Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (4)БД "Статьи" (105)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=фотонные кристаллы<.>)
Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-33 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Agafontsev D. S.
Заглавие : On the modulation instability development in optical fiber systems
Место публикации : Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 12. - С.699-704 (Шифр pzhe/2010/91/12)
УДК : 535.2
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): модуляционная неустойчивость--волоконные системы--оптические волоконные системы--фотонные кристаллы--рассеяние рамана--рамана рассеяние--комбинационное рассеяние--рассеяние света
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Liu M., Chen Y., Wang D.
Заглавие : Effects of Intrapulse Stimulated Raman Scattering and Intermodal Dispersion on Short Pulse Propagation in a Nonlinear Two-Core PCF Coupler
Место публикации : Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 10. - С.548-550 (Шифр pzhe/2010/91/10)
УДК : 535.2
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ультракороткие импульсы--комбинационное рассеяние света--рассеяние света--фотонные кристаллы--нелинейные кристаллы--рассеяние на молекулах--стимулированное рассеяние рамана--рамана стимулированное рассеяние
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Абрамова В. В., Синицкий А. С., Третьяков Ю. Д.
Заглавие : Фотонные кристаллы с заданной шириной запрещенной зоны
Место публикации : Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 5. - С. С. 339-343
УДК : 538.9
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотонные кристаллы--запрещенная зона фотонных кристаллов--инвертированный опал
Аннотация: Предложен новый метод создания фотонных кристаллов с тщательно контролируемой шириной фотонной запрещенной зоны. Метод основан на синтезе фотонного кристалла типа A[1-x]B[x] с контролируемым значением параметра x на основе двух изоструктурных фотонных кристаллов А и B, таких, что ширина фотонной запрещенной зоны кристалла А меньше, а кристалла B - больше требуемой. Метод продемонстрирован на примере инвертированного опала состава (100-x) мол. % SiO[2] - x мол. % ZnO, для которого относительная ширина стоп-зоны монотонно возрастала при увеличении параметра x.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Васильева А. В., Григорьев С. В., Григорьева Н. А., Мистонов А. А., Напольский К. С., Саполетова Н. А., Петухов А. В., Белов Д. В., Елисеев А. А., Чернышов Д. Ю., Окороков А. И.
Заглавие : Анализ дефектности опалоподобных фотонных кристаллов, синтезированных на проводящих подложках
Серия: Функциональные и наноструктурированные материалы
Место публикации : Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 5. - С.1017-1020. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2010/52/5). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 1020 (17 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): опалоподобные фотонные кристаллы--проводящие подложки--метод малоугловой дифракции синхротронного излучения--дефектность кристаллов--фотонные кристаллы--дефекты упаковки фотонных кристаллов
Аннотация: Методом малоугловой дифракции синхротронного излучения с микрорадианным разрешением исследованы тип и степень дефектности опалоподобных фотонных кристаллов на проводящих подложках. Показано, что самосборка полистирольных сфер методом вертикального осаждения на подложку слюда/Au приводит к образованию ГЦК-структуры, а на стеклянную подложку с проводящим покрытием In[2]O[3] (SnO[2]) --- к случайной плотнейшей гексагональной упаковке.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Астрова Е. В., Федулова Г. В., Гущина Е. В.
Заглавие : Формирование полосок двумерного фотонного кристалла путем одновременного фотоэлектрохимического травления щелей и макропор в кремнии
Серия: Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1666-1672: ил. (Шифр phit/2010/44/12)
Примечания : Библиогр.: с. 1672 (18 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): формирование полосок--двумерные кристаллы--фотонные кристаллы--фотоэлектрохимическое травление--травление щелей--макропоры в кремнии--кремний--глубокие макропоры--глубокие щели--n-si--сквозные щели--квадратные решетки--режимы травления--шероховатости стенок--боковые стенки
Аннотация: Исследован процесс совместного электрохимического травления глубоких макропор и щелей в n-Si ориентации (100). После удаления подложки области образца, ограниченные со всех сторон замкнутым контуром сквозных щелей, извлекали из образца, оставляя узкие полоски двумерного фотонного кристалла. На примере фотонного кристалла с квадратной решеткой макропор анализируется влияние расстояния между порами и щелью, режимов травления и последующего окисления на шероховатость боковых стенок таких структур, а также на изменение размера и формы пор вблизи щели. Найдены условия, обеспечивающие наименьшее искажение решетки фотонного кристалла и получение наиболее гладких боковых стенок структуры (среднеквадратичная высота неровности ~60 нм).
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барыкина Е. И., Браже Р. А.
Заглавие : Условия возникновения отрицательной рефракции света в фотонных кристаллах
Серия: Естественные науки
Место публикации : Вестник Ульяновского государственного технического университета. - 2009. - N 1. - С. 22-26: 3 рис. - ISSN 1674-7016. - ISSN 1674-7016
Примечания : Библиогр.: с. 25-26 (14 назв. )
УДК : 535.2/.3
ББК : 22.343
Предметные рубрики: Физика
Физическая оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): волны электромагнитные--кристаллы фотонные--отрицательная рефракция--рефракция отрицательная--рефракция света--фотонные кристаллы--электромагнитные волны
Аннотация: Рассмотрены условия возникновения явления отрицательной рефракции света в фотонных кристаллах.
