Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (51)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=температурные зависимости<.>)

Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-31 31-31

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Белоусов, Сергей Станиславович, Громов, Дмитрий Геннадьевич, Гаврилов, Сергей Александрович, Редичев, Евгений Николаевич, Чулков, Игорь Сергеевич
Заглавие : Исследование моделирование температуры плавления малоразмерных систем
Серия: Технология микроэлектроники
Место публикации : Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. С. 15-21: граф.
Примечания : Библиогр.: с. 21 (10 назв. )
УДК : 532
ББК : 22.253
Предметные рубрики: Механика
Гидромеханика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--температурные зависимости--малоразмерные объекты--плавление--нанонити
Аннотация: Предложен метод расчета зависимости температуры плавления от размера малоразмерных объектов с учетом температурной зависимости теплоты плавления и возможности уменьшения поверхностной энергии за счет уменьшения площади поверхности.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тиллес В. Ф., Метальников А. М., Печерская Р. М.
Заглавие : Модель упругой и релаксационной поляризации сегнетоэлектриков с распределением доменных границ по временам релаксации и собственным частотам
Серия: XVIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XVIII)
Место публикации : Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С.1415-1418. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 1418 (4 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поляризации--релаксационные поляризации--сегнетоэлектрики--доменные границы--время релаксации--температурные зависимости--диэлектрические проницаемости
Аннотация: Предложена модель, учитывающая распределение доменных границ по собственным частотам и временам релаксации (или энергиям активации). По спектрально-температурной зависимости комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon{*} (omega, T) может быть определена функция распределения доменных границ по собственным частотам и временам релаксации f (omega[0], tau) (или потенциальным барьерам f (omega[0], W[0]) ).
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Желтов Ю. В., Андреев Н. Г., Колесников Ю. Г., Морозов В. П.
Заглавие : Методики определения вероятностных температурных зависимостей характеристик вязкости сталей
Серия: Исследование структуры и свойств .
Методы механических испытаний
Место публикации : Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - С.51-55. - ISSN 1028-6861 (Шифр zala/2010/76/2). - ISSN 1028-6861
Примечания : Библиогр.: с. 54-55 (13 назв. )
УДК : 620.1/.2 + 669.1.017
ББК : 30.3 + 34.22
Предметные рубрики: Техника
Материаловедение
Технология металлов
Металловедение черных металлов и сплавов
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вероятностные температурные зависимости--температурные зависимости--определение температурных зависимостей--вязкость сталей--ударная вязкость--трещиностойкость--сосуды давления--нелинейная регрессия--метод наименьших квадратов--тангенс-гиперболическая аппроксимация--плотности вероятностей
Аннотация: Описана методика определения вероятностных параметров зависимостей ударной вязкости и трещиностойкости от температуры для сталей сосудов давления.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косяченко Л. А., Маслянчук О. Л., Мельничук С. В., Склярчук В. М., Склярчук О. В., Аоки Т.
Заглавие : Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe
Серия: Электронные и оптические свойства полупроводников
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 729-734: ил. (Шифр phit/2010/44/6)
Примечания : Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электропроводность--монокристаллы--полуизолирующие монокристаллы--теллурид кадмия--cdte--температурные зависимости--электрические характеристики--акцепторы--энергия ионизации--контакт шоттки--шоттки контакт--уровень ферми--ферми уровень--акцепторные примеси
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алиев Ф. Ф., Джафаров М. Б., Эминова В. И.
Заглавие : Влияние дефектов на электрические свойства Ag[2]S при фазовом переходе
Серия: Электронные и оптические свойства полупроводников
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 749-752: ил. (Шифр phit/2010/44/6)
Примечания : Библиогр.: с. 751-752 (18 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фазовый переход--фп--температурные зависимости--дефекты--концентрация дефектов--электропроводность--коэффициент холла--холла коэффициент--электрические свойства--ag[2]s
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности sigma (T) и коэффициента Холла R (T) в Ag[2]S при фазовом переходе. Обнаружены количественные несогласия в изменениях sigma (T) и R (T) при фазовом переходе, когда sigma увеличивается на несколько порядков, а R уменьшается в ~3-4 раза. Данный факт интерпретирован в рамках модели с двумя типами носителей заряда с учетом изменения зонных параметров и концентрации дефектов, образующихся при фазовом переходе.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алиев С. А., Алиев Ф. Ф., Гасанов З. С., Абдуллаев С. М., Селим-заде Р. И.
