Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (3)

БД "Статьи" (58)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=атомно-силовая микроскопия<.>)

Общее количество найденных документов : 61
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-61

Исследование микроструктуры высокоэрцитивных литых образцов Sm-Zr-Co-Cu-Fe методами оптической и атомно-силовой микроскопии [Текст] / М. Б. Ляхова [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 22-29. - Библиогр.: с. 29 (5 назв. )

УДК

^a537.6

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
оптическая микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- плавы -- порошковые постоянные магниты
Аннотация: Изучение изменения микроструктуры литых образцов в процессе термической обработки.

Доп.точки доступа:
Ляхова, М. Б.; Семенова, Е. М.; Андреев, И. В.; Каплунов, И. А.

Найти похожие

Исследование рельефа поверхности и доменной структуры монокристаллов R (Co, Cu) 5 методами атомно-силовой микроскопии [Текст] / Ю. В. Кузнецова [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 42-50. - Библиогр.: с. 50 (4 назв. )

УДК

^a537.6

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
сканирующая зондовая микроскопия -- редкоземельные интерметаллиды -- атомно-силовые микроскопы -- сплавы -- атомно-силовая микроскопия
Аннотация: Исследование рельефа поверхности и доменной структуры ряда редкоземельных интерметаллидов методами сканирующей зондовой микроскопии.

Доп.точки доступа:
Кузнецова, Ю. В.; Супонев, Н. П.; Дегтева, О. Б.; Калинкина, Е. В.

Найти похожие

Юрий Николаевич Пархоменко (к 60-летию со дня рождения) [Текст] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 1. - 3-я с. обл. . - ISSN 1028-6861

УДК

^a001.89

ББК 72.4
Рубрики: Наука. Науковедение
Организация науки
Кл.слова (ненормированные):
юбилеи ученых -- ученые -- атомно-силовая микроскопия -- диагностика нанообъектов -- методики контроля -- электронная микроскопия -- ИК-спектроскопия
Аннотация: Поздравления с юбилеем Юрия Николаевича Пархоменко - крупного ученого в области физикохимии и технологии неорганических материалов, аналитических методов исследования.

Доп.точки доступа:
Пархоменко, Ю. Н. (д-р физ.-мат. наук, профессор ; 1949-)

Найти похожие

Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия [Текст] / И. А. Бобровникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 422-428

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- эпитаксиальные слои -- GaN -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- атомы галлия -- атомы азота -- широкозонные полупроводники
Аннотация: С помощью метода атомно-силовой микроскопии проведены экспериментальные исследования влияния условий роста на структуру поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Получены количественные значения плотности, высоты и ширины центров роста в зависимости от условий эпитаксии, выполнены оценки средней длины диффузионного пробега частиц, лимитирующих скорость роста GaN, рассчитаны энергии активации и коэффициенты поверхностной диффузии для этих частиц. Проведены расчеты равновесного состава адсорбционных слоев на поверхности (0001) GaN в широком диапазоне температур осаждения и давлений галлия и азота с учетом следующих компонентов: атомы галлия, атомы азота и молекулы NH. На основании сопоставления экспериментальных данных по структуре поверхности GaN и расчетных данных по составу адсорбционных слоев на поверхности роста сделано предположение о том, что во всем диапазоне условий молекулярно-лучевой эпитаксии рост слоев GaN лимитируется доставкой галлия.

Доп.точки доступа:
Бобровникова, И. А.; Ивонин, И. В.; Новиков, В. А.; Преображенский, В. В.

Найти похожие

Влияние дефектов тонкого слоя оксида кремния на процессы силицидообразования в системе Fe/SiO[2]/Si (001) [Текст] / В. В. Балашев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 565-571. - Библиогр.: с. 570-571 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
оксид кремния -- силицидообразование -- дефекты тонкого слоя -- осаждение железа -- атомно-силовая микроскопия
Аннотация: Рассмотрена кинетика структуры и фазового состава системы Fe/SiO[2]/Si (001) при различных условиях осаждения слоя Fe и последующего отжига. Установлено, что тонкий слой (около 1 nm) SiO[2] не разрушается в процессе осаждения Fe в широком диапазоне температур от 20 до 650 градусов Цельсия, в результате чего пленки Fe различной морфологии формируются на поверхности оксида. При отжиге происходит разрушение слоя SiO[2] в дефектных местах, что приводит к взаимодействию атомов Fe с подложкой Si с последующим образованием силицидов железа.

