Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=атомно-силовой микроскоп<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Устинов, К. Б.
Об уточнении граничных условий для балочной модели кантилевера атомно-силового микроскопа и их влиянии на интерпретацию результатов измерений [Текст] / К. Б. Устинов // Известия РАН. Механика твердого тела. - 2008. - N 3 : Май-июнь. - С. 182-188. - Библиогр.: с. 188 . - ISSN 1684-2634

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
механика деформируемых тел -- балочные модели кантилевера -- кантилевер -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- деформирование кантилевера -- теория упругости
Аннотация: В работе исследовано влияние граничных условий балочной модели кантилевера атомно-силового микроскопа (АСМ) на результаты вычислений. Показано, что влияние упругости контакта (обычно рассматриваемого как жесткого) кантилевера с массивной частью в ряде случаев может быть весьма существенным.

Найти похожие

Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs [Текст] / П. А. Дементьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 636-641 : ил. - Библиогр.: с. 640-641 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- легирование -- кремний -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- дифракция быстрых электронов на отражение -- ДБЭО -- продольная проводимость -- защитные покрытия -- нелегированные слои -- объемные кристаллы -- подложки
Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs (Si).

Доп.точки доступа:
Дементьев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Титков, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Косульников, В. В.
Виртуальный атомно-силовой микроскоп [Текст] / В. В. Косульников, В. В. Мизуглин, Р. М. Кадушников // Дистанционное и виртуальное обучение. - 2012. - № 1. - С. 91-104. . - Библиогр.: с. 103-104 (14 назв. )

УДК

^a004.41/.42

ББК 32.973-018
Рубрики: Вычислительная техника
Программирование ЭВМ. Компьютерные программы. Программотехника
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовой микроскоп -- виртуальный микроскоп -- виртуальные приборы -- программные комплексы -- атомно-силовая микроскопия -- анализ изображений -- математические модели -- виртуальные технологии
Аннотация: Представлен один из методов моделирования работы атомно-силового микроскопа.

Доп.точки доступа:
Мизуглин, В. В.; Кадушников, Р. М. (кандидат физико-математических наук)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.08.2024
Число запросов	9646
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)