:
Петров, Борис Константинович; Мяснянкин, Юрий Михайлович

Найти похожие

10.

Локальная структура стеклообразных сплавов германий-сера, германий-селен и германий-теллур [Текст] / Г. А. Бордовский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1232-1236 : ил. - Библиогр.: с. 1236 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сплавы -- стеклообразные сплавы -- германий -- селен -- теллур -- мессбауэровская спектроскопия -- изотопы -- стекла -- халькогены -- локальная структура
Аннотация: Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопах {119}Sn и {129}Te ({129}I) показано, что стекла Ge[100-y]X[y] (X = S, Se, Те), обогащенные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные атомы халькогена в цепочках типа - Ge-X-Ge- и - Ge-X-X-Ge-. Германий в этих стеклах только четырехвалентен и 4-координирован, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена. Стекла, обедненные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих 2-координированные (в цепочках типа - Ge-X-Ge-) и 3-координированные атомы халькогена (в цепочках типа - Ge-X-Ge-). Германий в этих стеклах стабилизируется как в четырехвалентном и 4-координированном состоянии, так и в двухвалентном и 3-координированном состоянии, причем в локальном окружении атомов германия находятся только атомы халькогена.

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Теруков, Е. И.; Анисимова, Н. И.; Марченко, А. В.; Серегин, П. П.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	24265
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)