Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Шоттки барьеры<.>)

Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-17

Стафеев, В. И.
Структура и свойства контактов Cd[x]Hg[1-x]Te-металл [Текст] / В. И. Стафеев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 636-639

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
многослойная структура -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- переходный слой
Аннотация: Контакт металл-полупроводник - многослойная структура нанометровой толщины слоев состава, зависящего от свойств и способа нанесения металла. Металл с компонентами Cd[x]Hg[1-x]Te (КРТ) образует химические соединения, изменяет свойства приповерхностного слоя. Ртуть накапливается на границе с металлом, теллур - на его поверхности. Приведены возникающие соединения КРТ с металлами, теплоты их образования и изменения положения уровня Ферми. Описаны структура и свойства границ золота, серебра, индия, алюминия, меди и других металлов с КРТ и влияние подслоев других металлов и диэлектриков.

Найти похожие

Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP[2] моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства [Текст] / В. Ю. Рудь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 890-896 : ил. - Библиогр.: с. 895-896 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
метод пересублимации -- фоточувствительные структуры -- стехиометрия -- кристаллическая решетка -- барьеры Шоттки -- монокристаллы -- фотовольтаические эффекты -- Шоттки барьеры -- выпрямление -- структуры -- сварные точечные структуры -- фотоплеохроизм -- дифосфид цинка -- фотопреобразователи -- оптические излучения
Аннотация: Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP[2]. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP[2]. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Вайполин, А. А.; Бондарь, И. В.; Осипова, М. А.; Ушакова, Т. Н.

Найти похожие

Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд
Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T=400 K происходит смена механизма токопереноса на термоэлектронный с высотой барьера ~0. 64 эВ и фактором неидеальности, близким к 1. 3.

Доп.точки доступа:
Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В.

Найти похожие

Распределение электрических полей в монокристаллах ZnS : Mn при электролюминесценции [Текст] / М. Ф. Буланый [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 745-749 : ил. - Библиогр.: с. 749 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрические поля -- кристаллы -- монокристаллы -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электролюминесценция -- ЭЛ -- ZnS : Mn
Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики монокристаллов ZnS : Mn и их зависимость от частоты и напряженности электрического поля. Предложена модель механизма возбуждения электролюминесценции в данных кристаллах на основе возбуждения центров свечения электролюминесценции электронами, ускоренными в электрических полях барьеров типа Шоттки. Такие барьеры образованы дислокациями в местах прерывания ими дефектов упаковки. Получено хорошее согласие между экспериментальными и расчетными данными.

Доп.точки доступа:
Буланый, М. Ф.; Коваленко, А. В.; Полежаев, Б. А.; Прокофьев, Т. А.

Найти похожие

Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2]
Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.

Найти похожие

Электрические свойства монокристаллов In[2]Se[3] и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In[2]Se{3] [Текст] / И. В. Бондарь [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1179-1182 : ил. - Библиогр.: с. 1182 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- In[2]Se[3] -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- Al/In[2]Se{3] -- фоточувствительность -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- электрические свойства -- кристаллическая структура -- электропроводность -- удельная электропроводность -- постоянная Холла -- Холла постоянная -- выпрямления -- фотовольтаические эффекты -- фотопреобразователи -- широкополосные преобразователи -- оптические излучения
Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы In[2]Se[3] диаметром 14 и длиной ~ 40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In[2]Se[3]. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In[2]Se[3] определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In[2]Se[3]. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений.

Доп.точки доступа:
Бондарь, И. В.; Ильчук, Г. А.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Сергинов, М.

Найти похожие

Бланк, Т. В.
Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам A{III}B{V} [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1204-1209 : ил. - Библиогр.: с. 1209 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- GaAs -- GaP -- GaN -- металлические шунты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- сопротивления -- дислокации
Аннотация: Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока.

Доп.точки доступа:
Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А.

Найти похожие

Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения
Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения.

Доп.точки доступа:
Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С.

Найти похожие

Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC [Текст] / Т. В. Бланк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 482-485 : ил. - Библиогр.: с. 484-485 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- n-4H-SiC -- протекание тока -- сопротивление -- термоэлектронная эмиссия -- постоянная Ричардсона -- Ричардсона постоянная -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- температура
Аннотация: Изучалось протекание тока в омическом контакте In-n-4H-SiC (n~3·10{17} см{-3}) на основании зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры. Установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через барьер ~0. 1 эВ. При этом эффективная постоянная Ричардсона оказалась равной ~2x10{-2} А/см{2}xK.

Доп.точки доступа:
Бланк, Т. В.; Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А.; Солдатенков, Ф. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Король, А. Н.
Резко нелинейная вольт-амперная характеристика структуры с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки [Текст] / А. Н. Король, И. В. Носенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 497-500 : ил. - Библиогр.: с. 499 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
туннельно-резонансные структуры -- ТРС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нелинейные вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- квантовые ямы -- обедненные слои (физика)
Аннотация: Рассматривается гетероструктура, в которой квантовая яма образована в обедненном слое барьера Шоттки. Рассчитана и проанализирована прямая ветвь вольт-амперной характеристики данной структуры. Показано, что в широком диапазоне типичных значений параметров рассматриваемой структуры наблюдается N-образная резко нелинейная вольт-амперная характеристика с ярко выраженным участком отрицательного дифференциального сопротивления, причем ее контрастность достигает высоких значений.

Доп.точки доступа:
Носенко, И. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-17

Тематический навигатор

Статистика за 04.07.2024
Число запросов	103309
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)