Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=активная область<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Полупроводниковые лазеры спектрального диапазона 1. 3 мкм на квантовых точках с высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации (0. 2 нм/К) [Текст] / Л. Я. Карачинский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 708-713

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- полупроводниковые лазеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- активная область -- многослойный интерференционный отражатель -- волноводы
Аннотация: Созданы и исследованы лазеры спектрального диапазона 1. 3 мкм на структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs, с активной областью на основе квантовых точек InAs. В схеме резонатора использован многослойный интерференционный отражатель, приводящий к тому, что высокий фактор оптического ограничения и низкие потери на утекание реализуются только для света, распространяющегося под определенным углом и, следовательно, имеющего строго определенную длину волны. Показано, что за счет использования такой конструкции волновода температурный сдвиг длины волны лазерной генерации составляет 0. 2 нм/K, что в 2. 5 раза меньше, чем в лазерах на квантовых точках со стандартной конструкцией волновода. Лазеры с шириной полоскового контакта W=10 мкм показали пространственно-одномодовое излучение, что подтверждает преимущества предложенной оригинальной конструкции оптического волновода.

Доп.точки доступа:
Карачинский, Л. Я.; Новиков, И. И.; Шерняков, Ю. М.; Гордеев, Н. Ю.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Михрин, С. С.; Лифшиц, М. Б.; Щукин, В. А.; Копьев, П. С.; Леденцов, Н. Н.; Бимберг, Д.

Найти похожие

Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1514-1518. : ил. - Библиогр.: с. 1518 (7 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- импульсные лазеры -- излучение лазеров -- спектры излучения -- температура -- лазеры с высоким спектральным разрешением -- диапазоны -- активная область -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- экспериментальные исследования
Аннотация: Исследованы спектры импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением. Характерная ширина линии на полувысоте составила 0. 01 см{-1}, она определяется изменением температуры лазера за время импульса питающего напряжения. Показано, что увеличение температуры лазера приводит к уменьшению частоты излучения, что вызвано увеличением эффективного показателя преломления активной области. Также обнаружено, что уменьшение питающего напряжения приводит к уменьшению частоты излучения, что связано с изменением энергии диагональных переходов между рабочими уровнями лазера.

Доп.точки доступа:
Иконников, А. В.; Антонов, А. В.; Ластовкин, А. А.; Гавриленко, В. И.; Садофьев, Ю. Г.; Samal, N.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов [Текст] / Б. Я. Бер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 425-431. : ил. - Библиогр.: с. 430-431 (22 назв. )

УДК

^a621.371.8

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
легирование кремнием -- светодиоды -- квантово-размерные структуры -- InGaN/GaN -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- наноматериалы -- активная область -- ток -- температура
Аннотация: Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j ~50 А/см{2}) наблюдалось при сильном легировании n{+}-области (до 10{19} см{-3}) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p{+}-области. При j > 50 А/см{2} доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta (j) пропорционально j{-b}, где 0. 2

Доп.точки доступа:
Бер, Б. Я.; Богданова, Е. В.; Грешнов, А. А.; Закгейм, А. Л.; Казанцев, Д. Ю.; Карташова, А. П.; Павлюченко, А. С.; Чернякова, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М.; Якимов, Е. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	23372
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)