Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (16)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронные переходы<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-12

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Махнев А. А., Номерованная Л. В., Кузнецова Т. В., Терещенко О. Е., Кох К. А.
Заглавие : Оптические свойства и электронная структура соединений BiTeCl и BiTeBr
Серия: Спектроскопия конденсированного состояния
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 3. - С.395-401: граф. - ISSN 0030-4034 (Шифр opsp/2016/121/3). - ISSN 0030-4034
Примечания : Библиогр.: с. 400-401 (20 назв.)
УДК : 535.2/3
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--оптические свойства--электронные структуры--эллипсометрические измерения--взаимодействие рашбы--рашбы взаимодействие--диэлектрическая проницаемость--межзонное поглощение--электронные переходы--спин-орбитальное взаимодействие--спинтроника
Аннотация: Методом эллипсометрии исследованы оптические свойства соединений BiTeCl и BiTeBr с сильным спин-орбитальным взаимодействием Рашбы. Получены фундаментальные характеристики электронной структуры. В спектрах мнимой части диэлектрической проницаемости в интервале энергий между плазменным краем и порогом интенсивного межзонного поглощения обнаружена тонкая структура электронных переходов, подобная соединению BiTeI.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Илларионова Е. А., Илларионов А. И., Никонович О. Л.
Заглавие : Определение электронных переходов в УФ- и видимой областях спектра в молекулах рифампицина
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 1. - С.46-49. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2016/80/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 49 (8 назв. )
УДК : 535.34:544.164
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантово-химические расчеты--метод самосогласованного поля--рифампицин--спектральные поглощательные свойства--электронные переходы
Аннотация: Исследованы спектральные поглощательные свойства органического соединения рифампицина в различных pH растворах. Рассчитаны методом самосогласованного поля линии поглощения молекул рифампицина в УФ- и видимой областях спектра. Изучена природа полос поглощения сложной молекулы рифампицина на основании квантово-химических расчетов ее модельных фрагментов.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Абдрахманов, Наиль Исмагилович (старший преподаватель кафедры радиофизики и связи Физико-технического института Башкирского государственного университета), Тавлыкаев, Рамиль Фуатович, Салихов, Ренат Баязитович
Заглавие : Влияние дипольного момента молекулярного звена на структуру энергетического электронного спектора полидифениленфталидов
Серия: Фазовые превращения
Место публикации : Вестник Челябинского государственного университета. - 2012. - № 30. - С.51-53. - ISSN 1994-2796 (Шифр vche/2012/30). - ISSN 1994-2796
Примечания : Библиогр.: с. 53 (3 назв.)
УДК : 536.42
ББК : 22.375
Предметные рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полимерные материалы--край фундаментального поглащения--электронные переходы--гипсохромный сдвиг--бензольное кольцо
Аннотация: Исследовано влияние дипольного момента молекулярного фрагмента ароматических полимеров (полидифениленфталидов) на энергетическую электронную структуру вблизи основного края фундаментального поглощения. Введение атомов Br и CN-групп в бензольное кольцо приводит к гипcохромному сдвигу и уменьшению поглощения.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барышников В. И., Веснина С. Н., Шестаков А. А.
Заглавие : Эффективность генерации и самосложения частот линий лазерного излучения при диодной накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8]
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С.1238-1242. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2017/81/9). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 1242 (10 назв. )
УДК : 535.530.182
ББК : 22.34
Предметные рубрики: Физика
Оптика в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диодная накачка кристаллов--лазерное излучение--электронные переходы
Аннотация: Исследованы особенности генерации линий лазерного излучения при диодной накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8]. Линии синего, фиолетового и УФ-лазерного излучения наиболее эффективно формируются путем нелинейного самосложения частот линий индуцированного излучения Er3+ на 541 и 553 нм с соответствующими частотами ИК-линии Er{3+} при накачке кристаллов Er: BaY[2]F[8] излучением лазерного диода с длиной волны 972 нм.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Баруздин С. А.
Заглавие : Возбуждение фотонного эха шумовыми импульсами
Серия: Нелинейная и квантовая оптика
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 4. - С.663-669: диагр. - ISSN 0030-4034 (Шифр opsp/2016/121/4). - ISSN 0030-4034
Примечания : Библиогр.: с. 669 (11 назв.)
УДК : 535.2/3
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотонное эхо--возбуждение фотонного эха--шумовые импульсы--гауссовые шумы--электронные переходы--численное моделирование--ступенчатая аппроксимация--эхо-отклики--переходные матрицы--стимулированное эхо--искажения шумового эха--эхо-процессоры
Аннотация: Проведено моделирование возбуждения фотонного эха с использованием шумовых импульсов, формируемых путем модуляции несущей гауссовым шумом. В основе моделирования лежат оптические уравнения Блоха, решение которых для реализации шумовых импульсов строится путем их ступенчатой аппроксимации. Определяются комплексные огибающие первичного и стимулированного эхо-откликов. Установлена граница линейного режима, при превышении которой становятся заметными искажения формы шумового импульса. Промоделированные режимы возбуждения фотонного эха могут использоваться в фотонных эхо-процессорах, предназначенных для обработки сигналов светового диапазона.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тен Г. Н., Глухова О. Е., Слепченков М. М., Щербакова Н. Е., Баранов В. И.
