Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (14)

БД "Статьи" (60)

Труды АМГУ (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Квантовая электроника<.>)

Общее количество найденных документов : 63
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Конобеева, Н. Н.
Zitterbewegung в четырехмерном сферически-симметричном пространстве-времени [Текст] / Н. Н. Конобеева, М. Б. Белоненко // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 6. - С. 119-124 : рис. - Библиогр.: c. 124 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.375

^a53.07

ББК 32.86 + 22.3с
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
   Физика
   Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
Zitterbewegung -- дипольное излучение -- дрожащее движение -- теория ZP-эффекта -- черные дыры -- эффект Zitterbewegung
Аннотация: Исследуется эффект Zitterbewegung (дрожащее движение) в окрестности сферически-симметричной черной дыры. Получено аналитическое выражение для плотности тока, которое описывает ток, вызванный движением волнового пакета электронов. Посчитана интенсивность дипольного излучения в окрестности черной дыры.

Доп.точки доступа:
Белоненко, М. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Анцев, Г. В. (канд. техн. наук).
Бесконтактные помехоустойчивые датчики на поверхностных акустических волнах [Текст] / Г. В. Анцев, С. В. Богословский, Г. А. Сапожников // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 8. - С. 38-43. - Библиогр.: с. 43 (4 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
датчики давления -- бесконтактные помехоустойчивые датчики -- акустические волны -- микроэлектроника
Аннотация: Предложен новый метод построения бесконтактных пассивных датчиков на поверхностных акустических волнах на основе дисперсионных линий задержки. Приведены результаты моделирования применительно к мембранному датчику давления.

Доп.точки доступа:
Богословский, С. В.; Сапожников, Г. А. (д-р техн. наук)

Найти похожие

Сергеев, В. И.
Вариации параметра времени в солитонах. Уравнения запрета [Текст] / В. И. Сергеев, Г. П. Почанин, Е. А. Сергеева // Инженерная физика. - 2013. - № 2. - С. 41-53. - Библиогр.: с. 52-53 (24 назв.) . - ISSN 2072-9995

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
солитоны -- параметры времени -- клонирование -- уравнения запрета -- параметры солитонов -- вариации параметров
Аннотация: Приведены уравнения запрета, показывающие значения параметров солитонов, которые не могут быть использованы при реализации перемещения одномерного объекта в пространстве-времени за счет вариации значения параметров.

Доп.точки доступа:
Почанин, Г. П.; Сергеева, Е. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs [Текст] / В. М. Калыгина [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9. - С. 11-16 : рис. - Библиогр.: c. 16 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

^a621.375

ББК 22.379 + 32.86
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика
   Квантовая электроника
   Радиоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
анодные пленки оксида галлия -- анодный окисел -- вакансии галлия -- влияние кислородной плазмы -- кислородная плазма -- отжиг -- полупроводники -- распределение электронов
Аннотация: Исследовано влияние анодного окисла на концентрацию электронов вблизи границы раздела Ga_2O_3-n-GaAs. Получены кривые распределения электронов по координате в зависимости от напряжения анодирования, времени обработки оксидных пленок в кислородной плазме, температуры и длительности отжига. Снижение концентрации электронов в полупроводнике после нанесения анодного окисла объясняется появлением вакансий Ga, которые являются акцепторами в арсениде галлия.

Доп.точки доступа:
Калыгина, В. М.; Вишникина, В. В.; Зарубин, А. Н.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние несовершенств излучения и технологии на термодеформированное состояние оптических элементов [Текст] / Ю. И. Шанин [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2017. - Т. 90, № 3. - С. 714-720. - Библиогр.: с. 720 (4 назв. ) . - ISSN 0021-0285

УДК

^a536.7

^a621.375

ББК 22.317 + 32.86
Рубрики: Физика
   Термодинамика и статистическая физика
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
термодеформация -- тепловой поток -- система охлаждения -- оптические элементы -- лазерное зеркало -- излучение
Аннотация: Проведены расчеты и анализ термонапряженного состояния оптических элементов (зеркал, проходных окон, светоделителей). Исследованы температурные поля, напряжения, изгибные термоперемещения и расширения оптической поверхности этих элементов в неоднородных локальных условиях их нагружения в зависимости от имеющихся в них дефектов.