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев Б. А., Тюрнев В. В., Шабанов В. Ф.
Заглавие : Исследование добротности оптических резонаторов в фотонных кристаллах и принципы построения высокоселективных фильтров на их основе
Серия: Оптика и спектроскопия
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 12. - С.55-61. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2013/56/12). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 61 (16 назв. )
УДК : 621.37/.39 + 535.2/.3
ББК : 32 + 22.343
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Физическая оптика
Физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высокоселективные фильтры--диэлектрические резонаторы--диэлектрические слои--добротность резонаторов--оптические резонаторы--полосно-пропускающие фильтры--резонаторы--фотонные кристаллы
Аннотация: Исследованы конструкции оптических резонаторов, представляющих собой диэлектрический слой толщиной полдлины волны, с обеих сторон закрытый четвертьволновыми слоями с большей или меньшей диэлектрической проницаемостью относительно проницаемости полуволнового слоя. Электродинамический анализ показал значительное увеличение добротности многослойного резонатора по сравнению с обычным однослойным полуволновым резонатором. Рассмотрены принципы построения высокоселективных полосно-пропускающих фильтров на фотонно-кристаллических структурах.
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ветров С. Я., Тимофеев И. В., Рудакова Н. В.
Заглавие : Зонная структура резонансного двумерного фотонного кристалла
Серия: Оптические свойства
Место публикации : Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С.489-494. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2010/52/3). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 493-494 (16 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотонные кристаллы--двумерные фотонные кристаллы--резонансные двумерные фотонные кристаллы--метод плоских волн--фотонные запрещенные зоны
Аннотация: Проведен расчет зонной структуры резонансных двумерных фотонных кристаллов двух типов, один из которых состоит из бесконечных диэлектрических цилиндров, образующих квадратную решетку, заполненную резонансным газом, другой --- из бесконечных цилиндрических отверстий, заполненных резонансным газом и образующих квадратную решетку в диэлектрической матрице. Результаты получены с помощью метода разложения собственных функций по плоским волнам. В обоих случаях показано, что сочетание дисперсии резонансного газа с дисперсией двумерной структуры с фотонной запрещенной зоной приводит к появлению вблизи края запрещенной зоны дополнительной узкой полосы пропускания либо к дополнительной запрещенной зоне в сплошном спектре фотонного кристалла. Проведенные расчеты показывают, что новые свойства дисперсии существенно зависят от плотности резонансного газа, положения резонансной частоты относительно края запрещенной зоны, направления распространения электромагнитных волн.
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Воронов М. М., Ивченко Е. Л., Кособукин В. А., Поддубный А. Н.
Заглавие : Особенности спекторов отражения и поглощения одномерных резонансных фотонных кристаллов
Серия: Низкоразмерные системы. Физика поверхности
Место публикации : Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. 1709-1718 (Шифр phtt/2007)
Примечания : Библиогр.: с. 1718 (19 назв. )
ISSN: 0367-3294
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): боровский радиус экситона--брэгговские структуры--квантовые ямы--одномерные резонансные фотонные кристаллы--спектры отражения--спектры поглощения--фотонные кристаллы
Аннотация: Теоретически исследованы оптические спектры резонансных брэгговских и квази-брэгговских структур с квантовыми ямами. В аналитической форме дано объяснение присутствию в спектрах отражения и поглощения особых частот, на которых коэффициенты отражения или поглощения не зависят от числа ям в структуре. Для структур, в которых ширина квантовых ям существенно превосходит боровский радиус экситона, показзано, что в спектрах отражения и поглощения также прсутствуют особые частоты, а плавная спектральная составляющая определяется в основном взаимодействием световой волны с экситоном основного уровня размерного квантования.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Войнов Ю. П., Габитова Н. Ф., Горелик В. С., Злобина Л. И., Свербиль П. П.
Заглавие : Вторичное изучение синтетического опала, заполненного сегнетоэлектриком нитритом натрия
Серия: XVIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XVIII)
Место публикации : Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С.1333-1337. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 1337 (7 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нитриты натрия--сегнетоэлектрики--спектры пропускания--селективные возбуждения--фотонные кристаллы
Аннотация: Проведено сравнение спектров пропускания, отражения и вторичного излучения незаполненных синтетических опалов и образцов, заполненных сегнетоэлектриком нитритом натрия. В качестве источников излучения использовались полупроводниковые светодиоды ультрафиолетового и видимого источников излучения использовались полупроводниковые светодиоды ультрафиолетового и видимого диапазонов спектра. Исследован эффект селективного возбуждения медленных электромагнитных волн в фотонном кристалле при приближении частоты возбуждающего излучения к краю стоп-зоны.
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-33 
 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 92372
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)