Поисковый запрос: (<.>S=Квантовая электроника<.>) |
Общее количество найденных документов : 63
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Конобеева Н. Н. Zitterbewegung в четырехмерном сферически-симметричном пространстве-времени/Н. Н. Конобеева, М. Б. Белоненко // Известия вузов. Физика, 2016. т.Т. 59,N № 6.-С.119-124
|
2.
| Анцев Г. В. Бесконтактные помехоустойчивые датчики на поверхностных акустических волнах/Г. В. Анцев, С. В. Богословский, Г. А. Сапожников // Нано- и микросистемная техника, 2009,N N 8.-С.38-43
|
3.
| Сергеев В. И. Вариации параметра времени в солитонах. Уравнения запрета/В. И. Сергеев, Г. П. Почанин, Е. А. Сергеева // Инженерная физика, 2013,N № 2.-С.41-53
|
4.
| Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs/В. М. Калыгина [и др.] // Известия вузов. Физика, 2013. т.Т. 56,N № 9.-С.11-16
|
5.
| Влияние несовершенств излучения и технологии на термодеформированное состояние оптических элементов/Ю. И. Шанин [и др.] // Инженерно-физический журнал, 2017. т.Т. 90,N № 3.-С.714-720
|
6.
| Бычков Ю. И. Влияние радиусов электродов на ширину разряда накачки и лазерное излучение KrF-лазера/Ю. И. Бычков, С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский // Известия вузов. Физика, 2017. т.Т. 60,N № 4.-С.152-161
|
7.
| Влияние ступенчатой поверхности SI(100) на процесс зарождения островков Ge/М. Ю. Есин [и др.] // Известия вузов. Физика, 2017. т.Т. 60,N № 11.-С.13-19
|
8.
| Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов/Б. Я. Бер [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2011. т.Т. 45,N вып. 3
|
9.
| Буц В. А. Возникновение динамического хаоса в квантовых системах/В. А. Буц // Успехи современной радиоэлектроники, 2009,N N 9.-С.81-86
|
10.
| Волоконно-оптические интерферометрические приемники слабых сейсмосигналов/Ю. Н. Кульчин [и др.] // Вестник Дальневосточного отделения РАН, 2016,N № 4.-С.56-59
|
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50
