Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (8)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=КРС<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Воронько, Ю. К.
Моноклинно-тетрагональный фазовый переход в оксиде гафния: исследования методом высокотемпературной спектроскопии комбинационного рассеяния света [Текст] / Ю. К. Воронько, А. А. Соболь, В. Е. Шукшин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1871-1875. - Библиогр.: с. 1875 (22 назв. ). - 1; Исследования методом высокотемпературной спектроскопии комбинационного рассеяния света

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературная спектроскопия -- колебательные моды -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- оксид гафния -- оксид циркония -- спектры КРС -- фазовые переходы
Аннотация: Методом высокотемпературной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы спектры диоксидов циркония и гафния при температуре 300-2080 K. Указанная температурная область включала интервалы моноклинно-тетрагонального фазового перехода в этих материалах. Изучены закономерности изменения спектров как моноклинных (m), так и тетрагональных (t) модификаций ZrO[2] и HfO[2] с температурой. С использованием поляризованных спектров комбинационного рассеяния метастабильных t-форм в твердых растворах на основе диоксидов циркония и гафния проведена идентификация симметрии колебаний в спектрах тетрагональных форм чистых ZrO[2] и HfO[2] существующих при высоких температурах.

Доп.точки доступа:
Соболь, А. А.; Шукшин, В. Е.

Найти похожие

Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния [Текст] / В. В. Болотов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 957-960 : ил., табл. - Библиогр.: с. 960 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- ПК -- инфракрасная спектроскопия -- Ик-спектроскопия -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- этанол -- оптические параметры -- электрофизические параметры
Аннотация: Методами комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии и измерением вольт-амперных характеристик проведено исследование влияния адсорбции паров этанола на свойства структур на основе пористого кремния. Обнаружено уменьшение сопротивления слоев пористого кремния и одновременный рост интенсивности полосы инфракрасного поглощения, обусловленной наличием групп (OH) {-}... x (OH) {-} (x=1, 2,... ) при экспозиции в парах этанола и наоборот, рост сопротивления пленки пористого кремния и уменьшение поглощения на группах OH{-} при дегазации. Наблюдаемый эффект объясняется изменением области обеднения в элементах скелетона p-Si за счет электростатического взаимодействия групп (OH) {-} с положительно заряженными поверхностными дефектами. Обсуждается влияние на рост проводимости кремния центров с водородной связью типа Si-OH... OH-C[2]H[5].

Доп.точки доступа:
Болотов, В. В.; Стенькин, Ю. А.; Росликов, В. Е.; Кан, В. Е.; Пономарева, И. В.; Несов, С. Н.

Найти похожие

Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия
Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD.

Доп.точки доступа:
Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М.

Найти похожие

Утюж, А. Н.
Влияние давления на спектры комбинационного рассеяния света в монокристалле SnS[2] [Текст] / А. Н. Утюж, Ю. А. Тимофеев, Г. Н. Степанов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 2. - С. 329-332. - Библиогр.: с. 332 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- рассеяние света -- спектры КРС -- спектры комбинационного рассеяние света -- рамановская частота -- внутрислоевые моды -- барический коэффициент -- моды
Аннотация: Проведено исследование политипа 2H слоистого кристалла SnS[2] методом комбинационного рассеяния света при давлении до 5 GPa в камере с алмазными наковальнями. При увеличении давления рамановская частота внутрислоевой моды растет линейно с барическими коэффициентами 5. 2 cm{-1}/GPa при P<3 GPa и 3. 4 cm{-1}/GPa при P>3 GPa. Обнаруженное изменение барического коэффициента для рамановского спектра и литературные данные для рентгеновских измерений сжимаемости 2H-SnS[2] до 10 GPa позволяют сделать заключение о перестройке структуры кристалла в районе 3 GPa.

Доп.точки доступа:
Тимофеев, Ю. А.; Степанов, Г. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO[2]: структурные, оптические, электронные свойства [Текст] / И. В. Антонова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 501-506 : ил. - Библиогр.: с. 505-506 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы кремния -- нк-Si -- облучение -- ионы -- тяжелые ионы -- квантовые точки -- КТ -- электрическая проводимость -- вольт-фарадные характеристики -- структурные свойства -- оптические свойства -- электронные свойства -- фотолюминесценция -- ФЛ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: Обнаружено, что облучение слоев SiO[2], содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям - формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами.

Доп.точки доступа:
Антонова, И. В.; Скуратов, В. А.; Jedrzejewski, J.; Balberg, I.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света [Текст] / Н. Е. Маслова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1074-1077. : ил. - Библиогр.: с. 1076-1077 (17 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы кремния -- субоксид кремния -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- термический отжиг -- термоотжиг -- температура отжига -- фононы -- кристаллические фазы -- аморфные фазы
Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiO[x] (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200{o}C для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6. 5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига.

