Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=сегнетоэлектрические наноструктуры<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Делимова Л. А., Гущина Е. В., Юферев В. С., Ратников В. В., Зайцева Н. В., Шаренкова Н. В., Серегин Д. С., Воротилов К. А., Сигов А. С.
Заглавие : Особенности электрических характеристик элементов сегнетоэлектрической памяти на основе PZT-пленок
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 9. - С.88-92: рис. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2015/58/9). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: c. 91-92 (14 назв. )
УДК : 537.2
ББК : 22.331
Предметные рубрики: Физика
Электростатика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): pzt-пленки поляризации--градиент деформации--золь-гель-pzt--рассогласование параметров решетки--самополяризация сегнетоэлектрической пленки--сегнетоэлектрическая память--сегнетоэлектрические наноструктуры--сегнетоэлектрический конденсатор--тонкопленочные конденсаторы--флексоэлектрический эффект
Аннотация: С помощью метода деполяризующих гистерезисных петель в сегнетоэлектрическом конденсаторе Pt/PZT/Pt обнаружена самополяризация, направленная от верхнего электрода к нижнему, которую мы объясняем флексоэлектрическим эффектом, вызванным рассогласованием параметров решетки слоев нижней Pt- и PZT-пленки. Этот результат согласуется с измерениями фототока в короткозамкнутой структуре, также свидетельствующими о наличии в PZT-пленке поляризации, направленной вниз.
Найти похожие

 
Статистика
за 08.07.2024
Число запросов 116693
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)