Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (7)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Шоттки барьер<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-11

Мамедов, Азер Каграман оглы.
Аппроксимация температурно-частотных характеристик контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / А. К. Мамедов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 37-40 : ил. - Библиогр.: с. 40 (6 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника
Кл.слова (ненормированные):
частотные характеристики -- аппроксимация -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- металлы -- полупроводники -- эквивалентные емкости
Аннотация: Предложены аппроксимации зависимостей эквивалентной емкости, эквивалентного сопротивления и постоянной времени параллельной схемы замещения контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от частоты и температуры.

Найти похожие

Новости нано- и микросистемной техники [Текст] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 48-52 . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- микросенсоры -- углеродные нанотрубки -- графеновый транзистор -- нанопроволочный транзистор -- кремниевые нанопроволочные полевые транзисторы -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Ученые разработали микросенсоры, применяемые во время химиотерапии. Исследуется угроза для спутников, вызванная оружием направленной энергии земного базирования, и состояние исследований и разработок в области нанотехнологии, направленных на ослабление этой угрозы. Рассмотрен и смоделирован аналитически графеновый наноленточный полевой транзистор. Представлен новый подход к использованию нанопроволок с поперечной структурой для цифровой обработки сигнала.

Найти похожие

Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния [Текст] / Д. И. Биленко [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 15-18. - Библиогр.: с. 18 (15 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- пористый кремний -- емкостные свойства -- адсорбция полярных молекул -- частотная зависимость -- сенсор -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Исследованы емкостные свойства диодных структур на основе частично окисленного нанопористого кремния в диапазоне частот 10... 10 6 Гц в нормальных условиях и при адсорбции полярных молекул. Обнаружено, что для образцов с барьером Шоттки в низкочастотном диапазоне рост емкости при адсорбции превышает 10 2 раз. Это указывает на возможность создания емкостных сенсоров на основе окисленного нанопористого кремния.

Доп.точки доступа:
Биленко, Д. И.; Белобровая, О. Я.; Галушка, В. В.; Жаркова, Э. А.; Мысенко, И. Б.; Хасина, Е. И.

Найти похожие

Громов, Д. В.
Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия [Текст] / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 5. - С. 39-48. . - Библиогр.: с. 48 (13 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
нитрид галлия -- ионизирующее излучение -- наногетероструктуры -- двумерный электронный газ -- СВЧ-элементная база -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия при воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов.

Доп.точки доступа:
Матвеев, Ю. А.; Федоров, Ю. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Богданов, С. А.
Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки с учетом краевых эффектов [Текст] / С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 5. - С. 12-15. . - Библиогр.: с. 15 (7 назв. )

УДК

^a681.5

ББК 32.81
Рубрики: Радиоэлектроника
Кибернетика
Кл.слова (ненормированные):
барьер Шоттки -- полупроводники -- Шоттки барьер -- уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение -- электростатический потенциал -- краевой эффект
Аннотация: Разработана методика определения электростатического патенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике.

Доп.точки доступа:
Захаров, А. Г.; Лютюк, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Викулов, А. Г.
Влияние поверхностных нанопленок на электрическую и тепловую проводимость контактов металлов [Текст] / А. Г. Викулов, Д. Г. Викулов // Инженерная физика. - 2011. - N 10. - С. 26-43.

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поверхностные нанопленки -- нанопленки -- контактная электронная проводимость -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- металлические контакты -- электронная проводимость нанопленок -- работа выхода металла -- работа выхода полупроводника
Аннотация: Рассматриваются электрическая и тепловая проводимости полупроводниковых поверхностных пленок в металлических контактах. Исследуется зонная структура интерфейса и механизм формирования потенциального барьера при различном соотношении работ выхода металла и полупроводника. Приводятся выражения электрического и теплового сопротивлений электронной проводимости полупроводниковых нанопленок. Изучается зависимость сопротивлений от барьера, температуры, диэлектрических свойств и толщины пленки. Обосновывается возможность измерения толщины пленок в симметричных металлических контактах. Описывается метод регулирования электронной проводимости металлических интерфейсов при помощи многослойных структур на основе полупроводниковых нанопленок.

