Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=вольт-амперная характеристика<.>)

Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-21 21-21

Лебедев, Э. А.
Неустойчивость тока с S-образной вольт-амперной характеристикой в тонких пленках композитов на основе полимеров и неорганических частиц [Текст] / Э. А. Лебедев, Е. л. Александрова, А. Н. Алешин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 195-197. - Библиогр.: с. 197 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
неустойчивость тока -- вольт-амперная характеристика -- тонкие пленки -- композиты -- композиты на основе полимеров -- эффект переключения -- эффект памяти -- гистерезис
Аннотация: В тонких пленках композитов на основе полимеров - производных карбазола и неорганических частиц кремния - наблюдались эффекты переключения и памяти, проявляющиеся в переходе из высокоомного в низкоомное состояние. Установлено, что при малых толщинах композитных пленок сопротивление (первоначальная величина которого составляла не менее 100 M омега) при переходе из высокоомного в низкоомное состояние изменяется на три-четыре порядка. Для исследованных композитов этот переход сопровождается появлением S-образной вольт-амперной характеристики и наличием гистерезиса. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями термомеханических и электрических свойств полимера в композите.

Доп.точки доступа:
Александров, Е. Л.; Алешин, А. Н.

Найти похожие

Влияние режимов формирования на свойства ионно-легированных карбид-кремниевых диодных структур [Текст] / Р. В. Рыжук [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 5. - С. 7-14 : рис. - Библиогр.: с. 14 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- ионная имплантация -- токоперенос -- вольт-амперная характеристика -- энергетические диаграммы
Аннотация: Показано, что свойства ионно-легированных карбид-кремниевых структур практически не зависят от дозы имплантации в диапазоне от 1000 до 3000 мкКл/см2. Для анализа ВАХ экспериментальных образцов построены зонные энергетические диаграммы. Установлено, что перенос носителей заряда в образцах описывается генерационно-рекомбинационными механизмами.

Доп.точки доступа:
Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Билалов, Билал Аругович; Гудков, Владимир Алексеевич

Найти похожие

Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда [Текст] / Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1050-1052. : ил. - Библиогр.: с. 1052 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
туннелирование электронов -- прямое туннелирование -- сверхтонкие окислы -- металл-окисел-полупроводник -- МОП -- электрические поля -- туннельные барьеры -- окислы -- полевые электроды -- ПЭ -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- заряды -- туннельный ток -- напряжение -- границы раздела -- ГР
Аннотация: Экспериментально исследованы особенности прямого туннелирования электронов сквозь сверхтонкий (~40 Angstrem) окисел в структурах металл-SiO[2]-Si в нестационарных условиях обеднения поверхности полупроводника, когда потенциальный рельеф в изоляторе слабо возмущен внешними электрическими полями. Прозрачность туннельного барьера существенно ограничивается классически запрещенной областью в n-Si, обусловленной встроенным в SiO[2] отрицательным зарядом. С увеличением падения напряжения на окисле локализованные в нем электроны переходят в полупроводник, что сопровождается резким ростом туннельного тока. Из эксперимента определены значения коэффициентов линейного нарастания логарифма туннельного тока при повышении напряжения на изоляторе. Они не согласуются с данными, рассчитанными на основе модели прямоугольного барьера с параметрами, типичными для "толстых" окислов. Показано, что реальные значения эффективной массы должны быть больше 0. 5m0, а высота барьера меньше 3. 1 эВ.

Доп.точки доступа:
Гольдман, Е. И.; Гуляев, Ю. В.; Ждан, А. Г.; Чучева, Г. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Степанов, Евгений Леонидович (старший преподаватель).
Определение характерных точек аппроксимации для тяговых электрических машин электроподвижного состава [Текст] / Е. Л. Степанов // Известия вузов. Проблемы энергетики. - 2011. - N 1/2. - С. 141-146. : схема, граф. - Библиогр.: с. 146 (6 назв. ). - Примеч.: с. 146

УДК

ББК 31.261.2 + 31.261.3 + 39.22 + 39.23
Рубрики: Энергетика
   Электрические двигатели
   Электрические машины специального назначения
   Транспорт
   Подвижной состав железных дорог в целом
   Локомотивы
Кл.слова (ненормированные):
тяговые электрические машины -- аппроксимация -- щетки тяговых электрических машин -- вольт-амперная характеристика -- ВАХ -- тепловозы -- тяговые генераторы -- электрический ток -- плотность электрического тока
Аннотация: Определение участков изменения плотности тока в щетках электрических машин при работе тяговых двигателей тепловозов.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Белоненко, М. Б.
Отрицательная дифференциальная проводимость в биграфене, управляемая внешним напряжением в присутствии магнитного поля [Текст] / М. Б. Белоненко, Н. Г. Лебедев, Н. Н. Янюшкина // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1609-1613. . - Библиогр.: с. 1612-1613 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
биграфены -- магнитные поля -- электрические поля -- отрицательная дифференциальная проводимость -- вольт-амперная характеристика
Аннотация: Использован метод "среднего электрона" для расчета вольт - амперной характеристики бислоя графена в случае приложенных сильных электрических и магнитных полей. В рамках приближения времени релаксации показано, что в биграфене в присутствии постоянного магнитного поля, приложенного в направлении, перпендикулярном слоям биграфена, возможны состояния с отрицательной дифференциальной проводимостью. Кроме того, для достаточно широкого диапазона значений межслоевого напряжения в такой системе может осуществляться генерация терагерцевых импульсов.

