Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=неравновесные носители заряда<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Давиденко Н. А., Дехтяренко С. В., Кокозей В. Н., Козинец А. В., Семенака В. В., Скрышевский В. А., Третяк О. В.
Заглавие : Особенности электропроводимости и фотопроводимости полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы M (II) /Cr (III)
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 507-511
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полимерные композиты--магнитные поля--малоразмерные частицы--неравновесные носители заряда--магнитные центры
Аннотация: Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полимерных композитов с добавками гетерополиядерных комплексов Zn (II) /Cr (III) или Co (II) /Cr (III). При возбуждении d-d-переходов Cr\{3+\} внутренний фотоэффект в пленках исследуемых композитов для комплекса цинка больше, чем для комплекса кобальта. Фотопроводимость возрастает при введении в состав композитов акцепторной добавки C[60]. Энергия активации электропроводимости и фотопроводимости 1 эВ и слабо зависит от внешнего электрического поля. Фототок уменьшается при включенном внешнем магнитном поле, и это в большей степени проявляется для композитов, содержащих комплекс Co (II) /Cr (III). Различия в фотопроводимости связываются с различными магнитными свойствами металлических центров в гетерополиядерных комплексах.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Мирончук Г. Л., Давидюк Г. Е., Божко В. В., Кажукаускас В.
Заглавие : Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении
Серия: Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - С.694-698: ил. - ISSN 0015-3222 (Шифр phit/2010/44/5). - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 697 (16 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): рентгеновское облучение--монокристаллы--cds--сульфид кадмия--дефектообразование--электронная радиация--рекомбинация--легирование--оптическое гашение фотопроводимости--огф--кластеры дефектов--кф--медь--cu--подпороговая энергия--крупные структурные повреждения--ксп--экспериментальные исследования--r-центры--неравновесные носители заряда
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd].
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Яблонский А. Н., Андреев Б. А., Красильникова Л. В., Крыжков Д. И., Кузнецов В. П., Красильник З. Ф.
Заглавие : Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si
Серия: XIV Ежегодный международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника-2010"
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1519-1522: ил. (Шифр phit/2010/46/11)
Примечания : Библиогр.: с. 1522 (11 назв. )
УДК : 621.315.592
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотолюминесценция--фл--эрбиевая фотолюминесценция--межзонная фотолюминесценция--эпитаксиальные структуры--оптическое возбуждение--спектры возбуждения--длина волны--экситоны--свободные экситоны--электронно-дырочная плазма--эдп--неравновесные носители заряда--кремний--si--er/si
Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Зеленер Б. Б., Зеленер Б. В., Маныкин Э. А.
Заглавие : Эффект замедления рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в магнитном поле
Место публикации : Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 3. - С.164-167 (Шифр pzhe/2012/95/3)
УДК : 538.9
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--магнитное поле--неравновесные носители заряда--рекомбинация носителей заряда
Аннотация: В работе предсказан эффект замедления рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике в однородном магнитном поле. На примере германия показано, что в области температур T= (1-10) К, концентраций зарядов n[e]= (10\{10\}-10\{14\}) см и значений индукции магнитного поля B= (3 10\{2\}-3 10\{4\}) Гс время рекомбинации может быть увеличено более чем в сто раз по сравнению с его значением в отсутствие магнитного поля. Это означает, что после создания неравновесных носителей заряда путем инжекции при p-n-переходе или за счет каких-либо источников излучения, а также облучения быстрыми электронами проводимость в полупроводнике сохраняется значительно дольше при наличии магнитного поля. Найденный эффект может быть использован, например, для обнаружения источников излучения.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кошелев О. Г.
Заглавие : О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p[+]-n(p)-n[+]-типа из-за токов по слоям p[+]- и n[+]-типа
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 1. - С.41-44. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2017/81/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 44 (9 назв. )
УДК : 621.383.5
ББК : 32.854
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): неравновесные носители заряда--резисторы солнечных элементов--свч-фотопроводимость--солнечные элементы
Аннотация: Показано, что фототоки по p[+]- и n[+]-слоям локально зондируемой неоднородной по площади p[+]-n (p) -n+-кремниевой структуры могут привести к существенному снижению контраста СВЧ-фотопроводимости по сравнению с истинным. Изучение проводили на модели из двух соединенных резистором солнечных элементов, один из которых освещался.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Глазов С. Ю., Ковалев А. А.
Заглавие : Плотность плазменных возбуждений в сверхрешетке на основе графена
Место публикации : Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 1. - С.105-108. - ISSN 0367-6765 (Шифр ranf/2018/82/1). - ISSN 0367-6765
Примечания : Библиогр.: c. 108 (14 назв. )
УДК : 538.915
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--квантовая теория плазменных волн--неравновесные носители заряда--плазменные возбуждения--солнечные элементы
Аннотация: Исследована плотность плазменных возбуждений в сверхрешетке на основе графена на полосчатой подложке в зависимости от периода и ширины потенциальных ям, образующих сверхрешетку. Расчеты выполнены на основе квантовой теории плазменных волн в приближении случайных фаз с учетом процессов переброса.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Семенов Э. В., Малаховский О. Ю.
Заглавие : Неквазистатическая модель p-n-перехода без рекурсии на пользовательском уровне
Серия: Физика полупроводников и диэлектриков
Место публикации : Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С.151-156. - ISSN 0021-3411 (Шифр izph/2019/62/6). - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: с. 156 (8 назв. )
УДК : 53:51 + 537.311.33
ББК : 22.311 + 22.379
Предметные рубрики: Физика
Математическая физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): p-n-переход--диффузионный заряд--заряд неравновесных носителей--линейное преобразование тока электропроводности--неквазистатическая модель--неравновесные носители заряда--обратное восстановление
Аннотация: Рассмотрена модель p - n -перехода, позволяющая адекватно описывать неквазистатические эффекты накопления и релаксации неравновесных носителей заряда. При этом уравнение диффузионного заряда записано в замкнутой, разрешенной относительно диффузионного заряда форме. Это позволило компьютерное программирование данной модели представить так, что у пользователя нет необходимости самостоятельно реализовывать рекурсию, разрешающую дифференциальное уравнение диффузионного заряда. В результате неквазистатическая модель p - n -перехода представлена в виде эквивалентной схемы, содержащей только обычные квазистатические элементы систем автоматизированного проектирования.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	115959
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)