Доп.точки доступа:
Маслова, Н. Е.; Антоновский, А. А.; Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю.; Глебов, В. Н.; Семиногов, В. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Комбинационное рассеяние света в органических полупроводниках на основе молекул дифталоцианина эрбия и хлорсодержащих молекул трифталоцианина лютеция и европия [Текст] / И. А. Белогорохов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1078-1083. : ил. - Библиогр.: с. 1083 (24 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- органические полупроводники -- дифталоцианин эрбия -- трифталоцианин европия -- хлорсодержащие молекулы -- вибронные состояния -- фталоцианиновые комплексы
Аннотация: Проведено исследование спектров комбинационного рассеяния света в полупроводниковых структурах на основе молекул дифталоцианина эрбия и хлорзамещенных молекул трифталоцианина европия и лютеция при возбуждении Ar{+}-лазером с длиной волны 514 нм. Получена информация о спектральном положении максимумов интенсивности комбинационного рассеяния, характеризующих вибронные состояния основных молекулярных групп, образующих полупроводник. Обнаружены спектральные линии комбинационного рассеяния, не соответствующие известным вибронным состояниям основных молекулярных групп фталоцианина, в диапазонах 100-500 и 500-900 см{-1}. Показано, что в спектрах трифталоцианина некоторые линии комбинационного рассеяния имеют сложную структуру и смещены на несколько обратных сантиметров относительно характерных линий молекулярных групп.

Доп.точки доступа:
Белогорохов, И. А.; Мамичев, Д. А.; Дронов, М. А.; Пушкарев, В. Е.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si (001) [Текст] / А. И. Машин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1552-1558. : ил. - Библиогр.: с. 1558 (20 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- ГС -- конфокальная рамановская микроскопия -- КРМ -- метод конфокальной рамановской микроскопии -- упругие напряжения -- пространственные распределения -- островки (физика) -- GeSi/Si (001) -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- СМЛЭ -- метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- карты распределения элементов -- деформации -- упругие деформации -- температура роста
Аннотация: Метод конфокальной рамановской микроскопии впервые применен для исследования пространственного распределения элементного состава и упругих напряжений в cамоформирующихся островках Ge[x]Si[1-x]/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4]. В спектрах комбинационного рассеяния света, измеренных в области размером <100 нм на поверхности образца, идентифицированы линии, связанные с колебательными модами Si-Si, Ge-Ge и Si-Ge. Полученные карты распределения сдвигов указанных линий по поверхности образца были пересчитаны в карты распределения атомной доли Ge x и упругой деформации varepsilon, усредненных по толщине слоя островков. Изучена зависимость x и varepsilon от температуры роста и номинальной толщины осажденного слоя Ge.

Доп.точки доступа:
Машин, А. И.; Нежданов, А. В.; Филатов, Д. О.; Исаков, М. А.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Компан, М. Е.
Комбинационное рассеяние света в самоформирующемся нанопористом углероде на основе карбида кремния [Текст] / М. Е. Компан, Д. С. Крылов, В. В. Соколов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 316-321. : ил. - Библиогр.: с. 320-321 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- КРС -- спектры комбинационного рассеяния света -- нанопористые углероды -- карбид кремния -- кластеры углеродов -- графаны -- экспериментальные данные
Аннотация: Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в нанопористых углеродных материалах, полученных из карбида кремния. На основе экспериментальных данных и в сравнении с данными, полученными из других типов измерений, прослежены процессы самоформирования материала. Обнаружено изменение спектров комбинационного рассеяния материала, прошедшего дополнительную обработку водородом. Обнаруженный эффект трактуется как наблюдение превращения графеноподобных кластеров углерода в углеводородные производные - графаны.

Доп.точки доступа:
Крылов, Д. С.; Соколов, В. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии [Текст] / А. В. Васин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 360-364. : ил. - Библиогр.: с. 364 (17 назв. )

УДК

^a535.33

ББК 22.344
Рубрики: Физика
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
пористый кремний -- ПК -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- слои кремния -- электрохимическое травление -- метод электрохимического травления -- спектроскопия поглощения -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- удельное сопротивление -- карбонизация кремния -- окисление кремния -- ацетилены -- плавиковая кислота -- температура -- конденсаты -- фотолюминесценция -- нанокомпозиты
Аннотация: Слои пористого кремния были получены методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 10 Ом x см в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии поглощения в инфракрасном диапазоне исследованы процессы взаимодействия пористого кремния с неразбавленным ацетиленом при низкой температуре и окисления карбонизированного пористого кремния парами воды. Установлено, что уже при температуре 550{o}C на поверхности пор образуются кремний-углеродные связи и формируется графитоподобный углеродный конденсат. Показано, что углеродный конденсат препятствует процессу окисления пористого кремния парами воды и способствует гашению белой фотолюминесценции в нанокомпозитном слое окисленного карбонизированного пористого кремния.

Доп.точки доступа:
Васин, А. В.; Охолин, И. Н.; Веровский, И. Н.; Назаров, А. Н.; Лысенко, В. С.; Холостов, К. И.; Бондаренко, В. П.; Ishikawa, Y.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	92904
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)