Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковая электроника<.>) |
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Милешко Л. П. Механизмы формирования легированного фосфором или бором анодного SiO{2} на карбиде кремния/Л. П. Милешко // Известия вузов. Электроника, 2007,N N 2.-С.С. 10-15
|
2.
| Мурзин В. Н. Б. М. Вул и становление физики твердого тела в ФИАНе/В. Н. Мурзин // История науки и техники, 2009,N N 4.-С.54-61
|
3.
| Неустроев С. А. Энергия ординарных связей в кубическом нитриде бора/С. А. Неустроев // Известия вузов. Электроника, 2009,N N 3 (77).-С.83-85
|
4.
| Королев М. А. У истоков создания отечественного транзистора/М. А. Королев // Известия вузов. Электроника, 2009,N N 3 (77).-С.92-93
|
5.
| Стафеев В. И. Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (к 60-летию открытия транзистора)/В. И. Стафеев // Физика и техника полупроводников, 2010.-С.577-583
|
6.
| Цивинский С. В. Развитие физики в XX веке и ее кризис в XXI веке/С. В. Цивинский // Актуальные проблемы современной науки, 2009,N N 5
|
7.
| Носов Ю. Р. Научно-производственное предприятие "Сапфир" в общеисторическом контексте/Ю. Р. Носов // История науки и техники, 2011,N N 8
|
8.
| Носов Ю. Р. Истоки полупроводниковой электроники. Диоды/Ю. Р. Носов // История науки и техники, 2011,N N 8
|
9.
| Общие аспекты истории электроники // История науки и техники, 2011,N N 8
|
10.
| Носов Ю. Р. Экстремальная электроника, XXI век./Ю. Р. Носов // История науки и техники, 2012,N № 3.-С.2-18
|
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50