Заглавие : Теоретическое исследование влияние воды на структуру и спектры флуоресценции L-триптофана
Серия: Спектроскопия конденсированного состояния
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 4. - С.655-662: граф., схема, табл. - ISSN 0030-4034 (Шифр opsp/2016/121/4). - ISSN 0030-4034
Примечания : Библиогр.: с. 661-662 (33 назв.)
УДК : 535.37
ББК : 22.345
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): флуоресценция--спектры флуоресценции--структура флуоресценции--триптофаны--электронные переходы--цвиттер-ионные формы--водные растворы--приближение франка - кондона--франка - кондона приближение--вибронные спектры--электронно-возбужденные состояния--синглетно-возбужденные состояния
Аннотация: Вычислены спектры флуоресценции двух длинноволновых электронных переходов незаряженной и цвиттер-ионной формы L-триптофана в водном растворе и комплексе Trp с молекулой воды в приближении Франка - Кондона. Определены геометрические параметры Trp в электронно-возбужденных состояниях и выполнена интерпретация колебательной структуры вибронных спектров.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Демидов Е. С., Добычин Н. А., Карзанов В. В., Марычев М. О., Сдобняков В. В.
Заглавие : Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом
Серия: Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С.961-965: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 965 (14 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронный парамагнитный резонанс--эпр--фотолюминесценция--фл--нитрид кремния--ионное облучение--облучение ионами--пиролитические пленки--молекулярный азот--аргон--ионы аргона--азот--ионы азота--электронные переходы--отжиг--температура отжига
Аннотация: При 293 K исследовались фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс пиролитических пленок нитрида кремния, облученных ионами аргона или молекулярными ионами азота и отожженных при температурах 500-1100{o}C. Спектр поглощения свидетельствует о том, что широкая полоса фотолюминесценции в области 400-600 нм связана с электронными переходами между хвостами зон. Облучение ионами аргона с малыми дозами незначительно понижает интенсивность фотолюминесценции, а с большими дозами может после отжигов при 800-900{o}C усиливать ее более чем в 2 раза. Вместе с тем облучение ионами азота приводит к значительному, более чем на порядок, уменьшению интегральной интенсивности фотолюминесценции. Наблюдалась корреляция изменения интенсивности фотолюминесценции и амплитуды спектров электронного парамагнитного резонанса при отжигах пленок нитрида кремния.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гаврилюк А. Г., Любутин И. С., Стружкин В. В.
Заглавие : Электронный переход и эффект металлизации в кристалле BiFeO3 при высоком давлении
Место публикации : Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 8. - С. С. 604-608
УДК : 53
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронные переходы--эффект металлизации--кристаллы--bifeo[3]--давление (физика)--оптические спектры поглощения
Аннотация: Изучены оптические спектры поглощения в феррите висмута BiFeO[3] при воздействии высоких давлений до P = 60 ГПа, создаваемых в камерах с алмазными наковальнями. При комнатной температуре в области давлений 45-55 ГПа обнаружен электронный переход, при котором энергия края оптического поглощения резко уменьшается от ~ 1. 5 эВ до нулевого значения.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Чаплыгин, Алексей Николаевич, Спирин, Евгений Анатольевич, Сизов, Александр Семенович
Заглавие : Влияние технологии обработки поверхности многокомпонентных оксидных соединений со структурой силленита на кинетику электронных переходов в приповерхностных областях
Серия: Материалы электронной техники
Место публикации : Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. С. 8-12: граф.
Примечания : Библиогр.: с. 11-12 (9 назв. )
УДК : 621.3-03
ББК : 31.23
Предметные рубрики: Энергетика
Электротехнические материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): силлениты--кристаллы--электронные переходы--фототоки--диффузионные процессы--приповерхностные области
Аннотация: Выявлены закономерности изменения кинетической кривой фототока в кристаллах силленитов при импульсной фотоактивации. Дано адекватное экспериментальным данным теоретическое описание электронных переходов на поверхности кристаллов силленитов.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Валиев Р. Р., Кузнецова Р. Т., Черепанов В. Н.
Заглавие : Квантовомеханические расчеты для электронных переходов производных тетрафенилпорфирина в комплексе с этилендиаминтетрауксусной кислотой
Серия: Математика и механика. Физика
Место публикации : Известия Томского политехнического университета. - 2012. - С. 134-136: ил. (Шифр itpu/2012/320/2)
Примечания : Библиогр.: с. 136 (15 назв.)
УДК : 535.37
ББК : 22.345
Предметные рубрики: Физика
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовомеханические расчеты--электронные переходы--производные тетрафенилпорфирина--этилендиаминтетрауксусная кислота--метод функционала плотности--равновесная геометрия молекул--переходы с переносом заряда--tddft--pcm--этанол--хлороформ--диметилсульфоксид--растворители
Аннотация: В рамках метода функционала плотности, с функционалом B3LYP в базисе 6-31G, определена равновесная геометрия молекулы H2ATPP-EDTA основного электронного состояния. С использованием метода TDDFT смоделирован электронный спектр поглощения молекулы H2ATPP-EDTA в различных растворителях (этанол, хлороформ, диметилсульфоксид) в модели PCM в базисах 631G, 6-31G (d), 6-31G (d, p). Была применена lambda-диагностика для идентификации энергетически заниженных переходов с переносом заряда. Получено хорошее согласие теоретических расчетов с экспериментальными данными.
Найти похожие

1-10 11-12

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	19169
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)