Доп.точки доступа:
Лебедев, Н. Г.; Янюшкина, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xG_1-x)_0,5In_0,5P/(Al_y, Ga_1-y)_0,5 In_0,5 P [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 44-47 : рис., табл. - Библиогр.: c. 47 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
Саа-Нойса-Шокли ток -- вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- квантовый выход -- полупроводниковые источники света -- рекомбинационные токи -- светодиоды -- светодиоды желтого диапазона -- светодиоды красного диапазона -- ток Саа-Нойса-Шокли
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния температуры на прямую вольт-амперную характеристику светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xG_1-x) _0, 5In_0, 5P/ (Al_y, Ga_1-y) _0, 5 In_0, 5 P. Показано, что в интервале температур 210-390 К на вольт-амперной характеристике можно выделить несколько участков. Проведенный анализ позволил связать первый участок с рекомбинационным током Саа-Нойса-Шокли, второй с током излучательной рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Скакунов, М. С.; Лелеков, М. А.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xGa_(1-х))_0.5In_0.5P/(Al_0.54Ga_0.46 )_0.5In_0.5P [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 7. - С. 48-51 : рис. - Библиогр.: c. 51 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- диффузионный перенос заряда -- квантовые ямы -- множественные квантовые ямы -- мощность излучения светодиодов -- перенос зарядов -- светодиоды
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований прямых вольт-амперных характеристик светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xGa_ (1-х) ) _0. 5In_0. 5P/ (Al_0. 54Ga_0. 46 ) _0. 5In_0. 5P. Эксперимент показал, что увеличение числа квантовых ям и уменьшение содержания Al в твердом растворе (Al_xGa_ (1-х) приводят к росту прямого тока при фиксированном напряжении. Согласно проведенному анализу, интерпретация полученного результата возможна при использовании теории диффузионного переноса заряда в двойной гетероструктуре с узкозонным слоем, толщина которого многократно превышает толщину одной квантовой ямы. Предложенный подход учитывает перенос носителей в активной области с множественными квантовыми ямами за счет их туннелирования через барьеры.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Олейник, В. Л.; Романов, И. С.; Брудный, В. Н.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 9. - С. 86-89 : рис. - Библиогр.: c. 89 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.382

^a621.38

ББК 32.852 + 32.857
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Диэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперная характеристика -- гетероструктура -- квантовые ямы -- перенос носителей заряда -- прыжковый механизм проводности -- прыжковый перенос электронов -- светодиоды -- снижение температуры
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований прямых вольт-амперных характеристик светодиодов "синего" диапазона с активной областью из множественных квантовых ям InGaN/GaN. Предложена модель, объясняющая ограничение прямого тока при снижении температуры. Модель основана на представлении о токе, ограниченном пространственным зарядом и протекающем в условиях прыжкового переноса электронов в области множественных квантовых ям. Показано, что наиболее вероятным механизмом накопления заряда является захват электронов на мелкие ловушки. Согласно результатам различных измерений, энергия активации ловушек уменьшается при снижении температуры, что согласуется с представлениями о прыжковом механизме проводимости в материалах с экспоненциальным распределением плотности состояний дефектов в запрещенной зоне.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Зубрилкина, Ю. Л.; Бактыбаев, А. А.; Романов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

620.91:662.97
О-26

Обухов, Сергей Геннадьевич.
Модель солнечной панели в MATLAB Simulink [Текст] / С. Г. Обухов, авт. И. А. Плотников = Model of solar module in MATLAB Simulink // Альтернативная энергетика и экология. - 2014. - № 21 (161). - С. 51-59 . - ISSN 1608-8298

УДК

620.91:662.97

004.41/.42

004.94

ББК 31.63 + 32.973-018 + 32.973-018.2
Рубрики: Энергетика
   Гелиоэнергетика
   Вычислительная техника
   Программирование ЭВМ. Компьютерные программы. Программотехника
   Имитационное компьютерное моделирование
Кл.слова (ненормированные):
солнечные панели -- математические модели -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- характеристика панелей -- вольт-амперная характеристика
Аннотация: Математическая модель солнечной панели, разработанная с помощью программного пакета MATLAB Simulink.

Доп.точки доступа:
Плотников, Игорь Александрович; Национальный исследовательский Томский политехнический университетНациональный исследовательский Томский политехнический университет

Найти похожие

10.

Гуцев, С. А.
Коррекция температуры при зондовых измерениях [Текст] / С. А. Гуцев // Инженерно-физический журнал. - 2015. - Т. 88, № 5. - С. 1127-1137 : 4 табл., 8 рис. - Библиогр.: с. 1137 (23 назв. ) . - ISSN 0021-0285

УДК

^a537

^a533.9

ББК 22.33 + 22.333
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
плазма низкого давления -- плазма послесвечения -- зонды Ленгмюра -- Ленгмюра зонды -- орбитальное движение -- вольт-амперная характеристика -- функция распределения -- температура электронов -- плотность частиц -- слой объемного заряда -- коррекция температуры
Аннотация: Работа посвящена экспериментальным исследованиям распадающейся плазмы c помощью зондов Ленгмюра. Давление газа, ток разряда и момент послесвечения выбирались для получения зондовых характеристик в бесстолкновительном, промежуточном и дрейфовом режимах движения заряженных частиц. Показано, как изменяется форма вольт-амперной характеристики при переходе от бесстолкновительного движения к диффузионному. Подробно разбирается источник ошибок при применении формул орбитального движения (OML) и метода логарифмирования к обработке зондовых кривых.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-21 21-21

Тематический навигатор

Статистика за 04.07.2024
Число запросов	102781
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)