Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=МПЭ<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-12

Дубровский, В. Г.
Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев, М. А. Тимофеева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1267-1274 : ил. - Библиогр.: с. 1274 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- нелинейные эффекты -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- адсорбция -- ПЖК -- диффузия -- поверхностная диффузия -- адатомы -- осаждение -- пар-жидкость-кристалл
Аннотация: Развита кинетическая модель роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" за счет адсорбции из газообразной среды и поверхностной диффузии адатомов. Получено нелинейное уравнение для скорости роста нитевидного нанокристалла в стационарном режиме с учетом эффекта Гиббса-Томсона в капле. Показано, что в зависимости от условий процесса осаждения, радиуса кристалла и его начальной длины возможны шесть принципиально различных режимов роста, что связано с квадратичной нелинейностью уравнения роста. При заданных условиях осаждения длина нитевидного нанокристалла либо неограниченно увеличивается, либо стремится к некоторому конечному (в некоторых случаях нулевому) пределу.

Доп.точки доступа:
Сибирев, Н. В.; Тимофеева, М. А.

Найти похожие

Дубровский, В. Г.
Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения [Текст] : обзор / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1585-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1625-1628 (176 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- выращивание нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- структура нанокристаллов -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксия -- селективная эпитаксия -- физические свойства -- нанофотоника -- наноэлектроника -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- нанобиотехнологии -- обзоры -- синтез нанокристаллов -- свойства нанокристаллов -- применение нанокристаллов -- кристаллическая структура нанокристаллов -- пар-кристалл-кристалл -- ПКК -- нуклеация -- поверхностная диффузия -- релаксация упругих напряжений -- температурная зависимость -- морфологические свойства -- магнитные свойства -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- наносенсоры
Аннотация: Дан обзор современных результатов исследований полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Изложены физические основы выращивания нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" и представлены основные эпитаксиальные технологии синтеза нитевидных нанокристаллов. Детально рассмотрены термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологические свойства, состав и кристаллическую структуру нитевидных нанокристаллов. Изложены основные теоретические модели роста и структуры нитевидных нанокристаллов. Приведены данные по физическим свойствам нитевидных нанокристаллов и возможностям их применений в нанофотонике, наноэлектронике и нанобиотехнологии.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.

Найти похожие

Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

^a535.37

ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.

Доп.точки доступа:
Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В.

Найти похожие

Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 265-269 : ил. - Библиогр.: с. 268 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- ЭС -- двойные буферные слои -- ДБС -- деформации -- сапфир -- ZnO -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- рентгеновская дифрактометрия -- дифракции -- дифракционные пики -- геометрия Брегга -- Брегга геометрия -- геометрия Лауэ -- Лауэ геометрия -- мод-сканирование -- коэффициент температурного расширения -- КТР -- дислокации
Аннотация: Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием theta- и (theta-2theta) -мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O > 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O <1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания.

Доп.точки доступа:
Ратников, В. В.; Кютт, Р. Н.; Иванов, С. В.; Щеглов, М. П.; Baar, A.

Найти похожие

Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs [Текст] / П. А. Дементьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 636-641 : ил. - Библиогр.: с. 640-641 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- легирование -- кремний -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- дифракция быстрых электронов на отражение -- ДБЭО -- продольная проводимость -- защитные покрытия -- нелегированные слои -- объемные кристаллы -- подложки
Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs (Si).

Доп.точки доступа:
Дементьев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Титков, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами [Текст] / В. И. Гавриленко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 642-648 : ил. - Библиогр.: с. 648 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InAs/AlSb -- остаточная фотопроводимость -- ОФП -- квантовые ямы -- КЯ -- фотопроводимость -- двойные квантовые ямы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- Шубникова - де-Гааза осцилляции -- электроны -- длина волны -- электрические поля -- ионизованные доноры -- осцилляции Шубникова - де-Гааза
Аннотация: Исследованы эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с покрывающим слоем GaSb с двумерным электронным газом в двойных квантовых ямах InAs при T=4. 2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова-де-Гааза определены концентрации электронов в каждой из квантовых ям при различных длинах волн подсветки и прямым образом продемонстрирована сильная несимметричность структуры, вызванная встроенным электрическим полем. Выполнены самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы и определены значения концентраций ионизованных доноров с обеих сторон от ям, что позволило конкретизировать предложенный ранее механизм биполярной остаточной фотопроводимости в таких структурах.

Доп.точки доступа:
Гавриленко, В. И.; Иконников, А. В.; Криштопенко, С. С.; Ластовкин, А. А.; Маремьянин, К. В.; Садофьев, Ю. Г.; Спирин, К. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты
Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.

Доп.точки доступа:
Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 950-954. : ил. - Библиогр.: с. 954 (4 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- HEMT-гетероструктуры -- InGaAs/AlGaAs/GaAs -- импульсное легирование -- двухканальные псевдоморфные гетероструктуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- метод Холла -- Холла метод -- комнатная температура -- электроны -- многоподложечная промышленная установка -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электрофизические свойства
Аннотация: Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием (delta-легированием) реализованы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на многоподложечной промышленной установке. Подвижность электронов при комнатной температуре, определенная методом Холла, составляет 6550 и 6000 см{2}/Bxс при концентрации электронов в канале 3. 00x10{12} и 3. 36x10{12} см{-2} соответственно. Гетероструктуры HEMT-транзисторов, изготавливаемые в одном процессе, имеют высокую однородность структурных и электрофизических характеристик по всей площади пластин диаметром 76. 2 мм и высокую воспроизводимость характеристик от процесса к процессу.

Доп.точки доступа:
Егоров, А. Ю.; Гладышев, А. Г.; Никитина, Е. В.; Денисов, Д. В.; Поляков, Н. К.; Пирогов, Е. В.; Горбацевич, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм [Текст] / В. В. Мамутин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 995-1001. : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- квантовые ямы -- КЯ -- длина волны -- сверхрешетки -- инжекция -- вертикальные переходы -- лазеры -- активные области -- время жизни -- излучение -- генерация -- температура
Аннотация: Продемонстрированы квантовые каскадные лазеры, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией, излучающие на длине волны 5. 0 мкм при 77 K и 5. 2 мкм при 300 K, основанные на четырехъямной схеме активной области с вертикальными переходами и с напряженно-компенсированными сверхрешетками с высокой эффективностью инжекции и коротким временем жизни основного состояния. Типичные пороги генерации при 300 K были в пределах 4-10 кА/см{2}. Максимальная мощность излучения достигала ~1 Вт, максимальная температура генерации ~450 K, максимальная характеристическая температура составляла T0~ 200 K. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяло воспроизводимо получать высококачественные приборы.

Доп.точки доступа:
Мамутин, В. В.; Устинов, В. М.; Boetthcher, J.; Kuenzel, H.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1098-1103. : ил. - Библиогр.: с. 1103 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InSb/InAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- ЭЛ -- кваново-размерные гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- монослои -- МС -- сверхрешетки -- СР -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- излучательная рекомбинация -- акцепторные примесные центры -- комнатная температура -- светоизлучающие приборы
Аннотация: Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм.

Доп.точки доступа:
Терентьев, Я. В.; Мухин, М. С.; Соловьев, В. А.; Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-12

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	33398
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)