Доп.точки доступа:
Шанин, Ю. И.; Шанин, О. И.; Черных, А. В.; Шарапов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Бычков, Ю. И.
Влияние радиусов электродов на ширину разряда накачки и лазерное излучение KrF-лазера [Текст] / Ю. И. Бычков, С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 4. - С. 152-161 : рис., табл. - Библиогр.: c. 161 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.375

^a621.371.8

ББК 32.86 + 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
KRF-лазер -- неоднородный разряд -- радиус электродов -- радиусы электродов
Аннотация: Методом компьютерного моделирования проведено исследование влияния формы электродов на ширину разряда накачки и энергию излучения KrF-лазера с длительностью импульса 30 нс. Получены зависимости распределений по сечению разряда плотности мощности накачки и плотности мощности излучения от радиуса кривизны электродов. Показано, что при сохранении параметров возбуждения и состава смеси, в зависимости энергии излучения от радиуса электродов, имеется оптимум. Он получен для электродов, при которых максимальная плотность мощности возбуждения в разряде не превышает 8 МВ/см{3}.

Доп.точки доступа:
Ямпольская, С. А.; Ястремский, А. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние ступенчатой поверхности SI(100) на процесс зарождения островков Ge [Текст] / М. Ю. Есин [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 13-19 : рис. - Библиогр.: c. 19 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a621.375

ББК 22.37 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- германий -- дифракция быстрых электронов -- квантовые точки -- керманиевые hut-островков -- кремний -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- островки Ge -- поверхность SI (100) -- система кремний-германий
Аннотация: Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si (100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600° С при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0. 652 A/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1 х 2 при предварительном нагреве до 1000° С подложки Si (100), отклоненной к плоскости (111) на угол 0. 35°. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1 х 2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступеням. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si (100), которая предварительно отжигалась при температурах 800 и 1000° С. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек.

Доп.точки доступа:
Есин, М. Ю.; Никифоров, А. И.; Тимофеев, В. А.; Машанов, В. И.; Туктамышев, А. Р.; Лошкарев, И. Д.; Пчеляков, О. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов [Текст] / Б. Я. Бер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 425-431. : ил. - Библиогр.: с. 430-431 (22 назв. )

УДК

^a621.371.8

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
легирование кремнием -- светодиоды -- квантово-размерные структуры -- InGaN/GaN -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- наноматериалы -- активная область -- ток -- температура
Аннотация: Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j ~50 А/см{2}) наблюдалось при сильном легировании n{+}-области (до 10{19} см{-3}) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p{+}-области. При j > 50 А/см{2} доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta (j) пропорционально j{-b}, где 0. 2

Доп.точки доступа:
Бер, Б. Я.; Богданова, Е. В.; Грешнов, А. А.; Закгейм, А. Л.; Казанцев, Д. Ю.; Карташова, А. П.; Павлюченко, А. С.; Чернякова, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М.; Якимов, Е. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Буц, В. А.
Возникновение динамического хаоса в квантовых системах [Текст] = Arising Dynamic Chaos in Quantum Systems / В. А. Буц // Успехи современной радиоэлектроники. - 2009. - N 9. - С. 81-86 : 4 рис. - Библиогр.: с. 86 (9 назв. ). - Аннотация на англ. яз. в конце ст. . - ISSN 2070-0784

УДК

^a621.375

^a530.145

ББК 32.86 + 22.315
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
   Физика
   Квантовая теория поля
Кл.слова (ненормированные):
динамический хаос -- диффузия -- квантовые системы -- квантовый хаос -- хаос динамический -- хаос квантовый
Аннотация: Показано, что динамический хаос характерен для квантовых систем не только в квазиклассическом приближении. В качестве примера рассмотрена сугубо квантовая трехуровневая система. Аналитически найдена величина внешнего возмущения, при котором реализуется режим с динамическим хаосом. Обсуждаются возможные следствия режимов с динамическим хаосом в квантовых системах.

Найти похожие

10.

Волоконно-оптические интерферометрические приемники слабых сейсмосигналов [Текст] / Ю. Н. Кульчин [и др.] // Вестник Дальневосточного отделения РАН. - 2016. - № 4. - С. 56-59. - Библиогр.: с. 59 (7 назв.). - Примеч. в сносках. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки http://elibrary.ru

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
сейсмоприемники -- волоконно-оптические датчики -- интерферометр Маха-Цендера -- Маха-Цендера интерферометр
Аннотация: Рассмотрены волоконно-оптические вертикальный и горизонтальный сейсмоприемники на основе интерферометра Маха-Цендера.

Доп.точки доступа:
Кульчин, Юрий Николаевич (академик); Каменев, Олег Тимурович (доктор физико-математических наук); Петров, Юрий Сергеевич (младший научный сотрудник); Колчинский, Владислав Андреевич (инженер-программист)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 24.08.2024
Число запросов	99685
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)