Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (7)

БД "Статьи" (151)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=светодиоды<.>)

Общее количество найденных документов : 82
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Сергеев, Вячеслав Андреевич.
Зависимости температурного коэффициента прямого напряжения на гетеропереходных светодиодах от тока и температуры [Текст] / В. А. Сергеев, А. А. Широков // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 6. - С. 74-76. - Библиогр.: с. 76 (4 назв. )

УДК

^a621.317

ББК 31.22
Рубрики: Энергетика
Электрические и магнитные измерения
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- прямое напряжение -- коэффициенты -- диапазоны -- температуры
Аннотация: Выявлены температурные и токовые зависимости для использования оценки электрофизических параметров гетеропереходов и превалирующих механизмов токопереноса и гетеропереходных светодиодах.

Доп.точки доступа:
Широков, Алексей Анатольевич

Найти похожие

Русских, Д. В.
Релаксация оптически стимулированного электросопротивления тонких пленок SnO[2] [Текст] / Д. В. Русских, С. И. Рембеза // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 811-815 : ил. - Библиогр.: с. 815 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сопротивление -- электросопротивление -- релаксация (физика) -- тонкие пленки -- светодиоды -- фиолетовые светодиоды -- ультрафиолетовый свет -- УФ -- датчики -- датчики газа -- высокотемпературный отжиг -- результаты исследований -- SnO[2]
Аннотация: Приведены результаты исследования влияния облучения фиолетовым светодиодом L5013VC с длиной волны 400 нм и мощностью 76 мВт на сопротивление чувствительного слоя тестовых структур датчиков газов на основе SnO[2] на воздухе до и после высокотемпературного стабилизирующего отжига. Установлены особенности процессов изменения сопротивления слоя SnO[2] от времени при включении и выключении светодиода.

Доп.точки доступа:
Рембеза, С. И.

Найти похожие

Переходная электролюминесценция и аномальная дисперсия носителей заряда в тонких полимерных пленках 1840 [Текст] / А. Р. Тамеев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1840-1845. - Библиогр.: с. 1845 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- дисперсия носителей заряда -- тонкие полимерные пленки -- органические светодиоды -- носители заряда -- аномальные дисперсии
Аннотация: Исследованы электролюминесценция и транспорт носителей заряда в органическом светодиоде на основе тонкой полимерной пленки. Выполнен теоретический анализ начальной кинетики переходной электролюминесценции. Как расчетные, так и экспериментальные кривые характеризуются аномальной дисперсией и универсальностью, что можно считать следствием неравновесной стимулированной полем дисперсии носителей заряда. Показано, что дрейфовую подвижность носителей заряда следует определять исходя из времени, соответствующего полувысоте установившейся интенсивности излучения, а не из времени задержки электролюминесценции.

Доп.точки доступа:
Тамеев, А. Р.; Никитенко, В. Р.; Лыпенко, Д. А.; Ванников, А. В.

Найти похожие

Светодиоды "теплого" белого свечения на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами из иттрий-гадолиниевых гранатов [Текст] / Н. П. Сощин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 700-704

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- спектры электролюминесценции -- светодиоды -- цветовые характеристики -- гетероструктуры -- люминофоры
Аннотация: Изучены спектры электролюминесценции и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN с синим излучением (лямбда[max] приблизительно равно 455 нм), покрытых люминофорами типа алюминий-гадолиний-иттриевых гранатов, активированных ионами Ce\{3+\}. Максимум в спектрах возбуждения люминофоров изменяется в пределах 460-470 нм. Спектры люминесценции люминофоров имеют максимумы от 530 до 590 нм и ширину на половине интенсивности от 120 до 135 нм, в зависимости от состава соединений. Подбор отношения интенсивностей синей и желто-оранжевой полос позволяет сдвинуть координаты цветности белых светодиодов в область "теплого" свечения с коррелированной цветовой температурой до T[CC]=3000 K и максимальной световой отдачей до 50 лм/Вт.

Доп.точки доступа:
Сощин, Н. П.; Гальчина, Н. А.; Коган, Л. М.; Широков, С. С.; Юнович, А. Э.

Найти похожие

Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт
Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм.

Доп.точки доступа:
Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М.

Найти похожие

Микропроцессорный измеритель теплового сопротивления полупроводниковых диодов [Текст] / В. А. Сергеев [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 4. - С. 92-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (3 назв. )

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
тепловое сопротивление -- квантовые ямы -- полный ток -- светодиоды -- греющий ток
Аннотация: Описан микропроцессорный измеритель теплового сопротивления полупроводниковых диодов, реализующий способ измерения с использованием линейной широтно-импульсной модуляции греющего тока. Приведены примеры зависимостей теплового сопротивления диодов от полного тока для серийных светодиодов с множественными квантовыми ямами.

