Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=бораты лития<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


   
    Термостимулированные рекомбинационные процессы и люминесценция в кристаллах Li[6] (Y, Gd, Eu) (BO[3]) [3] [Текст] / И. Н. Огородников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 247-253. . - Библиогр.: с. 253 (29 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
термостимулированные рекомбинационные процессы -- люминисценция -- кристаллы -- бораты лития
Аннотация: Представлены результаты исследования термостимулированных рекомбинационных процессов и люминесценция кристаллов семейства боратов лития Li[6] (Y, Gd, Eu) (BO[3]3. Для соединеий Li[6]Gd (BO[3]) 3, Li[6]Eu (BO[3]) 3, Li[6]Y[0. 5]Gd[0. 5] (BO[3]) 3-Eu и Li[6]Gd (BO[3]) 3-Eu в диапазоне температур 90-500 K измерены спектры стационарной люминесценции при возбуждении рентгеновским излучением рентгенолюминесценции, температурные зависимости интенсивности рентгенолюминесценции и кривые термостимулированной люминесценции. В спектре рентгенолюминесценции доминируют полоса при 312 nm, соответствующая переходам {6}P[J]->{8}S[7/2] в ионе Gd{3+}, и группа линий при 580-700 nm, обусловленная переходами {5}D[0]->{7}F[J] (J=0-4) в ионе Eu{3+}. Для нелегированных кристаллов интенсивность рентгенолюминесценции в этих полосах увеличивается в 15 раз при изменении температуры от 100 до 400 K. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемой температурной зависимости интенсивности и их связь с особенностями передачи энергии электронных возбуждений в данных кристаллах. Во всех исследованных кристаллах обнаружен основной неэлементарный пик термостимулированной люминесценции с максимумом при 110-160 K, а также ряд более слабых пиков, состав и структура которых зависят от типа кристалла. Обсуждается природа мелких центров захвата, обусловливающих термостимулированную люминесценцию в области температур ниже комнатной, и их связь с дефектами подрешетки катионов лития.


Доп.точки доступа:
Огородников, И. Н.; Порывай, Н. Е.; Седунова, И. Н.; Толмачев, А. В.; Явецкий, Р. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


    Огородников, И. Н.
    Кинетика короткоживущего оптического поглощения в кристаллах боратов лития Li[2]B[4]O[7] и LiB[3]O[5] [Текст] / И. Н. Огородников, М. С. Киселева // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 4. - С. 697-703. - Библиогр.: с. 703 [26 назв. ] . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
оптические поглощения -- кристаллы -- бораты лития -- туннельные переносы -- электроны
Аннотация: Для кристаллов боратов лития Li[2]B[4]O[7] и LiB[3]O[5] проведено изучение кинетики туннельного переноса электрона между электронными и дырочными центрами в условиях термостимулированной подвижности одного из партнеров рекомбинационного процесса. Предложена математическая модель, которая описывает все особенности кинетики релаксации наведенной оптической плотности, наблюдаемой в нелинейно-оптических кристаллах Li[2]B[4]O[7] (LTB) и LiB[3]O[5] (LBO) в широкой временной области 10{-8} -1[s] после ипульсного радиационного воздействия. Выполнено сопоставление результатов расчета и экспериментальных данных по короткоживущему оптическому поглощению (КОП) кристаллов LTB и LBO в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Обсуждается природа радиационных дефектов, обусловливающих КОП, а также зависимость кинетики затухания КОП от температуры, мощности возбуждения и других условий эксперимента.


Доп.точки доступа:
Киселева, М. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Огородников, И. Н.
    Аномальная люминесценция околопримесных экситонов в кристаллах боратов лития, легированных ионами церия [Текст] / И. Н. Огородников, В. А. Пустоваров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 5. - С. 338-342
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
широкозонные оптические кристаллы -- люминесценция -- бораты лития -- церий -- околопримесные экситоны -- ВУФ-спектроскопия -- оптические переходы
Аннотация: В работе экспериментально зарегистрированы спектры и кинетика затухания аномальной люминесценции кристаллов Li[6]GdB[3]O[9]: Ce\{3+\}. Методом времяразрешенной ВУФ-спектроскопии показано, что оптические переходы при 6. 2 эВ, обусловленные переносом электрона с основного 4f\{1\} состояния Ce\{3+\} на автоионизационные состояния вблизи дна зоны проводимости (ЗП) матрицы, приводят к формированию околопримесного экситона, дырочный компонент которого локализован на 4f-состоянии Ce\{3+\}, а электрон на состояниях дна ЗП.


Доп.точки доступа:
Пустоваров, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 49329
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)