Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=акцепторные центры<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045. : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1046-1049. : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы
Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок.

Доп.точки доступа:
Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Курова, И. А.
Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния [Текст] / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1624-1628. : ил. - Библиогр.: с. 1628 (15 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические свойства -- слоистые пленки -- аморфный кремний -- гидрированный кремний -- температурные зависимости -- фотопроводимость пленок -- нелегированные пленки -- интенсивность освещения -- фоточувствительность пленок -- стандартные пленки -- темновая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- температурное гашение -- электрические свойства -- оборванные связи -- кремний -- акцепторные центры -- коэффициенты захвата
Аннотация: Исследованы температурные зависимости фотопроводимости слоистых и стандартных нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния в широкой области температур (130-420 K) и интенсивностей освещения (0. 1-60 мВт·см{-2}). Установлено, что более высокая фоточувствительность слоистых пленок по сравнению со стандартными пленками определяется малой темновой проводимостью слоистых пленок вследствие более глубокого положения равновесного уровня Ферми в запрещенной зоне и отсутствием температурного гашения их фотопроводимости. Показано, что эти особенности электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок можно объяснить малой концентрацией оборванных связей кремния по сравнению с концентрацией связанных с кислородом акцепторных центров, имеющих большой коэффициент захвата для дырок.

Доп.точки доступа:
Ормонт, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / В. С. Варавин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 408-413. : ил. - Библиогр.: с. 413 (7 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гидрогенизация пленок -- пленки -- электрофизические свойства -- гетероэпитаксиальные структуры -- ГЭС -- электрохимическая обработка -- акцепторные центры -- водород -- активация -- дырки (физика)
Аннотация: Исследовано явление гидрогенизации пленок Cd[x]Hg[1-x]Te. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок Cd[x]Hg[1-x]Te в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 10{17} см{-3}. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 10{18} см{-3}. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал.

Доп.точки доступа:
Варавин, В. С.; Сидоров, Г. Ю.; Гарифуллин, М. О.; Вишняков, А. В.; Сидоров, Ю. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Relaxation of the shallow acceptor center in germanium [Text] / T. N. Mamedov [et al.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 12. - С. 744-747

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
германий -- полупроводники -- акцепторные центры -- поверхностные акцепторные центры -- галлий

Доп.точки доступа:
Mamedov, T. N.; Baturin, A. S.; Duginov, V. N.; Gritsaj, K. I.; Khasanov, R.; Maisuradze, A.; Stoykov, A. V.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	973
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)