Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=термостимулированные рекомбинационные процессы<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Огородников И. Н., Порывай Н. Е., Седунова И. Н., Толмачев А. В., Явецкий Р. П.
Заглавие : Термостимулированные рекомбинационные процессы и люминесценция в кристаллах Li[6] (Y, Gd, Eu) (BO[3]) [3]
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 247-253 (Шифр phtt/2011/53/2)
Примечания : Библиогр.: с. 253 (29 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термостимулированные рекомбинационные процессы--люминисценция--кристаллы--бораты лития
Аннотация: Представлены результаты исследования термостимулированных рекомбинационных процессов и люминесценция кристаллов семейства боратов лития Li[6] (Y, Gd, Eu) (BO[3]3. Для соединеий Li[6]Gd (BO[3]) 3, Li[6]Eu (BO[3]) 3, Li[6]Y[0. 5]Gd[0. 5] (BO[3]) 3-Eu и Li[6]Gd (BO[3]) 3-Eu в диапазоне температур 90-500 K измерены спектры стационарной люминесценции при возбуждении рентгеновским излучением рентгенолюминесценции, температурные зависимости интенсивности рентгенолюминесценции и кривые термостимулированной люминесценции. В спектре рентгенолюминесценции доминируют полоса при 312 nm, соответствующая переходам {6}P[J]-{8}S[7/2] в ионе Gd{3+}, и группа линий при 580-700 nm, обусловленная переходами {5}D[0]-{7}F[J] (J=0-4) в ионе Eu{3+}. Для нелегированных кристаллов интенсивность рентгенолюминесценции в этих полосах увеличивается в 15 раз при изменении температуры от 100 до 400 K. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемой температурной зависимости интенсивности и их связь с особенностями передачи энергии электронных возбуждений в данных кристаллах. Во всех исследованных кристаллах обнаружен основной неэлементарный пик термостимулированной люминесценции с максимумом при 110-160 K, а также ряд более слабых пиков, состав и структура которых зависят от типа кристалла. Обсуждается природа мелких центров захвата, обусловливающих термостимулированную люминесценцию в области температур ниже комнатной, и их связь с дефектами подрешетки катионов лития.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Огородников И. Н., Порывай Н. Е.
Заглавие : Кинетика термостимулированных рекомбинационных процессов в кристаллах боратов лития
Серия: Диэлектрики
Место публикации : Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С.1072-1079. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2012/54/6). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 1078-1079 (30 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термостимулированные рекомбинационные процессы--кристаллы боратов лития--кинетика--борат лития
Аннотация: Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования термостимулированных рекомбинационных процессов в кристаллах боратов лития Li[2]B[4]O[7] и LiB[3]O[5]. Для обоих типов кристаллов в едином экспериментальном цикле проведены измерения кривых термостимулированной люминесценции, спектров и температурных зависимостей интенсивностей стационарной рентгенолюминесценции. В рамках единой модели для данных кристаллов выполнены расчеты рекомбинационных процессов и проведена интерпретация полученных результатов с привлечением всех известных экспериментальных данных.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	91484
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)