Доп.точки доступа:
Викулов, Д. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ламкин, Иван Анатольевич.
Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия [Текст] / И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (1 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- твердые растворы -- нитрид галлия -- нитрид алюминия -- фотоприемники -- ультрафиолетовые фотоприемники -- омический контакт -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- фоточувствительные структуры
Аннотация: Рассмотрены проблемы создания качественных омических и выпрямляющих контактов к твердым растворам AlGaN с большой долей Al. Изложены основные проблемы при создании ультрафиолетовых фоточувствительных структур на основе контактов металл - твердые растворы AlGaN.The paper considers the problem of creating high-quality ohmic and rectifying contacts to AlGaN solid solutions with a high degree of Al. The basic problems connected with creating ultraviolet photosensitive structures based on the contact metal - AlGaN solid contacts are presented.

Доп.точки доступа:
Менькович, Екатерина Андреевна; Тарасов, Сергей Анатольевич
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние состава и структуры металла на электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки [Текст] / И. Г. Пашаев [и др.] // Инженерная физика. - 2012. - № 10. - С. 23-26 : ил., табл. - Библиогр.: с. 26 (11 назв.) . - ISSN 2072-9995

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные металлы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- пленки сплавов -- металлические пленки -- аморфные пленки -- поликристаллические пленки -- кремниевые диоды -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- диоды -- микроструктуры
Аннотация: Исследовано получение диодов Шоттки и изучены электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава.

Доп.точки доступа:
Пашаев, Ислам Герай оглы; Гараев, Елдар Семед оглы; Назаров, Максуд Сайасад оглы; Абузеров, Исмаил Акбер оглы
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

621.391
К 52

Клюев, А. В.
Описание спектра естественных шумов полупроводниковых диодов на основе модифицированного соотношения Ван дер Зила [Текст] / А. В. Клюев, Е. И. Шмелев, А. В. Якимов // Известия вузов. Радиофизика. - 2014. - Т. 57, № 12. - С. 995-1004 : 5 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1002-1003 (27 назв. ) . - ISSN 0021-3462

УДК

621.391

ББК 32.811
Рубрики: Радиоэлектроника
Теория информации. Общая теория связи
Кл.слова (ненормированные):
естественные шумы -- полупроводниковые диоды -- соотношение Ван дер Зила -- Ван дер Зила соотношение -- коэффициент неидеальности -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: В работе исследуется спектр SiD естественных (тепловых и дробовых) токовых шумов p-n-перехода, а также барьера Шоттки с коэффициентом неидеальности вольт-амперной характеристики эта, превышающим единицу. Приводятся результаты, полученные с помощью специализированной экспериментальной установки. Для их объяснения использовалась эквивалентная схема, учитывающая наличие последовательного сопротивления базы и контактов диода, а также возможность существования тока утечки.

Доп.точки доступа:
Шмелев, Е. И.; Якимов, А. В.; Нижегородский госуниверситет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский госуниверситет им. Н. И. ЛобачевскогоНижегородский госуниверситет им. Н. И. Лобачевского

Найти похожие

10.

Пашаев, Ислам Герай оглы.
Изучение металлических покрытий на поверхности кремния [Текст] = Study of metal coatings silicon surface / И. Г. Пашаев // Инженерная физика. - 2015. - № 4. - С. 48-54 : ил., табл. - Библиогр.: с. 53-54 (18 назв.) . - ISSN 2072-9995

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
Шоттки барьер -- барьер Шоттки -- граница раздела (физика) -- диоды -- диффузионные барьеры -- кремний -- металлические покрытия -- микроструктуры -- многослойная металлизация -- термическое расширение -- термоотжиг
Аннотация: В работе исследована возможность получения многослойной металлизации Al-NiTi-Pd на поверхности монокристаллического кремния n-типа. Показано, что вследствие различия коэффициентов термического расширения, параметров решетки кремния и материала осаждаемого слоя пленки могут иметь различную степень дефектности. Установлена роль термоотжига в формировании границы раздела Al-NiTi-PdSi/n-Si. На основе полученных многослойных структур изготовлены диоды Шоттки и изучены их характеристики. Выявлена возможность устранения технологической операции создания диффузионного барьера Ni-Ti, в случае качественного контакта PdSi с n-Si.
It is researched possibility of receipt of multi-layered metallization of Al-NiTi-Pd on the surface of single-crystal silicon n-tipe. It is shown that because of distinction for coefficients of thermal expansion, parameters of silicon lattice and material of the presi-pitable layer of tape can have a different degree of imperfectness. The role of thermoburning is set in forming of border of devesion Al-NiTi-PdSi/n-Si. On the basis of the got multilayered structures the Schottky diodes are made and their descriptions are studied. Possibility of removal of technological operation on creation of diffusive barrier Ni-Ti, in the case of high-quality contact of PdSi with n-Si is educed.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-11

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	79994
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)