Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

БД "Статьи" (20)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=выращивание кристаллов<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Смирнов, Ю. М.
Кристаллофизика - теория и эксперимент [Текст] / Ю. М. Смирнов // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 51-61. - Библиогр.: с. 61 (4 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллофизика -- прикладная физика -- монокристаллы -- выращивание кристаллов
Аннотация: Анализ итогов теоретических и экспериментальных разработок, реализуемых кристаллофизиками Тверского государственного университета.

Доп.точки доступа:
Тверской государственный университет

Найти похожие

Система управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов по методу Бриджмена [Текст] / М. М. Филиппов [и др. ] // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316, N 5 : Управление, вычислительная техника и информатика. - С. 146-151. : ил. - Библиогр.: с. 150-151 (5 назв. ).

УДК

^a681.5

ББК 32.81
Рубрики: Радиоэлектроника
Кибернетика
Кл.слова (ненормированные):
системы управления -- многозонные термические установки -- выращивание кристаллов -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- температурное поле -- системы автоматического регулирования
Аннотация: Представлено описание системы автоматического регулирования многозонной термической установкой для выращивания монокристаллов методом Бриджмена в вертикальном варианте. Показаны результаты внедрения и апробации предлагаемой системы.

Доп.точки доступа:
Филиппов, М. М.; Бабушкин, Ю. В.; Грибенюков, А. И.; Гинсар, В. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP[2], выращенных методом Бриджмена [Текст] / Г. А. Верхозубова [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика : Физика. - С. 121-128 : ил. - Библиогр.: с. 127-128 (22 назв.) . - ISSN 1684-8519

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
структурные дефекты -- монокристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- результаты исследований -- рентгеновская топография -- эффект Бормана -- Бормана эффект -- продольные срезы -- поперечные срезы -- численные оценки -- кристаллизация -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- топографические исследования
Аннотация: Представлены результаты исследований структурных дефектов в монокристалле ZnGeP[2], выращенном методом Бриджмена в вертикальном варианте. Методом рентгеновской просвечивающей топографии на основе эффекта Бормана исследованы продольный срез и три поперечных среза монокристалла. Обнаружено различие структур дефектов в начальной, срединной и концевой частях кристалла. Приведены численные оценки поведения фронта кристаллизации в процессе выращивания кристалла. Получено хорошее соответствие численных оценок и результатов топографических исследований.

Доп.точки доступа:
Верхозубова, Галина Александровна; Филиппов, Максим Михайлович; Грибенюков, Александр Иванович; Трофимов, Андрей Юрьевич; Окунев, Алексей Олегович; Стащенко, Владимир Александрович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации [Текст] : (к 50-летию полета Ю. А. Гагарина в космос) / И. Л. Шульпина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1264-1268. - Библиогр.: с. 1268 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- выращивание кристаллов -- полупроводники -- микрогравитация -- космические аппараты
Аннотация: Кратко описана история выращивания кристаллов полупроводников на борту космических аппаратов и их последующего исследования. На примере кристаллов Ge (Ga), GaSb (Si), GaSb (Te) показано, что при их рекристаллизации вертикальным методом Бриджмена в условиях физического моделирования микрогравитации на Земле удается избежать формирования сегрегационных полос роста, главным образом за счет существенного ослабления термогравитационной конвекции. По своей структуре и распределению примеси они приближаются к выращенным в космосе. Исследование рекристаллизации Te позволило определить роль характерного для условий микрогравитации "эффекта отрыва" и особенности микроструктуры образцов, кристаллизующихся со "свободной" поверхностью. Анализ результатов экспериментов в космосе позволяет лучше понять процессы, происходящие при кристаллизации расплавов, и совершенствовать наземную технологию выращивания кристаллов.

Доп.точки доступа:
Шульпина, И. Л.; Захаров, Б. Г.; Парфеньев, Р. В.; Фарбштейн, И. И.; Серебряков, Ю. А.; Прохоров, И. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Амано, Хироши.
Выращивание кристалла CaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла CaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком [Текст] / Х. Амано ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 518-523 : 5 рис. - Библиогр.: с. 522-523 (62 назв.) . - ISSN 0042-1294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- синие светодиоды -- кристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- CaN -- CaN p-типа -- InGaN -- выращивание кристаллов -- сапфиры -- сапфировая подложка -- низкотемпературный буферный слой -- метод низкотемпературного осаждения -- допирование магнием -- низкоэнергетические электронные пучки
Аннотация: История разработки методов роста кристаллов нитрида галлия на сапфировой подложке, проложившей путь к развитию "умного" телевидения и систем отображения с использованием синих светодиодов. Предпосылки данной работы и процесс создания технологии, позволяющей выращивать кристаллы GaN и получать кристаллы GaN p-типа.

Доп.точки доступа:
Чехов, А. Л. \.\
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Накамура, Шуджи.
История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN [Текст] / Ш. Накамура ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 524-536 : 17 рис. - Библиогр.: с. 535-536 (49 назв.) . - ISSN 0042-1294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- синие светодиоды -- эффективные синие светодиоды -- белый свет -- источники белого света -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN -- нитрид индия галлия -- InGaN -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- технологии выращивания кристаллов
Аннотация: Значение изобретения синих светодиодов как высокоэффективных источников белого света. История развития светодиодов на основе нитрида индия галлия (InGaN). Свойства материала InGaN.

Доп.точки доступа:
Чехов, А. Л. \.\
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.07.2024
Число запросов	14604
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)