Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=внешняя квантовая эффективность<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Емельянов, А. М.
Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента [Текст] / А. М. Емельянов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 231-236. - Библиогр.: с. 236 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
краевая электролюминесценция -- электролюминесценция -- монокристаллический кремний -- кремниевые светодиоды -- высокоэффективные солнечные элементы -- внешняя квантовая эффективность -- свободные экситоны -- люминесценция электронно-дырочная плазма
Аннотация: В широком диапазоне импульсных токов при температуре 80 K исследованы спектральные, кинетические и мощностные характеристики краевой электролюминесценции кремниевых светодиодов с излучающей площадью 0. 055 cm{2}, полученных путем резки высокоэффективного солнечного элемента. В отличие от ряда исследованных ранее и менее эффективных кремниевых светодиодов внешняя квантовая эффективность при фиксированном токе была выше при 80 K, чем при 300 K, и достигала максимальной величины около 0. 4%. Несмотря на проявление механизма Оже-рекомбинации при импульсном токе 12 A достигнута рекордная мощность излучения с единицы площади P = 0. 2 W/cm{2}. Показано, что достижение этой рекордной величины в значительной мере связано с изменением механизма излучательной рекомбинации при больших токах. Анализируются условия перехода от люминесценции свободных экситонов к люминесценции электронно-дырочной плазмы.

Найти похожие

Басалкевич, Татьяна Михайловна.
Особенности развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN [Текст] / Т. М. Басалкевич, Н. А. Тальнишних, Н. М. Шмидт // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 45-48 : ил. - Библиогр.: с. 48 (9 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- энергосберегающее освещение -- твердотельное энергосберегающее освещение -- вольтамперные характеристики -- электролюминесценция -- спектры электролюминесценции -- внешняя квантовая эффективность -- твердые растворы -- деградационные процессы
Аннотация: Рассмотрены особенности развития деградационного процесса, вольтамперные характеристики, спектры электролюминесценции и внешняя квантовая эффективность. Выяснены причины быстрого развития деградационного процесса в мощных синих светодиодах InGaN/GaN, осложняющие прогнозирование срока службы светодиодов.The paper describes the features of degradation processes, the current-voltage characteristics, electroluminescence spectra and external quantum efficiency. The reasons for the rapid development of degradation processes in high-power blue InGaN / GaN light-emitting diodes, complicating the prediction of their service life, are elucidated.

Доп.точки доступа:
Тальнишних, Надежда Андреевна; Шмидт, Наталия Михайловна
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 20.08.2024
Число запросов	35054
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)