Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Шоттки диоды<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Бекбергенов, С. Е.
Эффект немонотонного изменения функциональных параметров арсенид-галлиевых диодов Шоттки при лазерной обработке [Текст] / С. Е. Бекбергенов, А. Б. Камалов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 15-18 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
лазерная обработка -- арсенид-галлиевые диоды -- полупроводниковые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- облучение лазерными импульсами
Аннотация: Исследовано влияние лазерной обработки на электрофизические характеристики арсенид-галлиевых диодных структур с барьером Шоттки. Показана возможность управления параметрами диодов при облучении лазерными импульсами небольшой интенсивности.

Доп.точки доступа:
Камалов, А. Б.

Найти похожие

Потапов, А. С.
Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеальности никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC [Текст] / А. С. Потапов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 640-644

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
контакты Шоттки -- Шоттки контакты -- гетерограницы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды
Аннотация: Исследовано влияние отжига на электрические свойства 50 никелевых контактов Шоттки, сформированных на одной пластине 4H-SiC. Показано, что отжиг при температуре 200 градусов C в течение 1 ч способствует гомогенизации гетерограницы металл-полупроводник, что приводит к уменьшению разброса параметров контактов - фактора неидеальности и эффективной высоты барьера. При более высоких температурах отжига (350-450 градусов C) разброс этих параметров вновь увеличивается, по-видимому, из-за локального химического взаимодействия никеля с карбидом кремния.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Самсонова, Т. П.

Найти похожие

Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 527-530

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
охранные кольца -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- планарные p-n переходы
Аннотация: Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Потапов, А. С.

Найти похожие

Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 552-555

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитые волны -- терагерцевое излучение -- приемники излучения -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- спектральный анализ -- дифракционные решетки
Аннотация: Исследовано резонансное детектирование терагерцового излучения субмикронными полевыми транзисторами GaAs/AlGaAs (длина затвора L=250 нм) с двумерным электронным газом в канале при T=4. 2 K. Для таких транзисторов впервые продемонстрировано смещение максимума отклика (фотоэдс сток-исток) с ростом частоты в область больших напряжений на затворе в соответствии с моделью Дьяконова-Шура. Показано, что при повышении температуры до 77 K зависимость фотоэдс от напряжения на затворе становится нерезонансной, что связано с уменьшением подвижности.

Доп.точки доступа:
Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Teppe, F.; Knap, W.

Найти похожие

Экспериментальные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-Sic [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1249-1252 : ил. - Библиогр.: с. 1252 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диоды Шоткки -- Шоттки диоды -- p-n переходы -- JBS-диоды -- 4H-Sic -- диффузия -- неравновесная диффузия -- бор -- статистические характеристики -- динамические характеристики
Аннотация: Изготовлены интегрированные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные р-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Коньков, О. И.

Найти похожие

Стабилизация частоты излучения первичного источника субтерагерцового диапазона частотной гребенкой фемтосекундного лазера [Текст] / М. Ю. Третьяков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 5. - С. 240-243

УДК

^a621.371.8

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
фазовая стабилизация -- эквидистантные компоненты -- широкополосные спектры -- фемтосекундные лазеры -- лазерные импульсы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- фазовые шумы
Аннотация: Осуществлена фазовая стабилизация частоты излучения первичного источника субтерагерцового диапазона по эквидистантным компонентам широкополосного спектра, получаемым с помощью фемтосекундного лазера. Оптико-терагерцовое преобразование последовательности лазерных импульсов и ее смешение с субтерагерцовым излучением осуществлено на диоде Шоттки. Работа открывает возможность создания принципиально нового поколения синтезаторов частоты с требуемой мощностью, уровень фазовых шумов в которых в тысячи раз ниже, чем в традиционных аналогах.

Доп.точки доступа:
Третьяков, М. Ю.; Шкаев, А. П.; Киселев, А. М.; Бодров, С. Б.; Андрианов, А. В.; Макаров, Д. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых gamma-облучению {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 467-475 : ил. - Библиогр.: с. 474 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
контактные структуры -- металл-проводник -- МП -- диффузионные барьеры -- ДБ -- радиационные повреждения -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- gamma-облучение -- gamma-кванты -- ионизирующее излучение -- облучение -- ионизирующая радиация -- переходные области -- ПО -- контактная металлизация -- металлизация -- радиационная деградация
Аннотация: Рассмотрено влияние ионизирующего излучения gamma-квантами {60}Co в диапазоне доз 10{4}-2x10{9} рад на контакты металл-полупроводник Au-ZrB[x]-AlGaN/GaN и Au-TiB[x]-Al-Ti-n-GaN, а также диодов Шоттки Au-ZrB[x]-n-GaN. Контакты с диффузионными барьерами TiB[x] и ZrB[x] при воздействии ионизирующей радиации не деградируют до доз =~=10{8} рад возрастает дефектность контактной металлизации, сопровождающаяся образованием сквозных пор, что способствует скоплению кислорода на границах раздела Au-ZrB[x] (TiB[x]) и возрастанию массопереноса атомов контактообразующих слоев. При этом наблюдается радиационная деградация диодов Шоттки. Проанализированы возможные механизмы радиационного повреждения контактных структур с диффузионными барьерами.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Об "избыточных" точках утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 680-683 : ил. - Библиогр.: с. 683 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- ДШ -- высоковольтные диоды -- p-n-переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- 4H-SiC -- термоэлектронная эмиссия -- монополярная инжекция -- инжекция -- ток, ограниченный пространственным зарядом -- ТОПЗ -- полное заполнение ловушек -- ПЗЛ -- ловушки
Аннотация: Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде "плавающих" планарных p-n-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток "избыточен". Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Серебренникова, О. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC
Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}.

Доп.точки доступа:
Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Влияние состава и структуры металла на электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки [Текст] / И. Г. Пашаев [и др.] // Инженерная физика. - 2012. - № 10. - С. 23-26 : ил., табл. - Библиогр.: с. 26 (11 назв.) . - ISSN 2072-9995

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные металлы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- пленки сплавов -- металлические пленки -- аморфные пленки -- поликристаллические пленки -- кремниевые диоды -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- диоды -- микроструктуры
Аннотация: Исследовано получение диодов Шоттки и изучены электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава.

Доп.точки доступа:
Пашаев, Ислам Герай оглы; Гараев, Елдар Семед оглы; Назаров, Максуд Сайасад оглы; Абузеров, Исмаил Акбер оглы
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-14

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	27765
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)