Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ККЛ<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм [Текст] / В. В. Мамутин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 995-1001. : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- квантовые ямы -- КЯ -- длина волны -- сверхрешетки -- инжекция -- вертикальные переходы -- лазеры -- активные области -- время жизни -- излучение -- генерация -- температура
Аннотация: Продемонстрированы квантовые каскадные лазеры, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией, излучающие на длине волны 5. 0 мкм при 77 K и 5. 2 мкм при 300 K, основанные на четырехъямной схеме активной области с вертикальными переходами и с напряженно-компенсированными сверхрешетками с высокой эффективностью инжекции и коротким временем жизни основного состояния. Типичные пороги генерации при 300 K были в пределах 4-10 кА/см{2}. Максимальная мощность излучения достигала ~1 Вт, максимальная температура генерации ~450 K, максимальная характеристическая температура составляла T0~ 200 K. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяло воспроизводимо получать высококачественные приборы.

Доп.точки доступа:
Мамутин, В. В.; Устинов, В. М.; Boetthcher, J.; Kuenzel, H.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1514-1518. : ил. - Библиогр.: с. 1518 (7 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- импульсные лазеры -- излучение лазеров -- спектры излучения -- температура -- лазеры с высоким спектральным разрешением -- диапазоны -- активная область -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- экспериментальные исследования
Аннотация: Исследованы спектры импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением. Характерная ширина линии на полувысоте составила 0. 01 см{-1}, она определяется изменением температуры лазера за время импульса питающего напряжения. Показано, что увеличение температуры лазера приводит к уменьшению частоты излучения, что вызвано увеличением эффективного показателя преломления активной области. Также обнаружено, что уменьшение питающего напряжения приводит к уменьшению частоты излучения, что связано с изменением энергии диагональных переходов между рабочими уровнями лазера.

Доп.точки доступа:
Иконников, А. В.; Антонов, А. В.; Ластовкин, А. А.; Гавриленко, В. И.; Садофьев, Ю. Г.; Samal, N.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1539-1542. : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика)
Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд.

Доп.точки доступа:
Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ткач, Н. В.
Оптимизация конфигурации симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного детектора [Текст] / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 387-395. : ил. - Библиогр.: с. 395 (22 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые каскадные детекторы -- ККД -- резонансно-туннельная структура -- РТС -- барьеры -- ямы (физика) -- электроны -- динамическая проводимость -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- активные элементы -- конфигурации -- режим работы детектора -- оптимизация структуры -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение
Аннотация: В модели прямоугольных потенциалов и различных эффективных масс электрона в ямах и барьерах открытой трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с одинаковыми внешними барьерами развита теория и выполнен расчет динамической проводимости, возникающей из-за взаимодействия электромагнитного поля с проходящими сквозь структуру электронами. На примере трехбарьерной резонансно-туннельной структуры с ямами In[0. 53]Ga[0. 47]As и барьерами In[0. 52]Al[0. 48]As показано, что независимо от геометрических размеров потенциальных ям и барьеров существует три геометрические конфигурации (положения внутреннего барьера относительно внешних), при которых наносистема как активный элемент обеспечивает оптимальный режим работы квантового каскадного детектора.

Доп.точки доступа:
Сети, Ю. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.08.2024
Число запросов	34629
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)