Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (6)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ФЛ<.>)

Общее количество найденных документов : 41
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-41 41-41

Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода
Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN
Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК.

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И.

Найти похожие

Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 961-965 : ил. - Библиогр.: с. 965 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- фотолюминесценция -- ФЛ -- нитрид кремния -- ионное облучение -- облучение ионами -- пиролитические пленки -- молекулярный азот -- аргон -- ионы аргона -- азот -- ионы азота -- электронные переходы -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: При 293 K исследовались фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс пиролитических пленок нитрида кремния, облученных ионами аргона или молекулярными ионами азота и отожженных при температурах 500-1100{o}C. Спектр поглощения свидетельствует о том, что широкая полоса фотолюминесценции в области 400-600 нм связана с электронными переходами между хвостами зон. Облучение ионами аргона с малыми дозами незначительно понижает интенсивность фотолюминесценции, а с большими дозами может после отжигов при 800-900{o}C усиливать ее более чем в 2 раза. Вместе с тем облучение ионами азота приводит к значительному, более чем на порядок, уменьшению интегральной интенсивности фотолюминесценции. Наблюдалась корреляция изменения интенсивности фотолюминесценции и амплитуды спектров электронного парамагнитного резонанса при отжигах пленок нитрида кремния.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Добычин, Н. А.; Карзанов, В. В.; Марычев, М. О.; Сдобняков, В. В.

Найти похожие

Александров, И. А.
Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN [Текст] / И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 797-803 : ил. - Библиогр.: с. 802-803 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- безызлучательные рекомбинации -- матрицы -- AlN -- GaN -- термические тушения
Аннотация: Проведено исследование механизмов температурного тушения стационарной фотолюминесценции структур с гексагональными квантовыми точками GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались структуры с различным размером квантовых точек, максимум полосы фотолюминесценции которых расположен в диапазоне от 2. 5 до 4 эВ. Обнаружено, что энергия активации термического тушения фотолюминесценции изменяется от 27 до 110 мэВ при уменьшении высоты квантовых точек от 5 до 2 нм. Предложена модель, согласно которой тушение фотолюминесценции происходит через уход носителей заряда с уровней энергии квантовых точек на уровни дефектов матрицы.

Доп.точки доступа:
Журавлев, К. С.; Мансуров, В. Г.

Найти похожие

Влияние присоединения биомолекул на фотолюминесцентные и структурные характеристики квантовых точек CdSe-ZnS [Текст] / Л. В. Борковская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 804-810 : ил. - Библиогр.: с. 809-810 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесцентные характеристики -- структурные характеристики -- биомолекулы -- биосопряжение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- рентгеновская дифракция -- дефекты -- спектры возбуждения -- СВ -- CdSe-ZnS
Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции и ее возбуждения, а также кривые рентгеновской дифракции силанизированных квантовых точек CdSe-ZnS и влияние на них соединения с биомолекулами. В спектрах люминесценции помимо полосы, обусловленной рекомбинацией экситонов в квантовых точках, присутствовало излучение, связанное с дефектами. Установлено, что спектр излучения дефектов содержит, как минимум, две компоненты. Показано, что дефекты расположены преимущественно на точках малого размера, причем дефекты, ответственные за длинноволновую компоненту, расположены преимущественно на точках большего размера, чем дефекты ответственные за коротковолновую компоненту. Обнаружено, что соединение с биомолекулами приводит не только к голубому смещению экситонной полосы, но и к трансформации спектра излучения дефектов, а также к увеличению его вклада в спектр люминесценции. Наблюдающиеся изменения в спектре излучения дефектов объясняются образованием соответствующих центров свечения. Показано, что при присоединении биомолекул в квантовых точках возрастают механические напряжения сжатия. Этим объясняется голубое смещение полосы квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Борковская, Л. В.; Корсунская, Н. Е.; Крыштаб, Т. Г.; Гермаш, Л. П.; Печерская, Е. Ю.; Остапенко, С.; Чернокур, А.

