Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (16)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=АСМ<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-25

Устинов, К. Б.
Об уточнении граничных условий для балочной модели кантилевера атомно-силового микроскопа и их влиянии на интерпретацию результатов измерений [Текст] / К. Б. Устинов // Известия РАН. Механика твердого тела. - 2008. - N 3 : Май-июнь. - С. 182-188. - Библиогр.: с. 188 . - ISSN 1684-2634

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
механика деформируемых тел -- балочные модели кантилевера -- кантилевер -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- деформирование кантилевера -- теория упругости
Аннотация: В работе исследовано влияние граничных условий балочной модели кантилевера атомно-силового микроскопа (АСМ) на результаты вычислений. Показано, что влияние упругости контакта (обычно рассматриваемого как жесткого) кантилевера с массивной частью в ряде случаев может быть весьма существенным.

Найти похожие

Кантилеверные наносенсоры: возможности и применения [Текст] / Т. Ким [и др. ] // Наноиндустрия. - 2009. - N 5. - С. 34-37 : ил.: 3 рис. - Библиогр.: с. 37 (10 назв. )

УДК

^a681.2

ББК 34.9
Рубрики: Приборостроение
Приборостроение в целом
Кл.слова (ненормированные):
кантилеверные наносенсоры -- атомные весы -- атомно-силовые микроскопы -- АСМ -- наночастицы
Аннотация: В весах для измерения массы хорошо работает геометрический принцип. Чем миниатюрнее весы, тем меньше массы можно взвешивать.

Доп.точки доступа:
Ким, Т.; Ванг, К.; Киселев, Г.; Яминский, И.

Найти похожие

Атомно-силовая микроскопия вирусов [Текст] / М. Архипенко [и др. ] // Наноиндустрия. - 2009. - N 5. - С. 38 : ил.: 2 рис. - Библиогр.: с. 38 (3 назв. )

УДК

^a681.2

ББК 34.9
Рубрики: Приборостроение
Приборостроение в целом
Кл.слова (ненормированные):
АСМ -- атомно-силовые микроскопы -- силовая спектроскопия -- методы изучения вирусов -- вирусные частицы
Аннотация: Атомно-силовая микроскопия является основным методом изучения механических свойств вирусных частиц - жесткости, прочности и устойчивости к внешним воздействиям.

Доп.точки доступа:
Архипенко, М.; Дубровин, Е.; Карпова, О.; Сушко, А.; Яминский, И.; Атабеков, И.

Найти похожие

Волков, Григорий Александрович.
Особенности формирования маркетинговой стратегии ИТ-компании в условиях кризиса [Текст] / Г. А. Волков // Известия Санкт-Петербургского университета экономики и финансов. - 2009. - N 4. - С. 89-92. - Библиогр.: с. 92 (2 назв. )

УДК

^a004.9

ББК 32.973-018.2
Рубрики: Вычислительная техника--Россия
Прикладные информационные (компьютерные) технологии в целом--Россия
Кл.слова (ненормированные):
информационные технологии -- ИТ-услуги -- компьютерное оборудование -- программное обеспечение -- ИТ-рынок -- ИТ-компания -- маркетинг -- бенчмаркинг -- антикризисная стратегия маркетинга -- АСМ -- кризисы
Аннотация: О рынке информационных технологий, формировании антикризисной стратегии маркетинга.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Морозов, Илья Александрович (ведущий инженер).
Анализ микроструктуры наполненной резины при атомно-силовой микроскопии [Текст] = Characterization of microstructure of filled rubber by atomic force microscopy / Морозов И. А. // Механика композиционных материалов и конструкций. - 2009. - Т. 15. N 1. - С. 83-93 : 9 ил.; табл. - Библиогр.: с. 92-93 (20 назв. ) . - ISSN 1029-6670