Доп.точки доступа:
Сергеев, Вячеслав Андреевич; Смирнов, Виталий Иванович; Гавриков, Андрей Анатольевич; Юдин, Виктор Васильевич

Найти похожие

Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/ (Al) GaN для светодиодов зеленого диапазона [Текст] / А. В. Сахаров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 841-846 : ил. - Библиогр.: с. 845-846 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- светодиоды зеленого диапазона -- зеленые светодиоды -- гетероструктуры -- слои -- релаксация напряжений (физика) -- индий -- квантовые ямы -- длина волны -- излучения -- InGaN -- (Al) GaN -- GaN
Аннотация: Исследованы процессы формирования активных областей для зеленых светодиодов на основе многослойных напряженных наногетероструктур InGaN/GaN. Показано, что на формирование таких структур существенное влияние оказывает релаксация упругих напряжений, приводящая к повышению встраивания индия в слои InGaN. Для структур, излучающих в синем спектральном диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 10 не приводит к релаксации напряжений и сдвигу длины волны излучения, в то время как для структур, излучающих в зеленом диапазоне, увеличение числа квантовых ям от 1 до 5 приводит к монотонному увеличению длины волны излучения.

Доп.точки доступа:
Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Усов, С. О.; Сизов, В. С.; Михайловский, Г. А.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M.; Hue, F.; Яковлев, Е. В.; Лобанова, А. В.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 689-694

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- твердые растворы -- оптические анализаторы -- ближнее поле -- флип-чип светодиоды
Аннотация: Представлены результаты исследования картин ближнего поля инфракрасных флип-чип светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb, излучающих в области 2 мкм. Обсуждаются отражательные и электрические свойства контактов, а также анализируется характер распределения излучения в ближнем поле в зависимости от тока и электрических и геометрических параметров светодиодов.

Доп.точки доступа:
Закгейм, А. Л.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Черняков, А. Е.; Шленский, А. А.

Найти похожие

Емельянов, А. М.
Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента [Текст] / А. М. Емельянов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 231-236. - Библиогр.: с. 236 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
краевая электролюминесценция -- электролюминесценция -- монокристаллический кремний -- кремниевые светодиоды -- высокоэффективные солнечные элементы -- внешняя квантовая эффективность -- свободные экситоны -- люминесценция электронно-дырочная плазма
Аннотация: В широком диапазоне импульсных токов при температуре 80 K исследованы спектральные, кинетические и мощностные характеристики краевой электролюминесценции кремниевых светодиодов с излучающей площадью 0. 055 cm{2}, полученных путем резки высокоэффективного солнечного элемента. В отличие от ряда исследованных ранее и менее эффективных кремниевых светодиодов внешняя квантовая эффективность при фиксированном токе была выше при 80 K, чем при 300 K, и достигала максимальной величины около 0. 4%. Несмотря на проявление механизма Оже-рекомбинации при импульсном токе 12 A достигнута рекордная мощность излучения с единицы площади P = 0. 2 W/cm{2}. Показано, что достижение этой рекордной величины в значительной мере связано с изменением механизма излучательной рекомбинации при больших токах. Анализируются условия перехода от люминесценции свободных экситонов к люминесценции электронно-дырочной плазмы.

Найти похожие

10.

Фото- и электрофизические свойства растворимых полифенилхинолинов, содержащих кислородную или фениламинную группу [Текст] / Е. Л. Александрова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 376-381

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полифенилхинолины -- дрейфовая подвижность носителей заряда -- фениламинная мостиковая группа -- биполярная проводимость -- органические светодиоды
Аннотация: Исследованы фото- и электрофизические свойства полифенилхинолинов, различающихся строением донорных мостиковых групп между хинолиновыми циклами - кислородной и фениламинной. Показано, что пленки синтезированных полимеров обладают светочувствительностью на уровне 10\{5\} см\{2\}/Дж (интегральная чувствительность - 5 • 10\{-4\} (лк • c) \{-1\}), при этом квантовый выход фотогенерации носителей заряда равен 0. 07, а их дрейфовая подвижность составляет по порядку величины 10\{-6\} см\{2\}/ (В • с). Сбалансированность дрейфовой подвижности электронов и дырок в полифенилхинолине с фениламинной мостиковой группой делает полимер перспективным при разработке пленочных устройств, основанных на биполярной проводимости материала (например, однослойного светодиода).

Доп.точки доступа:
Александрова, Е. Л.; Светличный, В. М.; Мягкова, Л. А.; Некрасова, Т. Н.; Тамеев, А. Р.; Ванников, А. В.; Кудрявцев, В. В.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 20.08.2024
Число запросов	33855
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)