Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (7)

БД "Статьи" (151)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=светодиоды<.>)

Общее количество найденных документов : 82
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Кондрашин, А. А.
OLED/PLED - передовые технологии освещения [Текст] / А. А. Кондрашин, В. В. Слепцов, А. Н. Лямин // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 11. - С. 47-50. . - Библиогр.: с. 50 (10 назв. )

УДК

^a621.32

ББК 31.294
Рубрики: Энергетика
Электрическое освещение. Светотехника
Кл.слова (ненормированные):
органические светодиоды -- OLED/PLED -- светодиоды -- прогноз технических параметров
Аннотация: Представлены основные преимущества светодиодных средств освещения (LED и OLED/PLED) перед традиционными. Выявлены основные достоинства органических светодиодов и их недостатки. Рассмотрены наиболее распространенные технологии получения белого цвета на базе светодиодов.

Доп.точки доступа:
Слепцов, В. В.; Лямин, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Муравьева, Марина.
PR от "Роснано": чернила для "невозможных поверхностей" [Текст] / Марина Муравьева // Ученый совет. - 2011. - N 1. - С. 34-38. : 2 фот.

УДК

^a001.89

^a330

^a658.152

ББК 72.4 + 65.011 + 65.291.5
Рубрики: Наука. Науковедение--Новосибирск--Россия, 21 в.
   Организация науки--Новосибирск--Россия, 21 в.
   Экономика--Новосибирск--Россия, 21 в.
   Общие основы экономики--Новосибирск--Россия, 21 в.
   Экономический потенциал организации--Новосибирск--Россия, 21 в.
Кл.слова (ненормированные):
банки -- инновационные компании -- корпорации -- международные выставки -- нанотехнологии -- нанотехнологические корпорации -- нанотехнологические проекты -- наночернила -- принтеры -- проекты -- светодиодные системы излучения -- светодиоды -- средства массовой информации -- ультра-фиолетовые излучения -- УФ-излучения -- чернила -- чернила для печати
Аннотация: Как пройти путь от фирмы, продающей в России китайскую продукцию, до инновационной компании, которую на международной выставке Анатолий Чубайс представляет Дмитрию Медведеву? История успеха новосибирской Sun - разработчика наночернил - интересна именно с этой точки зрения.

Доп.точки доступа:
Марков, О. (менеджер по проектам); Чубайс, А. Б. (генеральный директор); Sun, инновационная компания; ОАО "Российская корпорация нанотехнологий"Российская корпорация нанотехнологий; Роснано; ОАО "УралСиб"; УралСиб, ОАО; Банк "УралСиб"; ЭКСПО-2010
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Аппаратно-программный комплекс для исследования шумовых процессов в светоизлучающих диодах [Текст] / В. Н. Рогов [и др. ] // Вестник Ульяновского государственного технического университета. - 2009. - N 1. - С. 43-46 : 3 рис. - Библиогр.: с. 46 (4 назв. ) . - ISSN 1674-7016

УДК

^a681.5

ББК 32.81
Рубрики: Радиоэлектроника
Кибернетика
Кл.слова (ненормированные):
аппаратно-программные комплексы -- диоды светоизлучающие -- комплексы аппаратно-программные -- корреляционные функции -- оптические шумы -- светодиоды -- светоизлучающие диоды -- функции корреляционные -- шумы оптические -- шумы электрические -- электрические шумы
Аннотация: Описана структурная схема, рассмотрен алгоритм работы и приведены основные характеристики аппаратно-программного измерительного комплекса, позволяющего исследовать связь электрических и оптических шумов светоизлучающих диодов.

Доп.точки доступа:
Рогов, В. Н.; Сергеев, В. А.; Щербатюк, Ю. А.; Фролов, И. В.

Найти похожие

Кюндерт, Хайнц.
Ассоциация SEMI: Мы поддерживаем полупроводниковую промышленность [Текст] / Х. Кюндернт ; интервью брал В. Фокин // Наноиндустрия. - 2011. - N 3. - С. 8-10. : ил.: 1 фото

УДК

^a621.382

^a338.45

ББК 32.852 + 65.305.9
Рубрики: Радиоэлектроника--Россия--Европа
   Полупроводниковые приборы
   Экономика
   Экономика других отраслей промышленности
Кл.слова (ненормированные):
интервью -- ассоциации -- полупроводниковая промышленность -- инновации -- светодиоды -- микроэлектронная промышленность
Аннотация: Деятельность Ассоциации SEMI направлена на развитие полупроводниковой промышленности, чтобы обеспечить ее конкурентоспособность и повысить прибыльность данного вида бизнеса путем усиления инновационной и производственной баз.

