Поисковый запрос: (<.>K=неравновесные носители заряда<.>) |
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7 |
1.
| Особенности электропроводимости и фотопроводимости полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы M (II) /Cr (III)/Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2009. т.Т. 43,N вып. 4.-С.507-511
|
2.
| Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении/Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2010.-С.694-698
|
3.
| Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si/А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников, 2010. т.Т. 46,N вып. 11
|
4.
| Зеленер Б. Б. Эффект замедления рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в магнитном поле/Б. Б. Зеленер, Б. В. Зеленер, Э. А. Маныкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012. т.Т. 95,N вып. 3.-С.164-167
|
5.
| Кошелев О. Г. О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p[+]-n(p)-n[+]-типа из-за токов по слоям p[+]- и n[+]-типа/О. Г. Кошелев // Известия РАН. Серия физическая, 2017. т.Т. 81,N № 1.-С.41-44
|
6.
| Глазов С. Ю. Плотность плазменных возбуждений в сверхрешетке на основе графена/С. Ю. Глазов, А. А. Ковалев // Известия РАН. Серия физическая, 2018. т.Т. 82,N № 1.-С.105-108
|
7.
| Семенов Э. В. Неквазистатическая модель p-n-перехода без рекурсии на пользовательском уровне/Э. В. Семенов, О. Ю. Малаховский // Известия вузов. Физика, 2019. т.Т. 62,N № 6.-С.151-156
|
|
|
БД "Книги"
Стандартный
Главная
Описание
Шлюз Z39.50