Доп.точки доступа:
Балашев, В. В.; Коробцов, В. В.; Писаренко, Т. А.; Чусовитин, Е. А.

Найти похожие

Атомно-силовая микроскопия декорированных оксидированием дефектов пленок висмута [Текст] / В. М. Грабов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 800-802. - Библиогр.: с. 802 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- пленки висмута -- оксидирование дефектов -- метод вакуумного напыления
Аннотация: Разработан способ выделения межкристаллитных границ и взаимной ориентации кристаллитов пленок висмута с помощью естественного оксидирования в сочетании с атомно-силовой микроскопией. Для пленок висмута, полученных методом вакуумного напыления на подложки из слюды, выявлены границы блоков, определены размеры блоков и их взаимная кристаллографическая ориентация. Полученные результаты использованы для определения режимов напыления, обеспечивающих получение пленок с более совершенной структурой.

Доп.точки доступа:
Грабов, В. М.; Демидов, Е. В.; Комаров, В. А.; Климантов, М. М.

Найти похожие

Ерофеев, А. С.
Кантилеверные биохимические анализаторы [Текст] / А. С. Ерофеев, И. В. Яминский // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 45-48. - Библиогр.: с. 48 (14 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- биохимический анализатор -- кантилевер -- поверхностное натяжение
Аннотация: Своевременное определение сверхмалого количества вещества очень важно при раннем обнаружении первых симптомов ядовитых химических веществ в общественных местах, при определении степени загрязненности реагентами питьевой воды. Биохимические анализаторы, основанные на микромеханических кантилеверных системах, могут определять предельно малые концентрации веществ и позволяют регистрировать присоединенную массу с точностью менее чем один аттограмм (10-18 г).

Доп.точки доступа:
Яминский, И. В.

Найти похожие

Поляков, В. В.
Метод компенсации паразитной емкости в сканирующей емкостной микроскопии [Текст] / В. В. Поляков // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 6-10. - Библиогр.: с. 10 (10 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a539.26

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
емкостная микроскопия -- зондовая микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- сканирующий зондовый микроскоп -- концентрация носителей -- профиль легирования
Аннотация: Предложен зондовый датчик специальной конструкции и оригинальный метод компенсации паразитной емкости для 2D-характеризации профилей легирования полупроводниковых структур с помощью методики сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ). Разработано соответствующее устройство, реализирующее методику СЕМ.

Найти похожие

Зимин, С. П.
Особенности травления в плазме спиралевидных структур PbTe на подложках BaF[2] (111) [Текст] / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, С. В. Кутровская // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1808-1811. - Библиогр.: с. 1811 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- пленки -- поверхности пленок -- теллурид свинца -- механизмы спирального роста -- эпитаксильные пленки -- спиралевидные структуры на пленках -- плазменные обработки -- микрорельефы поверхностей пленок
Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пленок теллурида свинца с образованиями спиралевидной формы на подложках фторида бария ориентации (111) в исходном состоянии и после обработки в аргоновой плазме. Показано, что присутствие крупных спиралевидных ступенчатых структур в области выходов пронизывающих дислокаций приводит к специфическим явлениям при распылении. Определены основные особенности модификации рельефа поверхности и взаимосвязь формирующихся одиночных и сгруппированных микровыступов с исходным рельефом и дислокациями.

Доп.точки доступа:
Горлачев, Е. С.; Кутровская, С. В.

Найти похожие

10.

Царик, Константин Анатольевич.
Формирование и исследование наногетероструктур AlGaN/GaN с применением атомно-силовой микроскопии [Текст] / К. А. Царик, В. К. Неволин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 44-49. - Библиогр.: с. 49 (6 назв. ) . - ISSN 1561-5405

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- двумерный электронный газ
Аннотация: Разработана методика получения слоев нитридов третьей группы с пониженным количеством дефектов. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по числу поверхностных дефектов, напрямую связано с характеристиками двумерного электронного газа в полученных гетероструктурах. Рассмотрено влияние легирования барьерного слоя AlGaN донорной примесью на характеристики двумерного электронного газа.

Доп.точки доступа:
Неволин, Владимир Кириллович

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-61

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	71364
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)