Заглавие : Увлечение электронов фононами в Ag[2]S
Серия: Электронные и оптические свойства полупроводников
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 764-766: ил. (Шифр phit/2010/44/6)
Примечания : Библиогр.: с. 765 (16 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): температурные зависимости--теплопроводность--термоэдс--электроны--фононы--теория херринга--херринга теория
Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента теплопроводности (chi) и термоэдс (alpha) в Ag[2]S в интервале 4. 2-300 K. Обнаружено, что при T100 K величина alpha резко растет (alpha пропорционально T{-3}) с уменьшением T, при 16-18 K проходит через максимум. Коэффициент теплопроводности проходит через максимум при ~30 K. Установлено, что резкое возрастание alpha обусловлено эффектом увлечения электронов длинноволновыми фононами. Показано, что смещение максимумов alpha и chi, а также температурная зависимость фононной термоэдс alphaph пропорционально T{-3} находятся в согласии с теорией Херринга.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Витусевич С. А., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Лебедев А. А., Миленин В. В., Свешников Ю. Н., Шеремет В. Н.
Заглавие : Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3]
Серия: Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 775-781: ил. (Шифр phit/2010/44/6)
Примечания : Библиогр.: с. 780-781 (26 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): омические контакты--температурные зависимости--быстрая термическая обработка--бто--микроволновая обработка--комнатная температура--термообработка--термическая обработка--микроволновые излучения--металлическая проводимость
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rho[c] исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rho[c] обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rho[c], при повторном измерении в области температур 270 K обнаружен рост rho[c], обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rho[c] в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rho[c] описывается туннельным механизмом токопереноса.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Егоров А. Ю., Крыжановская Н. В., Пирогов Е. В., Павлов М. М.
Заглавие : Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y]
Серия: Электронные и оптические свойства полупроводников
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 886-890: ил. (Шифр phit/2010/44/7)
Примечания : Библиогр.: с. 889-890 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические свойства--полупроводниковые твердые растворы--gan[x]as[y]p[1-x-y]--подложки--фотолюминесценция--фл--спектроскопия--температура жидкого азота--сравнительный анализ--спектры фотолюминесценции--температурные зависимости--выражение варшни--варшни выражение
Аннотация: Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y], выращенных на поверхности подложки GaP (100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20-300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN[x]As[y]P[1-x-y] с величинами мольных долей азота x и мышьяка y в диапазонах 0. 006-0. 012 и 0. 00-0. 18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20-300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алиев Ф. Ф., Джафаров М. Б., Аскерова Г. З., Годжаев Э. М.
Заглавие : Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах
Серия: Электронные и оптические свойства полупроводников
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045: ил. (Шифр phit/2010/44/8)
Примечания : Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансное рассеяние электронов--акцепторные центры--p-ag[2]te--теллурид серебра--низкие температуры--температурные зависимости--термоэдс--электропроводность--носители заряда--акустические фононы--акцепторы
Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag[2]Te при концентрациях акцепторов N[a] 4. 2x10{16} см{-3} в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma (T) и термоэдс alpha0 (T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma (T) и alpha0 (T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Киселюк М. П., Власенко А. И., Генцарь П. А., Вуйчик Н. В., Заяц Н. С., Кругленко И. В., Литвин О. С., Криськов Ц. А.
Заглавие : Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111)
Серия: Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1046-1049: ил. (Шифр phit/2010/44/8)
Примечания : Библиогр.: с. 1049 (8 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): резонансное рассеяние электронов--акцепторные центры--p-ag[2]te--теллурид серебра--низкие температуры--температурные зависимости--термоэдс--электропроводность--носители заряда--акустические фононы--акцепторы
Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок.
Найти похожие

1-10 11-20 21-31 31-31

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	118332
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)