Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (21)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=акцепторы<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы [Текст] / Б. А. Андреев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 6. - С. 501-504

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- валентная подзона -- акцепторы -- изотопический эффект -- спин-орбитальное расщепление -- валентная зона кремния
Аннотация: Обнаружена зависимость энергии переходов в резонансные состояния акцепторов под спин-отщепленной валентной подзоной от изотопного состава матрицы кремния. Получена оценка изотопического эффекта для спин-орбитального расщепления валентной зоны кремния.

Доп.точки доступа:
Андреев, Б. А.; Ежевский, А. А.; Абросимов, Н. В.; Сенников, П. Г.; Поль, Х. -Й.

Найти похожие

Петров, П. В.
Особенности фононных повторений линии фотолюминесценции экситона, связанного на акцепторе в квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, Н. С. Аверкиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1214-1216 : ил. - Библиогр.: с. 1216 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- GaAs/AlGaAs -- акцепторы -- экситоны -- оже-процессы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- фононы -- фононновые повторения -- рекомбинация
Аннотация: Исследованы фононные повторения линии фотолюминесценции, относящейся к рекомбинации связанного на акцепторе экситона в квантовых ямах структуры GaAs/AIGaAs. Показано, что рекомбинация такого экситона сопровождается оже-процессом, заключающимся в переводе оставшейся на нейтральном акцепторе тяжелой дырки в возбужденное состояние легкой дырки. При этом высвободившийся момент импульса дырки передается фонону.

Доп.точки доступа:
Иванов, Ю. Л.; Аверкиев, Н. С.

Найти похожие

Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки
Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока.

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В.

Найти похожие

Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 194-199 : ил. - Библиогр.: с. 198-199 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

^a535.37

ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- рамановское рассеяние -- фотолюминесценция -- спектроскопия -- фотолюминесцентная спектроскопия -- люминесценция -- кристаллические решетки -- дефекты -- нанокластеры -- акцепторы -- углеродные акцепторы
Аннотация: Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.; Журбина, И. А.

Найти похожие

Басиев, Т. Т.
Теоретический анализ статического тушения оптических возбуждений в люминесцирующих наночастицах [Текст] / Т. Т. Басиев, И. Т. Басиева, Н. А. Глушков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 5. - С. 254-258

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
люминесцирующие наночастицы -- наночастицы -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- люминесцирующие примеси -- донорно-акцепторный перенос -- акцепторы -- статическое тушение -- оптические возбуждения
Аннотация: Получено компактное аналитическое выражение для описания кинетики донорно-акцепторного переноса энергии и тушения оптических возбуждений в сферических наночастицах с люминесцирующими примесями. Проведена серия численных экспериментов, моделирующих процесс с помощью метода Монте-Карло для наночастиц различного размера и концентраций акцепторов. Аналитическое выражение хорошо описывает результаты численного моделирования.

Доп.точки доступа:
Басиева, И. Т.; Глушков, Н. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Изучение электронной структуры одностенных углеродных нанотрубок, заполненных бромидом кобальта [Текст] / М. В. Харламова [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 4. - С. 210-214

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанотрубки -- нанокомпозиты -- нанокристаллы -- углеродные нанотрубки -- бромид кобальта -- электронная структура -- акцепторы электронов
Аннотация: Проведено заполнение одностенных углеродных нанотрубок бромидом кобальта. Была изучена микроструктура, оптические свойства и влияние внедренного CoBr[2] на электронную структуру нанотрубок. Установлено, что в полученных нанокомпозитах происходит перенос электронной плотности со стенок нанотрубок на нанокристаллы бромида кобальта, который является акцептором электронов.

Доп.точки доступа:
Харламова, М. В.; Елисеев, А. А.; Яшина, Л. В.; Петухов, Д. И.; Лиу, Ч.; Ванг, Ч.; Семененко, Д. А.; Белогорохов, А. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Пороговое образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда полупроводникового полимера [Текст] / О. Д. Паращук [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 7. - С. 379-384

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые полимеры -- сопряженные полимеры -- низкомолекулярные акцепторы -- органические акцепторы -- электронные состояния -- основные состояния -- кинематические модели -- межмолекулярные комплексы
Аннотация: Обнаружено, что образование межмолекулярного комплекса с переносом заряда (Charge Transfer Complex - CTC) в основном электронном состоянии между модельным сопряженным полимером (поли[2-метокси-5- (2'-этил-гек-си-локси) -1, 4-фениленвениленом], MEH-PPV) и низкомолекулярным органическим акцептором (2, 4, 7-тринитрофлуореноном, TNF) происходит скачкообразно при увеличении концентрации акцептора в смеси, что наблюдалось по оптическим спектрам поглощения растворов. Пороговый характер зависимости поглощения CTC приписан скачкообразному изменению концентрации CTC, которое не объясняется стандартной моделью, описывающей оптические характеристики межмолекулярных CTC.

Доп.точки доступа:
Паращук, О. Д.; Сосорев, А. Ю.; Бруевич, В. В.; Паращук, Д. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кучеренко, М. Г.
Кинетика квазистатического тушения возбужденных центров поверхностного слоя сегментами макромолекулярных цепей в нанопорах вблизи наночастиц [Текст] / Кучеренко М. Г., Кручинин Н. Ю., Чмерева Т. М. // Вестник Оренбургского государственного университета. - 2010. - N 5, май. - С. 124-135. - Библиогр.: с. 135 . - ISSN 1814-6457

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
биологические среды -- межмолекулярное взаимодействие -- диполь-дипольное взаимодействие -- диполи -- нанотела -- донорно-акцепторный механизм -- конформации макромолекул -- лизоцим -- белки -- адсорбенты -- доноры -- акцепторы -- белково-фуллереновые кластеры -- фуллерены
Аннотация: Исследована кинетика безызлучательного переноса энергии электронного возбуждения между молекулами, резмещенными внутри сферической нанополости, заполненной макромолекулярными цепями.

Доп.точки доступа:
Кручинин, Н. Ю.; Чмерева, Т. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 729-734. : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe.

Доп.точки доступа:
Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045. : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы
Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag[2]Te при концентрациях акцепторов N[a]< 4. 2x10{16} см{-3} в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma (T) и термоэдс alpha0 (T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma (T) и alpha0 (T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах.

Доп.точки доступа:
Алиев, Ф. Ф.; Джафаров, М. Б.; Аскерова, Г. З.; Годжаев, Э. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-14

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	82360
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)