Найти похожие

Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 836-840 : ил. - Библиогр.: с. 840 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- светоизлучающие приборы -- безызлучательная рекомбинация -- БР -- фазовый распад -- фотолюминесценция -- ФЛ -- квантовые ямы -- остаточные квантовые ямы -- ОКЯ -- матрицы -- матрица GaN -- матрица AlGaN -- нанослои -- InGaN
Аннотация: Исследованы структуры, содержащие нанослои InGaN в матрицах GaN и AlGaN, представляющие собой активные области светоизлучающих приборов. Измерены спектры и относительная интенсивность фотолюминесценции в диапазоне температур 20-300 K и зависимость положения пика фотолюминесценции от энергии фотонов возбуждающего света. Показано, что для объяснения температурной зависимости фотолюминесценции требуется, помимо безызлучательной рекомбинации через дефекты в матрице и в остаточной квантовой яме, учитывать дополнительный канал рекомбинации с малой энергией активации, по-видимому, связанный с дефектами, находящимися вблизи квантовых точек. Обнаружено, что структуры с матрицей AlGaN имеют более сильное падение интенсивности фотолюминесценции при увеличении температуры от 50 до ~200 K, чем структуры с матрицей GaN. Анализ температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции в модели, рассматривающей 3 указанных канала безызлучательной рекомбинации, показывает, что она связана с уменьшением энергии локализации носителей относительно остаточной квантовой ямы. Такое уменьшение вызвано подавлением фазового распада слоев InGaN, выращенных в матрице AlGaN. Последнее подтверждается измерениями фотолюминесценции при различной энергии возбуждающего фотона и, кроме уменьшения энергии локализации, приводит также к наблюдавшемуся для этих структур уменьшению концентрации центров рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Сизов, В. С.; Гуткин, А. А.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Брунков, П. Н.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции
Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}.

Доп.точки доступа:
Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г.

Найти похожие

Петров, П. В.
Особенности фононных повторений линии фотолюминесценции экситона, связанного на акцепторе в квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, Н. С. Аверкиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1214-1216 : ил. - Библиогр.: с. 1216 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- GaAs/AlGaAs -- акцепторы -- экситоны -- оже-процессы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- фононы -- фононновые повторения -- рекомбинация
Аннотация: Исследованы фононные повторения линии фотолюминесценции, относящейся к рекомбинации связанного на акцепторе экситона в квантовых ямах структуры GaAs/AIGaAs. Показано, что рекомбинация такого экситона сопровождается оже-процессом, заключающимся в переводе оставшейся на нейтральном акцепторе тяжелой дырки в возбужденное состояние легкой дырки. При этом высвободившийся момент импульса дырки передается фонону.

Доп.точки доступа:
Иванов, Ю. Л.; Аверкиев, Н. С.

Найти похожие

Фотолюминесценция наночастиц CdSe в пористом GaP [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1473-1476 : ил. - Библиогр.: с. 1476 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- CdSe -- пористые пленки -- GaP -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- осаждение -- поверхностно активные вещества
Аннотация: Исследованы свойства фотолюминесценции наноструктурированных частицами CdSe (d=2. 8 нм) пленок пористого GaP. Показано, что осаждение наночастиц CdSe на пленки пористого GaP приводит к сдвигу спектра фотолюминесценции наночастиц, покрытых поверхностно активным веществом, в коротковолновую область. Установлено, что нарушение целостности оболочки наночастиц CdSe из поверхностно активного вещества приводит к образованию, как минимум, двух фракций наночастиц с различными размерами. Данным фракциям соответствуют хорошо разрешенные полосы фотолюминесценции с максимумами 508 и 560 нм.

Доп.точки доступа:
Бачериков, Ю. Ю.; Охрименко, О. Б.; Оптасюк, С. В.; Яценко, Ю. И.; Кидалов, В. В.; Коломинская, Е. В.; Ваксман, Ю. Ф.

Найти похожие

10.

Тропина, Н. Э.
Влияние диэлектрической фазы на спектр фотолюминесценции фрактально структурированных нанокомпозитных пленок селенида свинца [Текст] / Н. Э. Тропина, З. Н. Петровская, И. О. Черноглазова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1477-1480 : ил. - Библиогр.: с. 1480 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
селениды свинца -- пленки -- нанокомпозитные пленки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- подложки -- стеклянные подложки -- диэлектрические фазы -- стекловидные диэлектрические фазы -- нанокластеры -- инфракрасное излучение -- ИК- излучение -- температурный коэффициент линейного расширения -- ТКЛР
Аннотация: Рассмотрены факторы, влияющие на поведение спектров спонтанной фотолюминесценции фрактально структурированных нанокомпозитных пленок селенида свинца, сформированных на стеклянных подложках с различным температурным коэффициентом линейного расширения. Показано, что положение максимума излучения существенно зависит от деформационного влияния стекловидной диэлектрической фазы на нанокластеры селенида свинца.

Доп.точки доступа:
Петровская, З. Н.; Черноглазова, И. О.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-41 41-41

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	34634
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)