Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотонные запрещенные зоны<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ветров С. Я., Тимофеев И. В., Рудакова Н. В.
Заглавие : Зонная структура резонансного двумерного фотонного кристалла
Серия: Оптические свойства
Место публикации : Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С.489-494. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2010/52/3). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 493-494 (16 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотонные кристаллы--двумерные фотонные кристаллы--резонансные двумерные фотонные кристаллы--метод плоских волн--фотонные запрещенные зоны
Аннотация: Проведен расчет зонной структуры резонансных двумерных фотонных кристаллов двух типов, один из которых состоит из бесконечных диэлектрических цилиндров, образующих квадратную решетку, заполненную резонансным газом, другой --- из бесконечных цилиндрических отверстий, заполненных резонансным газом и образующих квадратную решетку в диэлектрической матрице. Результаты получены с помощью метода разложения собственных функций по плоским волнам. В обоих случаях показано, что сочетание дисперсии резонансного газа с дисперсией двумерной структуры с фотонной запрещенной зоной приводит к появлению вблизи края запрещенной зоны дополнительной узкой полосы пропускания либо к дополнительной запрещенной зоне в сплошном спектре фотонного кристалла. Проведенные расчеты показывают, что новые свойства дисперсии существенно зависят от плотности резонансного газа, положения резонансной частоты относительно края запрещенной зоны, направления распространения электромагнитных волн.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Певцов А. Б., Грудинкин С. А., Поддубный А. Н., Каплан С. Ф., Курдюков Д. А., Голубев В. Г.
Заглавие : Переключение фотонной запрещенной зоны в трехмерных пленочных фотонных кристаллах на основе композитов опал-VO[2] в спектральной области 1. 3-1. 6 мкм
Серия: Электронные и оптические свойства полупроводников
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1585-1590: ил. (Шифр phit/2010/44/12)
Примечания : Библиогр.: с. 1590 (26 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): запрещенные зоны--фотонные запрещенные зоны--фзз--фотонные кристаллы--фк--трехмерные фотонные кристаллы--композиты--опал--спектральные области--длина волны
Аннотация: В актуальной для практических применений спектральной области 1. 3-1. 6 мкм (Telecom standard) выполнены численные расчеты параметров трехмерного фотонного кристалла на основе пленочного композита опал-VO[2]. Установлен диапазон степеней заполнения (0. 25-0. 6) опаловых пар, при которых исследуемый композит в этом интервале длин волн обладает свойствами трехмерного диэлектрического фотонного кристалла. Синтезированы пленочные трехмерные фотонные кристаллы на основе композитов опал-VO[2] с заданными параметрами, обеспечивающими при фазовом переходе полупроводник-металл в VO[2] максимальный сдвиг (~170 мэВ) фотонной запрещенной зоны в окрестности длин волн ~1. 5 мкм.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	80156
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)