Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска
БД "Книги"
БД "Статьи"
Труды АМГУ
Выпускные квалификационные работы
Антитеррор
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=элементарные полупроводники<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Смирнов Ю. М.
Заглавие : Кинетика дислокационного течения в кристаллах элементарных полупроводников
Серия: Кристаллофизика
Место публикации : Вестник Тверского государственного университета. - 2009. - N 3 (Физика). - С.31-34
Примечания : Библиогр.: с. 34 (5 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): монокристаллы--кремний--полупроводники--элементарные полупроводники--поверхностная энергия
Аннотация: Оценки скоростей движения дислокаций в монокристаллах кремния. Показана роль поверхностной энергии в образовании дислокаций.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Скворцова А. А., Орлов А. М., Соловьев А. А., Белов Д. И.
Заглавие : Магнитопластический эффект в кремнии: поиск новых методов управления структурно-чувствительными свойствами элементарных полупроводников
Серия: Дефекты и примесные центры. Дислокации. Физика прочности
Место публикации : Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2304-2308. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 2308 (6 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитные поля--магнитопластический эффект--кремний--элементарные полупроводники--примесные точечные дефекты--поверхностные дислокационные сегменты--термический отжиг--магнитопластичность
Аннотация: Рассматривается влияние постоянных магнитных полей (индукцией до 1 T) на состояние примесных точечных дефектов и подвижность дислокационных сегментов в легированном кремнии (0. 01 - Омега х cm). Обнаружены долгоживущие (около 100 h) изменения в состоянии точечных дефектов, детектируемые по подвижности дислокаций, вводимых после магнитной обработки. Изучена концентрационная зависимость магнитопластического эффекта в кремнии p-типа. Зафиксирована пороговая концентрация примеси (10{15} cm {-3}), ниже которой магнитопластический эффект не фиксируется. Рассмотрено влияние предварительного воздействия магнитного поля на времена ожидания дислокаций до открепления и на активационные барьеры открепления дислокаций от стопоров, а также влияние предварительных термических отжигов на магнитопластичность в Si.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 50298
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)