Доп.точки доступа:
Фокин, В. \.\; SEMISemiconductor Equipment and Materials International
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность [Текст] / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 99-101 : рис. - Библиогр.: c. 101 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
влияние диффузии магния -- внутренняя квантовая эффективность -- диффузия магния -- квантовая эффективность -- магний -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиоды -- фотолюминесценция светодиодных структур
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN от температуры роста слоя p-GaN. Обсуждается влияние диффузии магния на фотолюминесцентные характеристики исследованных светодиодных структур.

Доп.точки доступа:
Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Брудный, В. Н.
Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 37-39 : табл. - Библиогр.: c. 39 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
AlAs -- AlP -- GaAs -- GaP -- InP -- лазерные структуры -- радиационная деградация -- радиационные дефекты -- светодиодные гетероструктуры -- светодиодные структуры -- светодиоды -- свойства полупроводников -- уровень зарядовой нейтральности
Аннотация: Представлены данные экспериментальных и теоретических исследований электронных, оптических и рекомбинационных свойств AlP, InP, GaP, AlAs, GaAs и их твердых растворов, подвергнутых воздействию жесткой радиации. Проанализировано влияние жесткой радиации на свойства лазерных и светодиодных структур на основе этих материалов.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 7. - С. 19-22 : рис., табл. - Библиогр.: c. 22 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.318.1

^a535.37

ББК 31.235 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Магнитные материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
внутренний квантовый выход -- квантовые ямы -- короткопериодные сверхрешетки -- нитрид галлия/индия -- светодиодные гетероструктуры -- светодиоды -- светодиоды синего диапазона волн -- фотолюминесценция
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ям In[y]Ga[1-y]N/GaN с короткопериодными сверхрешетками In[y]Ga[1-y]N/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки In[y]Ga[1-y]N/GaN со стороны n -области светодиодной гетероструктуры In[x]Ga[1-x]N/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Копьев, В. В.; Брудный, В. Н.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/ (Al) GaN для светодиодов зеленого диапазона [Текст] / А. В. Сахаров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 841-846 : ил. - Библиогр.: с. 845-846 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- светодиоды зеленого диапазона -- зеленые светодиоды -- гетероструктуры -- слои -- релаксация напряжений (физика) -- индий -- квантовые ямы -- длина волны -- излучения -- InGaN -- (Al) GaN -- GaN
Аннотация: Исследованы процессы формирования активных областей для зеленых светодиодов на основе многослойных напряженных наногетероструктур InGaN/GaN. Показано, что на формирование таких структур существенное влияние оказывает релаксация упругих напряжений, приводящая к повышению встраивания индия в слои InGaN. Для структур, излучающих в синем спектральном диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 10 не приводит к релаксации напряжений и сдвигу длины волны излучения, в то время как для структур, излучающих в зеленом диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 5 приводит к монотонному увеличению длины волны излучения.

Доп.точки доступа:
Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Усов, С. О.; Сизов, В. С.; Михайловский, Г. А.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M.; Hue, F.; Яковлев, Е. В.; Лобанова, А. В.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами ingan/gan [Текст] / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр.: c. 35 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.55/.58

^a621.383

ББК 31.232 + 32.854
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
   Фотоэлектрические приборы
   Радиоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
внутренняя квантовая эффективность -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиодные структуры синего диапазона -- светодиоды -- соединения нитридов III-N -- физика соединений
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN и сверхрешетками.

Доп.точки доступа:
Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов [Текст] / Б. Я. Бер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 425-431. : ил. - Библиогр.: с. 430-431 (22 назв. )

УДК

^a621.371.8

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
легирование кремнием -- светодиоды -- квантово-размерные структуры -- InGaN/GaN -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- наноматериалы -- активная область -- ток -- температура
Аннотация: Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j ~50 А/см{2}) наблюдалось при сильном легировании n{+}-области (до 10{19} см{-3}) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p{+}-области. При j > 50 А/см{2} доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta (j) пропорционально j{-b}, где 0. 2

Доп.точки доступа:
Бер, Б. Я.; Богданова, Е. В.; Грешнов, А. А.; Закгейм, А. Л.; Казанцев, Д. Ю.; Карташова, А. П.; Павлюченко, А. С.; Чернякова, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М.; Якимов, Е. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 20.08.2024
Число запросов	31353
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)