Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (7)БД "Статьи" (151)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=светодиоды<.>)
Общее количество найденных документов : 82
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Сергеев В. А. Зависимости температурного коэффициента прямого напряжения на гетеропереходных светодиодах от тока и температуры/В. А. Сергеев, А. А. Широков // Известия вузов. Электроника, 2007,N N 6.-С.С. 74-76
2.

Гридин В. Н. Исследование воздействия быстрых нейтронов и электронов на светодиоды с белым и синим цветом свечения/В. Н. Гридин, И. В. Рыжиков, В. С. Виноградов // Известия вузов. Электроника, 2009,N N 1 (75).-С.27-32
3.

Фото- и электрофизические свойства растворимых полифенилхинолинов, содержащих кислородную или фениламинную группу/Е. Л. Александрова [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2009. т.Т. 43,N вып. 3.-С.376-381
4.

Емельянов А. М. Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента/А. М. Емельянов // Физика твердого тела, 2009. т.Т. 51,N вып. 2.-С.231-236
5.

Алешин А. Н. Твердотельные источники света на основе полимерных и нанокомпозитных светодиодных структур/А. Н. Алешин // Нанотехника, 2009,N N 1 (17).-С.26-34
6.

Люльчак Е. Ток без границ/Е. Люльчак // Электроэнергетика, 2009,N N 2.-С.81-82
7.

Аппаратно-программный комплекс для исследования шумовых процессов в светоизлучающих диодах/В. Н. Рогов [и др. ] // Вестник Ульяновского государственного технического университета, 2009,N N 1.-С.43-46
8.

Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb/А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2009. т.Т. 43,N вып. 5.-С.689-694
9.

Светодиоды "теплого" белого свечения на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами из иттрий-гадолиниевых гранатов/Н. П. Сощин [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2009. т.Т. 43,N вып. 5.-С.700-704
10.

Переходная электролюминесценция и аномальная дисперсия носителей заряда в тонких полимерных пленках 1840/А. Р. Тамеев [и др. ] // Физика твердого тела, 2009. т.Т. 51,N вып. 9.-С.1840-1845
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Статистика
за 20.08.2024
Число запросов 32333
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)