УДК

^a539.3/.6

^a531.7

ББК 30.121 + 22.21
Рубрики: Техника
   Сопротивление материалов
   Механика
   Измерение механических и геометрических величин
Кл.слова (ненормированные):
технический углерод -- резина -- атомно-силовая микроскопия -- анализ микроструктуры наполненной резины -- резиновые композиты -- АСМ -- наполненная резина -- кластеры -- фрактальный анализ кластеров
Аннотация: Механические свойства эластомерных композитов, в частности резин, наполненных техническим углеродом, в значительной степени зависят от однородности распределения наполнителя в материале, размеров его кластеров в конечном продукте, т. е. от качества смешивания компонент композита. Представлена методика количественного анализа структуры наполненной резины при помощи атомно-силового микроскопа (АСМ). Анализ изображений в зависимости от высоты над нулевым уровнем рельефа показал, что число кластеров, их площадь и компактность имеют экстремумы при высоте 0. 45... 0. 5 от максимальной - этот уровень был принят за базовый при дальнейшем исследовании.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Торхов, Н. А.
Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства
Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращенных нелегированным слоем GaAs [Текст] / П. А. Дементьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 636-641 : ил. - Библиогр.: с. 640-641 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нанокристаллы -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- легирование -- кремний -- атомно-силовой микроскоп -- АСМ -- дифракция быстрых электронов на отражение -- ДБЭО -- продольная проводимость -- защитные покрытия -- нелегированные слои -- объемные кристаллы -- подложки
Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к p-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от n-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар-жидкость-кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование p-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs (Si).

Доп.точки доступа:
Дементьев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Титков, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnO-Ag [Текст] / В. С. Хомченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 713-718 : ил. - Библиогр.: с. 718 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- ZnO-Ag -- окись цинка -- серебро -- легирование -- подложки -- сублимация -- рентгеновская дифракция -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кадотолюминесценция -- КЛ -- структурные свойства -- люминесцентные свойства -- излучательные свойства
Аннотация: Пленки ZnO-Ag получены двухступенчатым методом на стеклянных и сапфировых подложках. Легирование серебром осуществлялось методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Толщина пленок варьировалась от 0. 6 до 7 мкм. Для исследования структурных и излучательных свойств были использованы методы рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и кадотолюминесценции. Изучено влияние условий получения на свойства пленок. Найдено, что легирование серебром модифицирует кристаллическую структуру пленок - способствует ориентированному росту в направлении [0002] монокристаллических блоков размером 500-2000 нм. Улучшение кристаллического качества коррелирует с изменением излучательных характеристик пленок. Обсуждается природа центров свечения.

Доп.точки доступа:
Хомченко, В. С.; Кушниренко, В. И.; Папуша, В. П.; Савин, А. К.; Литвин, О. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Торхов, Н. А.
Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 767-774. : ил. - Библиогр.: с. 774 (20 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- металл-проводник -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- контактная разность потенциалов -- КРП
Аннотация: Сильная зависимость токов насыщения прямых и обратных вольт-амперных характеристик высокобарьерных (>0. 6 В) контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от их диаметра D определяется встроенным и сонаправленным с собственным электрическим полем контакта дополнительным электрическим полем, которое образуется под влиянием периферии контакта. Это поле препятствует движению электронов через контакт при подаче на него прямого смещения. Увеличение диаметра контактов от 5 до 700 мкм приводит к уменьшению различия прямых и обратных токов насыщения с пяти порядков практически до нуля. Увеличение диаметра контакта, таким образом, приводит к уменьшению влияния периферии и уменьшению абсолютного значения встроенного электрического поля. Уменьшение высоты барьера (<0. 6 В для D=5 мкм) также приводит практически к полному совпадению прямых и обратных токов насыщения. На обратных ветвях вольт-амперных характеристик влияние встроенного поля проявляется в значительном уменьшении эффективной высоты потенциального барьера вследствие уменьшения его ширины вблизи вершины и значительного увеличения полевой эмиссии электронов через барьер при более низких значениях энергии. На прямых ветвях это проявляется практически в полном отсутствии прямых токов при малых смещениях.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Установка для измерения вольт-амперных характеристик углеродных материалов [Текст] = Setup for measurement of current-voltage characteristics of carbon materials / Е. А. Кислов [и др. ] // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 3 (83). - С. 40-43. : схемы, граф. - Библиогр.: с. 43 (7 назв. )

УДК

^a53.07

^a543.4/.5

ББК 22.3с + 24.46/48
Рубрики: Физика
   Физические приборы и методы физического эксперимента
   Химия
   Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
углеродные материалы -- автоэмиссионные катоды -- универсальный вакуумный пост -- ВУП-4 -- вольт-амперная характеристика углеродных материалов -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ
Аннотация: Создание установки для автоматической регистрации вольт-амперных характеристик автоэмиссионных катодов из углеродных материалов. Исследование эмиссионной характеристики высокоориентированных пирографитов с различной температурой синтеза. Анализ поверхности образцов посредством АСМ.

Доп.точки доступа:
Кислов, Е. А.; Кузнецов, В. Л.; Скоморохов, Д. С.; Терентьева, В. А.; Филатов, А. Л.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-25

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	118204
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)