Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Ферми уровни<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Брудный, В. Н.
Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V[2] [Текст] / В. Н. Брудный // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1187-1194 : ил. - Библиогр.: с. 1194 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводники группы II-IV-V[2] -- высокоэнергетические частицы -- электроны -- протоны -- нейтроны -- облучение -- высокоэнергетическое облучение -- тройные полупроводниковые соединения -- электрические свойства -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- экспериментальные данные
Аннотация: Представлены экспериментальные данные по электронным свойствам полупроводников группы II-IV-V[2], облученных высокоэнергетическими частицами - электронами, протонами и нейтронами. Проведена оценка предельных электрических характеристик облученных тройных полупроводников сравнительно с соответствующими данными для их бинарных аналогов III-V. Особое внимание уделено оценке предельного положения уровня Ферми F[lim] в облученных соединениях II-IV-V[2], представлены данные расчетов энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности.

Найти похожие

Аванесян, В. Т.
Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, С. А. Потачев, Е. П. Баранова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1538-1540 : ил. - Библиогр.: с. 1540 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
слои -- поликристаллические слои -- фотопроводящие слои -- Pb[3]O[4] -- свинцовый сурик -- проводимость -- прыжковая проводимость -- теория Мотта -- Мотта теория -- электроперенос -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- носители заряда -- НЗ -- температура -- электрический перенос
Аннотация: В поликристаллических слоях Pb[3]O[4] изучена проводимость на переменном токе в интервале частот f=10{2}-10{5} Гц и диапазоне температур 293-370 K в темновом и световом режимах измерения. Обсуждаются особенности процесса переноса заряда. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Мотта показывает, что проводимость отвечает прыжковому механизму и имеет место электроперенос в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми. Для различных значений температуры определены микропараметры, определяющие процесс проводимости, такие как плотность локальных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Потачев, С. А.; Баранова, Е. П.

Найти похожие

Еремеев, С. В.
Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах A\{V\}[2] B\{VI\}[3] [Текст] / С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 419-423

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронные поверхностные состояния -- электронная структура -- топологические изоляторы -- изоляторы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- халькоген -- оборванная связь -- полуметаллы
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений A\{V\}[2] B\{VI\}[3], содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi[2]Te[3], Bi[2]Se[3] и Sb[2]Te[3] и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа "оборванной связи" на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности.

Доп.точки доступа:
Коротеев, Ю. М.; Чулков, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Гурин, Н. Т.
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 517-526 : ил. - Библиогр.: с. 526 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- поверхностные состояния -- границы раздела -- диэлектрик-проводник -- люминофоры -- излучатели -- релаксация электронов -- время жизни электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- туннелирование электронов
Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик- (люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5) x10{-12} см{2}/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0. 2-0. 25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний -более или порядка (6. 7-8. 3) ·10{-21} см{2}; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2. 5x10{13} см-{2}, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7x10{14} см{-2}эВ{-1}. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0. 9-1. 35 эВ в зависимости от режима возбуждения.

Доп.точки доступа:
Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности проводимости gamma-облученных кристаллов TLGaTe[2] с наноцепочечной структурой [Текст] / Р. М. Сардарлы [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 610-614 : ил. - Библиогр.: с. 614 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- кристаллы -- TLGaTe[2] -- gamma-облученные кристаллы -- электропроводность -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- наноцепочечные структуры -- температурная зависимость -- приближение Мотта -- Мотта приближение -- энергия активации -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- эффект Пула - Френкеля -- Пула - Френкеля эффект -- потенциальные ямы -- радиационное воздействие -- наноцепочки
Аннотация: Изучены температурные зависимости электропроводности sigma (T) и вольт-амперные характеристики одномерных монокристаллов TLGaTe[2], подвергнутых различным дозам gamma-облучения, в обеих геометриях эксперимента - по наноцепочкам, параллельным тетрагональной оси кристалла (sigma[II]) и перпендикулярно им (sigma [normal] ). Показано, что зависимость sigma (T), измеренная в омической области вольт-амперной характеристики, имеет прыжковый характер и описывается в приближении Мотта. Рассчитаны значения плотности локализованных состояний N[F], энергии активации E[a], длины прыжков R, разность между энергиями состояний Delta E вблизи уровня Ферми и концентрации глубоких ловушек N[t]. Исследованы также вольт-амперные характеристики области более резкого роста тока. Показано, что эта область вольт-амперных характеристик описывается в рамках термополевого эффекта Пула-Френкеля. Определены значения концентрации ионизованных центров N[f], длина свободного пробега lambda, значения коэффициента Френкеля beta, форма потенциальной ямы в исходных и облученных (250 Мрад) кристаллах TLGaTe[2]. Показано, что анизотропия проводимости изменяется при радиационном воздействии, приводящем к трансляционной упорядоченности наноцепочек.

Доп.точки доступа:
Сардарлы, Р. М.; Самедов, О. А.; Абдуллаев, А. П.; Гусейнов, Э. К.; Салманов, Ф. Т.; Сафарова, Г. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 822-828. : ил. - Библиогр.: с. 827-828 (23 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- GaN-светодиоды -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- квантовые ямы -- туннелирование -- барьерные слои -- туннельно-рекомбинационный ток -- дефекты -- квантовая эффективность
Аннотация: Исследована квантовая эффективность светодиодных структур на основе GaN при различных температурах и смещениях. Обнаружено, что уменьшение эффективности с ростом плотности тока наблюдается одновременно с возрастанием туннельной компоненты тока через светодиод и с достижением квазиуровнями Ферми порога подвижности в активном слое InGaN. Показано, что падение внутренней квантовой эффективности с ростом плотности тока обусловлено утечкой носителей из квантовой ямы. Причиной утечки являются туннельные переходы из хвостов плотности состояний квантовой ямы на локальные энергетические уровни дефектов внутри запрещенных зон барьерных слоев.

Доп.точки доступа:
Бочкарева, Н. И.; Вороненков, В. В.; Горбунов, Р. И.; Зубрилов, А. С.; Леликов, Ю. С.; Латышев, Ф. Е.; Ребане, Ю. Т.; Цюк, А. И.; Шретер, Ю. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb [Текст] / Ю. Б. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1559-1562. : ил. - Библиогр.: с. 1562 (10 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
циклотронный резонанс -- ЦР -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- InSb/AlInSb -- двумерные электроны -- электроны -- магнитные поля -- поглощение электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- модель Кейна -- Кейна модель -- спин-орбитальное взаимодействие
Аннотация: Проведены исследования поглощения двумерных электронов в квантовых ямах на основе InSb в квантующих магнитных полях в терагерцовой области спектра. В качестве источника излучения использовался циклотронный лазер на p-Ge. Из спектров циклотронного резонанса определена эффективная масса носителей на уровне Ферми, равная 0. 0219[m0] (m0 масса свободного электрона). Показано, что спектр электронов описывается моделью Кейна в широком диапазоне магнитных полей. В слабых магнитных полях наблюдается аномально сильное расщепление линии циклотронного резонанса, не связанное с непараболичностью зоны проводимости InSb, которое может быть объяснено эффектом спин-орбитального взаимодействия.

Доп.точки доступа:
Васильев, Ю. Б.; Gouider, F.; Nachtwei, G.; Buckle, P. D.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1591-1595. : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции
Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.

Доп.точки доступа:
Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	27155
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)