Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (51)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=температурные зависимости<.>)

Общее количество найденных документов : 31
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-31 31-31

Исследование моделирование температуры плавления малоразмерных систем [Текст] / С. С. Белоусов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 15-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (10 назв. )

УДК

^a532

ББК 22.253
Рубрики: Механика
Гидромеханика
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- температурные зависимости -- малоразмерные объекты -- плавление -- нанонити
Аннотация: Предложен метод расчета зависимости температуры плавления от размера малоразмерных объектов с учетом температурной зависимости теплоты плавления и возможности уменьшения поверхностной энергии за счет уменьшения площади поверхности.

Доп.точки доступа:
Белоусов, Сергей Станиславович; Громов, Дмитрий Геннадьевич; Гаврилов, Сергей Александрович; Редичев, Евгений Николаевич; Чулков, Игорь Сергеевич

Найти похожие

Тиллес, В. Ф.
Модель упругой и релаксационной поляризации сегнетоэлектриков с распределением доменных границ по временам релаксации и собственным частотам [Текст] / В. Ф. Тиллес, А. М. Метальников, Р. М. Печерская // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1415-1418. - Библиогр.: с. 1418 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поляризации -- релаксационные поляризации -- сегнетоэлектрики -- доменные границы -- время релаксации -- температурные зависимости -- диэлектрические проницаемости
Аннотация: Предложена модель, учитывающая распределение доменных границ по собственным частотам и временам релаксации (или энергиям активации). По спектрально-температурной зависимости комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon{*} (omega, T) может быть определена функция распределения доменных границ по собственным частотам и временам релаксации f (omega[0], tau) (или потенциальным барьерам f (omega[0], W[0]) ).

Доп.точки доступа:
Метальников А. М.; Печерская Р. М.

Найти похожие

Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1046-1049. : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы
Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок.

Доп.точки доступа:
Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045. : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

Пудов, В. И.
Повышение точности измерения физических параметров высокотемпературных свехпроводниковых материалов [Текст] / В. И. Пудов, А. С. Соболев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 6. - С. 35-38. . - Библиогр.: с. 38 (11 назв. )

УДК

^a544.22

^a537

ББК 24.52 + 22.33
Рубрики: Химия
   Химия твердого тела
   Физика
   Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
точность измерений -- физические параметры -- высокотемпературные сверхпроводниковые материалы -- сверхпроводниковые материалы -- критические температуры -- сверхпроводящие переходы -- температурные зависимости -- корреляционные зависимости -- электросопротивление
Аннотация: Разработана методика оценки критической температуры и ширины сверхпроводящего перехода высокотемпературных сверхпроводниковых материалов, основанная на построении первой производной температурной корреляционной зависимости электросопротивления образца.

Доп.точки доступа:
Соболев, А. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Курова, И. А.
Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния [Текст] / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1624-1628. : ил. - Библиогр.: с. 1628 (15 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические свойства -- слоистые пленки -- аморфный кремний -- гидрированный кремний -- температурные зависимости -- фотопроводимость пленок -- нелегированные пленки -- интенсивность освещения -- фоточувствительность пленок -- стандартные пленки -- темновая проводимость -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- температурное гашение -- электрические свойства -- оборванные связи -- кремний -- акцепторные центры -- коэффициенты захвата
Аннотация: Исследованы температурные зависимости фотопроводимости слоистых и стандартных нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния в широкой области температур (130-420 K) и интенсивностей освещения (0. 1-60 мВт·см{-2}). Установлено, что более высокая фоточувствительность слоистых пленок по сравнению со стандартными пленками определяется малой темновой проводимостью слоистых пленок вследствие более глубокого положения равновесного уровня Ферми в запрещенной зоне и отсутствием температурного гашения их фотопроводимости. Показано, что эти особенности электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок можно объяснить малой концентрацией оборванных связей кремния по сравнению с концентрацией связанных с кислородом акцепторных центров, имеющих большой коэффициент захвата для дырок.

Доп.точки доступа:
Ормонт, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1591-1595. : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции
Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.

Доп.точки доступа:
Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y] [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 886-890. : ил. - Библиогр.: с. 889-890 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- полупроводниковые твердые растворы -- GaN[x]As[y]P[1-x-y] -- подложки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектроскопия -- температура жидкого азота -- сравнительный анализ -- спектры фотолюминесценции -- температурные зависимости -- выражение Варшни -- Варшни выражение
Аннотация: Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y], выращенных на поверхности подложки GaP (100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20-300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN[x]As[y]P[1-x-y] с величинами мольных долей азота x и мышьяка y в диапазонах 0. 006-0. 012 и 0. 00-0. 18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20-300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.

Доп.точки доступа:
Егоров, А. Ю.; Крыжановская, Н. В.; Пирогов, Е. В.; Павлов, М. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 729-734. : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe.

Доп.точки доступа:
Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Методики определения вероятностных температурных зависимостей характеристик вязкости сталей [Текст] / Ю. В. Желтов [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - С. 51-55. - Библиогр.: с. 54-55 (13 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a620.1/.2

^a669.1.017

ББК 30.3 + 34.22
Рубрики: Техника
   Материаловедение
   Технология металлов
   Металловедение черных металлов и сплавов
Кл.слова (ненормированные):
вероятностные температурные зависимости -- температурные зависимости -- определение температурных зависимостей -- вязкость сталей -- ударная вязкость -- трещиностойкость -- сосуды давления -- нелинейная регрессия -- метод наименьших квадратов -- тангенс-гиперболическая аппроксимация -- плотности вероятностей
Аннотация: Описана методика определения вероятностных параметров зависимостей ударной вязкости и трещиностойкости от температуры для сталей сосудов давления.

Доп.точки доступа:
Желтов, Ю. В.; Андреев, Н. Г.; Колесников, Ю. Г.; Морозов, В. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-31 31-31

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	81245
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)