Поисковый запрос: (<.>K=туннельный ток<.>) |
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6 |
1.
| Разжувалов А. Н. "Конденсаторная"модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN (0001)/А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев // Физика твердого тела, 2009. т.Т. 51,N вып. 1.-С.178-188
|
2.
| Mantsevich V. N. Tuning of tunneling current noise spectra singularities by localized states charging/V. N. Mantsevich, N. S. Maslova // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009. т.Т. 89,N вып. 1.-С.26-31
|
3.
| Прямое туннелирование электронов в структурах Al-n{+}-Si-SiO[2]-n-Si в режиме нестационарного обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда/Е. И. Гольдман [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 44,N вып. 8
|
4.
| Козлов В. А. Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями/В. А. Козлов, В. А. Вербус // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 46,N вып. 11
|
5.
| Конобеева Н. Н. Влияние многоуровневой примеси на туннельный и баллистический ток в графеновой наноленте/Н. Н. Конобеева, М. Б. Белоненко // Известия вузов. Физика, 2017. т.Т. 60,N № 1.-С.104-108
|
6.
| Капельное осаждение тонких наноструктурированных покрытий теллурида свинца/С. М. Аракелян [и др.] // Известия РАН. Серия физическая, 2017. т.Т. 81,N № 12.-С.1604-1608
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50